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本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT），包括：基板；HEMT叠层，与基板间隔开；以及虚设绝缘层（PIL），设置在基板与HEMT叠层之间。PIL层包括具有不同相的至少两种材料。PIL层定义空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的入口...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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