本发明专利技术涉及射频通信技术领域，具体提供一种基于达林顿拓扑结构的功放电路、功率放大器及设备，旨在解决现有普通单管放大电路性能不足的问题。为此目的，本发明专利技术的一种基于达林顿拓扑结构的功放电路，包括：输入端口；第一场效应管，其栅极连接所述输入端口，其漏极连接至第一电源端；第一共源共栅管，其第一栅极连接所述第一场效应管的源极，其第二栅极连接至第二电源端，其漏极连接所述第一电源端，其源极接地；输出端口，连接所述第一共源共栅管的漏极。
2、现有的射频功率放大器中放大电路通常采用单个放大mos管，致使电路具有以下缺点：电压增益有限、输出阻抗有限，上限频率较低、会产生非线性失真现象且有较高的噪声水平，因此，普通单管放大电路逐渐不满足现有发展的射频功率放大器高电压增益，高输出阻抗，宽带性能好，高线性度和低噪声要求。
>9、在上述功放电路的一个技术方案中，10、所述第一偏置电路包括第一电阻、第一电感、第二电阻、第二场效应管和第三场效应管；
11、所述第一电阻的第一端连接所述第一节点，所述第一电阻的第二端与所述第一场效应管的漏极连接并共同连接至所述第一电源端；
12、所述第一电感的第一端连接所述第一节点，所述第一电感的第二端连接所述第二电阻的第一端；
13、所述第二电阻的第二端连接所述第二场效应管的栅极；
14、所述第二场效应管的源极连接所述第三场效应管的栅极，所述第二场效应管的漏极连接至其自身的栅极；
15、所述第三场效应管的源极接地，其漏极连接自身的栅极。
16、在上述功放电路的一个技术方案中，
17、所述功放电路还包括反馈电路，所述反馈电路包括串联的第一电容和第十六电阻；
18、所述第一电容连接至所述第一场效应管的栅极与所述输入端口之间，所述第十六电阻连接至所述第一场效应管的漏极。
19、在上述功放电路的一个技术方案中，
20、所述第一场效应管的源极与所述第一共源共栅管的第一栅极之间设置有第二节点；
21、所述第二节点连接有第三电阻，所述第三电阻的另一端接地；或，
22、所述第二节点连接有串联的第三电阻和第二电感，所述第二电感接地。
23、在上述功放电路的一个技术方案中，
24、所述第二节点与所述第一共源共栅管的第一栅极之间设置有第三节点，所述第三节点连接有第二偏置电路，所述第二偏置电路用于调整所述第一共源共栅管的第一栅极的静态偏置点和输入阻抗。
25、在上述功放电路的一个技术方案中，
26、所述第二偏置电路包括第四电阻和第五电阻；
27、所述第四电阻的一端连接至所述第三节点，另一端连接所述第一电源端；
28、所述第五电阻的一端连接至所述第三节点，另一端接地。
29、在上述功放电路的一个技术方案中，
30、所述第二偏置电路包括：
31、第二共源共栅管；
32、控制模块，其包括第四场效应管、第五场效应管和电阻分压器，所述第四场效应管的栅极连接到所述第二共源共栅管的漏极，所述第四场效应管的源极通过电阻分压器连接到第五场效应管的栅极，所述第五场效应管的源极连接到所述第二共源共栅管的第一栅极；
33、偏置节点，其连接到所述第二共源共栅管的第一栅极，所述偏置节点还连接到所述第三节点。
34、在上述功放电路的一个技术方案中，
35、所述第二偏置电路还包括第二电容和第六电阻；所述第一场效应管的源极通过依次串联的第二节点、第二电容、第六电阻和第三节点连接所述第一共源共栅管的第一栅极。
36、在上述功放电路的一个技术方案中，
37、所述第一共源共栅管的第二栅极与所述第二电源端之间设置有第三偏置电路，所述第三偏置电路用于调整所述第一共源共栅管的第二栅极的静态偏置点和输入阻抗。
38、在上述功放电路的一个技术方案中，
39、所述第三偏置电路包括第七电阻和第三电容；
40、所述第一共源共栅管的第二栅极通过所述第七电阻连接至所述第二电源端；
41、所述第七电阻与所述第一共源共栅管的第二栅极连接的一端共同通过所述第三电容接地。
42、在上述功放电路的一个技术方案中，
43、所述第一共源共栅管与所述输出端口之间连接有巴伦匹配电路。
44、在上述功放电路的一个技术方案中，
45、所述第一场效应管的栅极通过第四电容连接所述输入端口；
46、所述第一共源共栅管的漏极通过第五电容连接所述输出端口；
47、所述第一共源共栅管的漏极和所述第一场效应管的漏极均通过第三电感连接至所述第一电源端。
48、在第二方面，本专利技术提供一种功率放大器，包括如第一方面中任一项所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路。
49、在第三方面，本专利技术提供一种电子设备，包括如第二方面所述的功率放大器。
50、本专利技术上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种有益效果：
51、在实施本专利技术的技术方案中，基于达林顿电路拓扑结构构建射频功率放大电路，并将结构中第一级晶体管采用场效应管，第二级晶体管采用共源共栅管，使得创新后的电路具有高电压增益、高输出阻抗、宽带性能、高线性度和低噪声的优良特性。
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【技术保护点】
1.一种基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述输入端口与所述第一场效应管的栅极之间设置有第一节点，所述第一节点连接有第一偏置电路，所述第一偏置电路用于调整所述第一场效应管的静态偏置点和输入阻抗。
3.根据权利要求2所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第一偏置电路包括第一电阻、第一电感、第二电阻、第二场效应管和第三场效应管；
4.根据权利要求1所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述功放电路还包括反馈电路，所述反馈电路包括串联的第一电容和第十六电阻；
5.根据权利要求1所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第一场效应管的源极与所述第一共源共栅管的第一栅极之间设置有第二节点；
6.根据权利要求5所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第二节点与所述第一共源共栅管的第一栅极之间设置有第三节点，所述第三节点连接有第二偏置电路，所述第二偏置电路用于调整所述第一共源共栅管的第一栅极的静态偏置点和输入阻抗。
7.根据权利要求6所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第二偏置电路包括第四电阻和第五电阻；
8.根据权利要求6所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第二偏置电路包括：
9.根据权利要求6-8中任一项所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第二偏置电路还包括第二电容和第六电阻；所述第一场效应管的源极通过依次串联的第二节点、第二电容、第六电阻和第三节点连接所述第一共源共栅管的第一栅极。
10.根据权利要求1所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第一共源共栅管的第二栅极与所述第二电源端之间设置有第三偏置电路，所述第三偏置电路用于调整所述第一共源共栅管的第二栅极的静态偏置点和输入阻抗。
11.根据权利要求10所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第三偏置电路包括第七电阻和第三电容；
12.根据权利要求1所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第一共源共栅管与所述输出端口之间连接有巴伦匹配电路。
13.根据权利要求1所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第一场效应管的栅极通过第四电容连接所述输入端口；
14.一种功率放大器，其特征在于，包括如权利要求1-13中任一项所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路。
15.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求14所述的功率放大器。
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【技术特征摘要】
1.一种基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述输入端口与所述第一场效应管的栅极之间设置有第一节点，所述第一节点连接有第一偏置电路，所述第一偏置电路用于调整所述第一场效应管的静态偏置点和输入阻抗。
3.根据权利要求2所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第一偏置电路包括第一电阻、第一电感、第二电阻、第二场效应管和第三场效应管；
4.根据权利要求1所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述功放电路还包括反馈电路，所述反馈电路包括串联的第一电容和第十六电阻；
5.根据权利要求1所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第一场效应管的源极与所述第一共源共栅管的第一栅极之间设置有第二节点；
6.根据权利要求5所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第二节点与所述第一共源共栅管的第一栅极之间设置有第三节点，所述第三节点连接有第二偏置电路，所述第二偏置电路用于调整所述第一共源共栅管的第一栅极的静态偏置点和输入阻抗。
7.根据权利要求6所述的基于达林顿拓扑结构的功放电路，其特征在于，所述第二偏置电路包括第四电阻和第五电阻；
8.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨春伟，王超，王源清，
申请(专利权)人：宜确半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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