一种射频功率放大器版图及射频功率放大器制造技术

本申请公开了一种射频功率放大器版图及射频功率放大器，其中，在射频功率放大器版图中，第二晶体管的漏极通过金属过孔直接与大面积的第二层导电层连接，而不需要采取由细小的走线引向功能区一侧再引出的方式，而大面积的第二层导电层相比细小的走线的而言电阻较小，并且大面积的第二层导电层与第二晶体管的漏极的连接的稳定性较高，从而实现了在不增加晶圆面积的基础上，提升射频功率放大器信号输出端的电气连接质量的目的。并且射频功率放大器的接地端和信号输出端都可以通过采用倒扣的方式直接在第二层导电层背离第一层导电层一侧引出，从而降低了射频功率放大器所占用的晶圆面积，进而降低了射频功率放大器的成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成芯片版图设计
，更具体地说，涉及一种射频功率放大器版图及射频功率放大器。
技术介绍
随着通信技术的不断发展，无线通信技术也越来越成熟，射频功率放大器是各种无线通信系统中不可或缺的关键器件，它主要用于将收发信机输出的已调制射频信号进行功率放大，以得到满足无线通信需求的射频信号。为了获得更好的射频功率放大器性能，主流的射频功率放大器采用基于高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)工艺的共源共栅结构来实现，具体电路结构如图1所示，主要包括第二晶体管T2、第一晶体管T1、第一电容C1和第一电感L，其中所述第一晶体管T1和第二晶体管T2为高电子迁移率晶体管；所述射频功率放大器在实际制作过程中需要按照预设绘制的射频功率放大器版图进行设置，所述射频功率放大器版图中主要包括第一晶体管T1和第二晶体管T2的设置方式。图1中的标号GND代表接地端；Vg1、Vg2代表偏置电压输入端；Vcc代表电源输入端；RFin代表射频信号输入端；RFout代表信号输出端。现有技术中的射频功率放大器版图如图2所示：以晶圆作为基底制备第一晶体管T1和第二晶体管T2，所述第一晶体管T1的漏极和第二晶体管T2的源极在制备过程中实现电连接，所述第一晶体管T1和第二晶体管T2构成射频功率放大器的功能区；在所述功能区背离所述晶圆一侧表面设置第一层导电层和第二层导电层，所述第一层导电层和第二层导电层之间具有绝缘介质层；其中，所述第一晶体管T1的栅极通过所述第二层导电层引出，所述第一晶体管T1的源极通过所述第一层导电层的多条走线引向所述功能区一侧实现连接，作为所述接地端GND，并通过晶圆通孔连接到晶圆背离所述功能区一侧的接地金属层；所述第二晶体管T2的栅极通过所述第一层导电层引出，所述第二晶体管T2的漏极通过第二层金属的多条走线引向所述功能区一侧实现连接，作为所述信号输出端RFout，并通过倒扣或连接绑定线的方式引出。对于所述射频功率放大器而言，所述信号输出端RFout的面积越大，其电气连接质量相对越好，但是现有技术中的射频功率放大器版图中所述第二晶体管T2的漏极需要通过第二层金属的多条走线引出，在不大幅度增加所述晶圆面积(晶圆面积的大幅度增加会使得所述射频功率放大器的成本大大增加)的前提下就意味着引出所述第二晶体管T2漏极的多条走线较细，而这就会使得所述信号输出端RFout的电气连接质量较差。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种射频功率放大器版图及射频功率放大器，以实现在不增加使用晶圆面积的前提下，提升所述射频功率放大器的射频信号输出端的电气连接质量的目的。为实现上述技术目的，本专利技术实施例提供了如下技术方案：一种射频功率放大器版图，适用于基于HEMT工艺的射频功率放大器，所述射频功率放大器版图包括：晶圆；以所述晶圆为基底的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管漏极与第二晶体管的源极电连接，所述第一晶体管和第二晶体管构成射频功率放大器的功能区；位于所述功能区背离所述晶圆一侧的第一层导电层；位于所述第一层导电层背离所述功能区一侧表面的第二层导电层；所述第一晶体管的栅极通过所述第一层导电层或第二层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第一引出端；所述第一晶体管的源极通过金属过孔与所述第二层导电层连接，并通过所述晶圆通孔连接到所述晶圆背离所述功能区一侧的接地金属层；所述第二晶体管的栅极通过所述第一层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第二引出端；所述第二晶体管的漏极通过金属过孔与所述第二层导电层连接并引出，作为所述射频功率放大器的信号输出端。优选的，所述第二层导电层包括第一导电区、第二导电区和第三导电区；所述第一晶体管的源极与所述第一导电区连接；所述第二晶体管的漏极通过所述第二导电区引出；所述第一晶体管的栅极通过所述第三导电区引出。优选的，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的漏极采用倒扣或连接绑定线的方式引出。优选的，所述第二层导电层包括第一导电区和第二导电区；所述第一晶体管的源极与所述第一导电区连接；所述第二晶体管的漏极通过所述第二导电区引出；所述第一晶体管的栅极通过所述第一层导电层引出。优选的，所述第一导电区包括第一子区和第二子区；所述第一子区和第二子区分布于所述第二导电区两侧。优选的，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的漏极均采用倒扣的方式引出。优选的，所述第二导电区以渐近线的方式设置。优选的，所述第一导电层和第二导电层为铝层或银层或金层或铜层。优选的，所述第一晶体管和第二晶体管为砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管。一种射频功率放大器，所述射频功率放大器按上述任一实施例所述的射频功率放大器版图进行设置。从上述技术方案可以看出，本专利技术实施例提供了一种射频功率放大器版图及射频功率放大器，其中，在所述射频功率放大器版图中，所述第二晶体管的漏极通过金属过孔直接与大面积的第二层导电层连接，而不需要采取由细小的走线引向所述功能区一侧再引出的方式，而大面积的第二层导电层相比细小的走线的而言电阻较小，并且大面积的第二层导电层与所述第二晶体管的漏极的连接的稳定性较高，从而实现了在不增加所述晶圆面积的基础上，提升所述射频功率放大器信号输出端的电气连接质量的目的。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为射频功率放大器的电路结构示意图；图2为现有技术中的射频功率放大器版图的示意图；图3(a)为本申请的一个实施例提供的一种射频功率放大器版图的结构示意图；图3(b)为本申请的再一个实施例提供的一种射频功率放大器版图的结构示意图；图4为本申请的另一个实施例提供的一种射频功率放大器版图的结构示意图；图5为本申请的又一个实施例提供的一种射频功率放大器版图的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1为射频功率放大器的电路结构示意图，本申请实施例提供了一种射频功率放大器版图，适用于基于HEMT工艺的射频功率放大器，所述射频功率放大器版图包括：晶圆；以所述晶圆为基底的第一晶体管T1和第二晶体管T2，所述第一晶体管T1漏极与第二晶体管T2的源极电连接，所述第一晶体管T1和第二晶体管T2构成射频功率放大器的功能区；位于所述功能区背离所述晶圆一侧的第一层导电层；位于所述第一层导电层背离所述功能区一侧表面的第二层导电层；所述第一晶体管T1的栅极通过所述第一层导电层或第二层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第一引出端；所述第一晶体管T1的源极通过金属过孔与所述第二层导电层连接，并通过所述晶圆通孔连接到所述晶圆背离所述功能区一侧的接地金属层；所述第二晶体管T2的栅极通过所述第一层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第二引出端；所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频功率放大器版图，其特征在于，适用于基于HEMT工艺的射频功率放大器，所述射频功率放大器版图包括：晶圆；以所述晶圆为基底的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管漏极与第二晶体管的源极电连接，所述第一晶体管和第二晶体管构成射频功率放大器的功能区；位于所述功能区背离所述晶圆一侧的第一层导电层；位于所述第一层导电层背离所述功能区一侧表面的第二层导电层；所述第一晶体管的栅极通过所述第一层导电层或第二层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第一引出端；所述第一晶体管的源极通过金属过孔与所述第二层导电层连接，并通过所述晶圆通孔连接到所述晶圆背离所述功能区一侧的接地金属层；所述第二晶体管的栅极通过所述第一层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第二引出端；所述第二晶体管的漏极通过金属过孔与所述第二层导电层连接并引出，作为所述射频功率放大器的信号输出端。

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器版图，其特征在于，适用于基于HEMT工艺的射频功率放大器，所述射频功率放大器版图包括：晶圆；以所述晶圆为基底的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管漏极与第二晶体管的源极电连接，所述第一晶体管和第二晶体管构成射频功率放大器的功能区；位于所述功能区背离所述晶圆一侧的第一层导电层；位于所述第一层导电层背离所述功能区一侧表面的第二层导电层；所述第一晶体管的栅极通过所述第一层导电层或第二层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第一引出端；所述第一晶体管的源极通过金属过孔与所述第二层导电层连接，并通过所述晶圆通孔连接到所述晶圆背离所述功能区一侧的接地金属层；所述第二晶体管的栅极通过所述第一层导电层引出，作为所述射频功率放大器的第二引出端；所述第二晶体管的漏极通过金属过孔与所述第二层导电层连接并引出，作为所述射频功率放大器的信号输出端。2.根据权利要求1所述的射频功率放大器版图，其特征在于，所述第二层导电层包括第一导电区、第二导电区和第三导电区；所述第一晶体管的源极与所述第一导电区连接；所述第二晶体管的漏极通过所述第二导电区引出；所述第一晶体管的栅极通过所述第三导电区引出。3.根据权利要求2所述的射频功率放大器版图，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄清华，刘磊，刘海玲，程忍，李文昌，
申请(专利权)人：宜确半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32