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本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一元件结构，第一元件结构包括：第一极性的电荷供给层；第二极性的电荷沟道层，电荷沟道层形成在电荷供给层上方并且包括凹陷部分；以及在电荷沟道层上方形成在凹陷部分中的第一电极。...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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