一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光通信、光互连及可见光通信系统领域，尤其涉及一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器。
技术介绍
随着社会信息化程度的不断提升，以超高清视频、云计算及移动互联网为代表的宽带业务蓬勃发展，这使得人类社会对网络带宽和数据流量的需求成倍增长。为满足海量信息的传输，用于干线网络传输的超高速、超大容量光纤通信技术已取得突破性进展。然而，受工艺和成本的限制，光纤通信的“最后一公里”仍然没有得到很好的解决。近年来，随着CMOS工艺向亚微米和深亚微米方向发展，其特征频率已达到上百吉赫兹，这使得基于CMOS工艺设计电路的工作速率逐渐接近化合物半导体集成电路。此外，与GaAs/InP基电路相比，CMOS工艺还兼具高集成度、低功耗、低成本等优点，这使得硅基CMOS工艺越来越广泛地应用于光纤通信集成电路设计中。由于硅基光电子结合了硅基微电子工艺技术成熟、集成度高、成本低廉以及光子传输和交换的高速、宽带、低功耗等诸多优势，所以研制硅基高速光电集成芯片成为世界各国科研机构的重要课题之一。在光纤通信系统中，跨阻放大器是光接收机的重要组成部分之一，其作用是将光电二极管检测到...
【技术保护点】
一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器，其特征在于，所述伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器包括：使用差分结构放大级替换传统RGC结构的共源级辅助放大级，整体结构仍然使用单端输出；将差分结构放大级MOS管的源极分别增加一个电阻R和电容C构成伪差分结构，利用容性退化技术产生的零点来抵消极点，提高电路的整体带宽。
【技术特征摘要】
1.一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器，其特征在于，所述伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器包括：使用差分结构放大级替换传统RGC结构的共源级辅助放大级，整体结构仍然使用单端输出；将差分结构放大级MOS管的源极分别增加一个电阻R和电容C构成伪差分结构，利用容性退化技术产生的零点来抵消极点，提高电路的整体带宽。2.根据权利要求1所述的一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器，其特征在于，所述伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器主要包括主放大器和辅助放大器两部分，晶体管M21、电阻R21和R22构成主放大器；晶体管M22和M23、电阻R23、RE和R24，以及电容CE构成伪差分结构的辅助放大器，电阻RE和电容CE构成有效的源级退化。3.根据权利要求2所述的一种高带宽的伪差分结构调节型共源共栅跨阻放大器...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢生，谷由之，毛陆虹，吴思聪，高谦，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
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