高频放大电路制造技术

本发明专利技术涉及高频放大电路。提供了提高沿反方向流动的信号的截断特性并且使电源电压变低而能省电力化的高频放大电路。由共源共栅连接的2个NMOS晶体管构成的第一放大部和由共源共栅连接的2个PMOS晶体管构成的第二放大部经由中间电位线而共源共栅连接。向第一放大部供给偏置电压的第一偏置部和向第二放大部供给偏置电压的第二偏置部连接于向两端供给电源电位和接地电位的不同的电流路径，分别生成偏置电压。在构成电流控制部的运算放大器中，反相输入端子连接于中间电位线，向非反相输入端子施加直流电压。电流控制部基于所施加的直流电压与中间电位线的电位的差来控制第二偏置部的工作电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及被用于无线通信等的接收机的高频放大电路。
技术介绍
在被用于无线通信等的接收机中，为了保持电池的寿命而要求高频放大电路的省 电力化。作为运样的高频放大电路，提出了将两个晶体管共源共栅连接的2级放大电路(例 如，专利文献1)。在2级放大电路中，在第一级再利用在第二级的晶体管中流动的电流，因 此，能够将作为电路整体的功耗量抑制得低。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2003-243938号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题 可是，在运样的接收机中，从天线输入的信号被高频放大电路放大，并供给到频率变换 电路。频率变换电路将从高频放大电路供给的信号与从本地振荡电路供给的本地信号混合 并变换为中频，并供给到解调处理部。此时，产生了如下的现象：从本地振荡电路施加到频 率变换电路的本地信号的一部分不是沿解调处理部的方向而是沿从高频放大电路朝向天 线的方向即反方向流动。当运样的沿反方向流动的信号到达天线时，产生不需要的福射而 成为电波故障的原因，因此，需要尽可能地在高频放大电路中截断。 阳〇化]为了提高截断运样的沿反方向流动的信号的特性(反方向隔离)，通过共源共栅结 构等来连接多个晶体管，使从输出向输入的寄生电容变小是优选的。但是，当使通过共源共 栅结构等而连接的晶体管的数量变多时，由于必须将电源电压设定得高，所W存在功耗量 增加运样的问题。 用于解决课题的方案 本专利技术为了解决上述问题而完成，是一种高频放大电路，对所输入的高频信号进行放 大并输出，所述高频放大电路的特征在于，具有：第一放大部，对从输入端子输入的高频信 号进行放大来生成高频放大信号；第二放大部，进一步对所述高频放大信号进行放大来生 成输出信号，并从输出端子输出；第一偏置部，将偏置电压供给到所述第一放大部；第二偏 置部，将偏置电压供给到所述第二放大部冲间电位线，将第一电位和第二电位之间的中间 电位供给到所述第一放大部和所述第二放大部；电流生成部，生成所述第一偏置部的工作 电流；W及电流控制部，连接于所述中间电位线，基于所述中间电位来控制所述第二偏置部 的工作电流，所述第一放大部包括向源极端子供给所述第一电位的第一导电型的第一晶体 管、W及连接于所述中间电位线并向一端供给所述第一电位的第一电感器，所述第二放大 部包括向源极端子供给所述第二电位的与所述第一导电型相反导电型的第二导电型的第 二晶体管、W及连接于所述中间电位线并向一端供给所述第二电位的第二电感器。 此外，本专利技术的高频放大电路对所输入的高频信号进行放大并输出，所述高频放 大电路的特征在于，具有：第一放大部，对从输入端子输入的高频信号进行放大来生成高频 放大信号；第二放大部，进一步对所述高频放大信号进行放大来生成输出信号，并从输出端 子输出；第一偏置部，将偏置电压供给到所述第一放大部；第二偏置部，将偏置电压供给到 所述第二放大部；中间电位线，将第一电位和第二电位之间的中间电位供给到所述第一放 大部和所述第二放大部；电流控制部，连接于所述中间电位线，基于所述中间电位来控制所 述第一偏置部的工作电流；W及电流生成部，生成所述第二偏置部的工作电流，所述第一放 大部包括向源极端子供给所述第一电位的第一导电型的第一晶体管、W及连接于所述中间 电位线并向一端供给所述第一电位的第一电感器，所述第二放大部包括向源极端子供给所 述第二电位的与所述第一导电型相反导电型的第二导电型的第二晶体管、W及连接于所述 中间电位线并向一端供给所述第二电位的第二电感器。[000引专利技术效果 根据本专利技术，能够实现提高沿反方向（输入方向）流动的信号的截断特性并且使电源电 压变低而能省电力化的高频放大电路。【附图说明】 图1是示出包括本专利技术的高频放大电路的接收机的结构的框图。 图2是示出本专利技术的实施例1中的高频放大电路的结构的电路图。 图3是示出本专利技术的实施例1中的高频放大电路的另一结构的电路图。 图4是示出本专利技术的实施例2中的高频放大电路的结构的电路图。 图5是示出本专利技术的实施例2中的高频放大电路的另一结构的电路图。 图6是示出本专利技术的实施例2中的高频放大电路的另一结构的电路图。 图7是示出本专利技术的实施例2中的高频放大电路的另一结构的电路图。 图8是示出本专利技术的实施例3中的高频放大电路的结构的电路图。 阳017] 图9是详细地示出图8的电路图中的核屯、部和电流调整部的电路图。 图10是示出本专利技术的实施例3中的高频放大电路的另一结构的电路图。 图11是详细地示出图10的电路图中的核屯、部和电流调整部的电路图。【具体实施方式】 在W下，详细地说明本专利技术的实施例。 阳02 U [实施例^ W下，参照附图并详细地说明本专利技术的实施例。图1是示出使用了本专利技术的高频放大 电路10的接收机11的结构的框图。高频放大电路10对从天线12输入的高频信号进行放 大，并供给到混合器13。混合器13向解调处理部15供给将从高频放大电路10供给的信号 与从本地振荡电路14供给的本地信号混合并变换为中频而得到的中频信号。解调处理部 15通过对中频信号施行规定的解调处理而得到信息数据信号。 图2是示出根据本专利技术的实施例1的高频放大电路10的结构的电路图。输入端 子IN连接于切断输入信号的直流分量的电容器CO的一端。电容器CO的另一端连接于电 阻Rl的一端和N沟道(第一导电型）MOS (metal-oxide-semiconductor :金属氧化物半导 体）晶体管（?下，称为NMOS晶体管）Ql的栅极端子。NMOS晶体管Ql的源极端子接地而被 供给接地电位(第一电位)。NMOS晶体管Ql的漏极端子连接于NMOS晶体管Q2的源极端子。 NMOS晶体管Q2的栅极端子连接于电阻R2的一端。NMOS晶体管Q2的漏极端子连 接于构成第一并联共振电路PRl的电感器Ll和电容器Cl的每一个的一端。 电感器Ll和电容器Cl的每一个的一端连接于电容器C3的一端。此外，电感器Ll 和电容器Cl的每一个的另一端连接于中间电位线LCE。 NMOS晶体管QUNMOS晶体管Q2、电阻RU电阻R2、电容器CO W及第一并联共振电 路PRl (LU Cl)构成作为第一级的放大部的第一放大部A1。 阳0%] NMOS晶体管Q3的源极端子被接地，漏极端子连接于NMOS晶体管Q4的源极端子， 栅极端子连接于NMOS晶体管Q4的漏极端子、电阻R3的一端和电阻Rl的另一端。NMOS晶 体管Q4的栅极端子连接于P沟道(第二导电型）MOS晶体管（W下，称为PMOS晶体管）Q5的 漏极端子、电阻R3的另一端和电阻R2的另一端。NMOS晶体管Q3、NMOS晶体管Q4和电阻 R3构成第一偏置（bias)部Bl。 向PMOS晶体管Q5的源极端子供给电源电位(第二电位)Vdd,栅极端子连接于PMOS 晶体管Q6的栅极端子。向PMOS晶体管Q6的源极端子供给电源电位Vdd,栅极端子和漏极 端子连接于电流源IB。PMOS晶体管Q5和Q6构成电流镜电路CMN。 向PMOS晶体管Q7的源极端子供给电源电位Vdd,漏极端子连接于PMOS晶体管Q8 的源极端子。PMOS晶体管Q7的栅极端子连接于电阻R4的一端和电容器C3的另一端。 PMOS晶体管Q8的栅极端子连接于电阻R5的一端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频放大电路，对所输入的高频信号进行放大并输出，所述高频放大电路的特征在于，具有：第一放大部，对从输入端子输入的高频信号进行放大来生成高频放大信号；第二放大部，进一步对所述高频放大信号进行放大来生成输出信号，并从输出端子输出；第一偏置部，将偏置电压供给到所述第一放大部；第二偏置部，将偏置电压供给到所述第二放大部；中间电位线，将第一电位和第二电位之间的中间电位供给到所述第一放大部和所述第二放大部；电流生成部，生成所述第一偏置部的工作电流；以及电流控制部，连接于所述中间电位线，基于所述中间电位来控制所述第二偏置部的工作电流，所述第一放大部包括向源极端子供给所述第一电位的第一导电型的第一晶体管、以及连接于所述中间电位线的第一电感器，所述第二放大部包括在源极端子接受所述第二电位的供给的与所述第一导电型相反导电型的第二导电型的第二晶体管、以及连接于所述中间电位线的第二电感器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：四辻哲章，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP