【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其是指一种差分阻抗变换器及电子设备。
技术介绍
1、随着通信和高频应用的发展，数据采集、通信基础设施、广播音频以及高速数据传输等领域都对差分阻抗变换器的频率范围、宽带、平衡度和传输损耗提出了更高的要求。传统的差分阻抗变换器已经无法满足人们对差分阻抗变换器高带宽、高阻抗比、低损耗的需求，因此，如何设计性能良好的差分阻抗变换器以满足各个领域对差分阻抗变换器高性能的要求，提供更稳定和高质量的差分信号传输是目前急需解决的问题。
2、现有的差分阻抗变换器通常采用两种方式实现：1、lc等被动元件形式，利用电感和电容构建差分阻抗变换器，通过调整电感和电容的数值实现阻抗变换，但这种形式的差分阻抗变换器受限于被动元件的性能和频率响应，往往存在带宽性能差和损耗高的问题，若使用性能较好的元件来提高其性能，又会增加器件的体积和成本。2、耦合线圈形式，使用耦合线圈设计差分阻抗变换器，通过改变耦合线圈的特性阻抗实现阻抗变换，这种方式相比lc等被动元件形式的差分阻抗变换器减少了外部组件，一定程度上降低了差分阻抗变换器的损耗和体积，而且还具有良好的带宽性能，但是这种形式的差分阻抗变换器的性能与器件的结构和设计密切相关，目前现有的耦合线圈形式的差分阻抗变换器仍然存在带宽较窄、阻抗比较低、插入损耗高和回波损耗低的问题。
3、综上所述，如何设计一种带宽性能良好、高阻抗比、插入损耗低和回波损耗高且成本低的差分阻抗变换器是目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、为此，本专利
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种差分阻抗变换器，包括：
3、n个耦合线圈对，每个耦合线圈对均包括第一耦合线圈和第二耦合线圈；其中，n为4的倍数；
4、n个耦合线圈对中所有第一耦合线圈的第一端相连作为差分阻抗变换器的第一差分输入信号端口，n个耦合线圈对中所有第二耦合线圈的第一端相连作为差分阻抗变换器的第二差分输入信号端口；
5、所述n个耦合线圈对中第i个耦合线圈对和第n+1-i个耦合线圈对为第i组性能完全相同的耦合线圈对组；其中，i≤n/2；
6、第k组耦合线圈对组中一个耦合线圈对中的第一耦合线圈的第二端作为差分阻抗变换器的第一差分输出信号端口，第k组耦合线圈对组中另一个耦合线圈对中的第二耦合线圈的第二端作为差分阻抗变换器的第二差分输出信号端口；其中，k∈i；
7、n个耦合线圈对中未作为第一差分输出信号端口和第二差分输出信号端口的耦合线圈的第二端相连作为差分阻抗变换器的公共端。
8、在本专利技术的一个实施例中，所述差分阻抗变换器的公共端接地。
9、在本专利技术的一个实施例中，所述差分阻抗变换器的公共端连接去耦电容的正极，所述去耦电容的负极接地，所述去耦电容的正极连接电源。
10、在本专利技术的一个实施例中，每个耦合线圈对均由上下堆叠的四个介质层组成，每个介质层内设置有金属走线层和连通孔；
11、每个耦合线圈对中第一个介质层和第三个介质层通过连通孔串联作为耦合线圈对中的第一耦合线圈，第二个介质层和第四个介质层通过连通孔串联作为耦合线圈对中的第二耦合线圈；
12、将n/2个耦合线圈对上下堆叠作为第一介质层组，将剩余n/2个耦合线圈对上下堆叠作为第二介质层组；所述第一介质层组和所述第二介质层组并列设置，且所述第一介质层组和所述第二介质层组中自上至下或自下至上顺序相同的耦合线圈对为一组性能完全相同的耦合线圈对组；
13、所述第一介质层组和所述第二介质层组中每两个上下相邻的耦合线圈对之间设置有一中间介质层，所述中间介质层分别通过连通孔与其相邻的两个耦合线圈对中的第一耦合线圈对应的介质层和第二耦合线圈对应的介质层串联；
14、所述第一介质层组和所述第二介质层组中均包含一个公共端介质层，所述公共端介质层与对应介质层组中未作为第一差分输出信号端口和第二差分输出信号端口的耦合线圈对应的介质层串联，所述第一介质层组和所述第二介质层组中的公共端介质层相连作为差分阻抗变换器的公共端。
15、在本专利技术的一个实施例中，第n组性能完全相同的耦合线圈对组中两个耦合线圈对的奇模阻抗相等，第n组性能完全相同的耦合线圈对组中两个耦合线圈对的偶模阻抗相等，第n组性能完全相同的耦合线圈对组中耦合线圈的电长度和宽度相等；
16、第n+1组性能完全相同的耦合线圈对组中两个耦合线圈对的奇模阻抗是第n组性能完全相同的耦合线圈对组中两个耦合线圈对的奇模阻抗的二倍；
17、第n组性能完全相同的耦合线圈对组中耦合线圈的宽度是第n+1组性能完全相同的耦合线圈对组中耦合线圈的宽度的二倍；n∈i，n+1∈i。
18、在本专利技术的一个实施例中，k=1。
19、在本专利技术的一个实施例中，当n为4时，
20、四个耦合线圈对中第一耦合线圈的第一端相连作为差分阻抗变换器的第一差分输入信号端口，四个耦合线圈对中第二耦合线圈的第一端相连作为差分阻抗变换器的第二差分输入信号端口；
21、第一个耦合线圈对中第一耦合线圈的第二端作为差分阻抗变换器的第一差分输出信号端口，第四个耦合线圈对中第二耦合线圈的第二端作为差分阻抗变换器的第二差分输出信号端口；
22、第一个耦合线圈对中第二耦合线圈的第二端、第二个耦合线圈对中第一耦合线圈和第二耦合线圈的第二端、第三个耦合线圈对中第一耦合线圈和第二耦合线圈的第二端和第四个耦合线圈对中第一耦合线圈的第二端相连作为差分阻抗变换器的公共端。
23、在本专利技术的一个实施例中，所述差分阻抗变换器的公共端接地。
24、在本专利技术的一个实施例中，所述差分阻抗变换器的公共端连接去耦电容的正极，所述去耦电容的负极接地，所述去耦电容的正极连接电源。
25、在本专利技术的一个实施例中，每个耦合线圈对均由上下堆叠的四个介质层组成，每个介质层内设置有金属走线层和连通孔；
26、每个耦合线圈对中第一个介质层和第三个介质层通过连通孔串联作为耦合线圈对中的第一耦合线圈，第二个介质层和第四个介质层通过连通孔串联作为耦合线圈对中的第二耦合线圈；
27、将第一个耦合线圈对和第二个耦合线圈对上下堆叠作为第一介质层组，将第三个耦合线圈对和第四个耦合线圈对上下堆叠作为第二介质层组；所述第一介质层组和所述第二介质层组并列设置，且所述第一介质层组和所述第二介质层组中自上至下或自下至上顺序相同的耦合线圈对为一组性能完全相同的耦合线圈对组；
28、第一个耦合线圈对和第二个耦合线圈对之间设置有第一中间介质层，所述第一中间介质层分别通过连通孔与第一个耦合线圈对中第一耦合线圈对应的介质层和第二耦合线圈对应的介质层串联，所述第一中间介质层分别通过连通孔与第二个耦合线圈对中第一耦合线圈对应的介质层和第二耦合线圈对应的介本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种差分阻抗变换器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，所述差分阻抗变换器的公共端接地。
3.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，k=1。
7.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，当N为4时，
8.根据权利要求7所述的差分阻抗变换器，其特征在于，所述差分阻抗变换器的公共端接地。
9.根据权利要求7所述的差分阻抗变换器，其特征在于，
10.根据权利要求7所述的差分阻抗变换器，其特征在于，
11.根据权利要求7所述的差分阻抗变换器，其特征在于，
12.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的差分阻抗变换器。
【技术特征摘要】
1.一种差分阻抗变换器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，所述差分阻抗变换器的公共端接地。
3.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的差分阻抗变换器，其特征在于，k=1。
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：牛春宇，王德勇，杨春伟，
申请(专利权)人：宜确半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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