于氮化镓上制作氧化锌的方法与其应用技术

本发明专利技术是有关于一种于氮化镓上制作氧化锌的方法与其应用，特别是有关一种利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法与应用氧化锌回收基板的方法。该方法包括：提供基板；于该基板上制作氮化镓层；以及利用水热法制作氧化锌薄膜于该氮化镓层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种于氮化镓上制作氧化锌的方法与其应用，特别是涉及一种利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法与应用氧化锌回收基板的方法。
技术介绍
近来，随着氧化锌纳米结构应用范围的增广，因此，氧化锌磊晶层被试着生长于许多不同的基板，例如 Si [4]、6H_SiC[5]、Ni0[6]、indium-tin-oxide (ITO) [7]、diamind[8]、GaN[9-13]等基板。一般来说，在不同的基板上形成氧化锌磊晶层，都是采用氮化镓做为氧化锌磊晶层与基板之间的中介层，而加强氧化锌磊晶层与不同基板之间的附着力。这是因为氮化镓和氧化锌的晶体结构相同，两者晶格常数相当匹配( 1.9%)且热传导系数也相似。一般来说，于氮化镓上制作氧化锌薄膜(或磊晶层)大多都是采取电化学沉积法(electrochemical deposition)、脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition)、金属有机化学沉积法(metalorganic chemical vapor deposition)、或分子束嘉晶法(molecularbeam epitaxy)等方法来制作。然而，这些方法不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于包含:步骤1、提供基板;步骤2、于该基板上制作氮化镓层;以及步骤3、利用水热法制作氧化锌薄膜于该氮化镓层上。

【技术特征摘要】
2011.10.31 TW 1001396711.一种利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于包含: 步骤1、提供基板； 步骤2、于该基板上制作氮化镓层；以及 步骤3、利用水热法制作氧化锌薄膜于该氮化镓层上。2.按权利要求1所述的利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中更包含元件制作步骤，其以该氧化锌薄膜为磊晶中心而制作半导体晶体或磊晶体。3.按权利要求1所述的利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中该基板为金属基板、硅基板、石英基板、玻璃基板、蓝宝石基板、或软性塑胶基板。4.按权利要求1所述的利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中该氮化镓层为未掺杂、η型、或P型。5.按权利要求1所述的利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中步骤2是以原子层沉积法、电化学沉积法、脉冲激光沉积法或金属有机化学沉积法制作该氮化镓层。6.按权利要求1所述的利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中步骤3是以硝酸锌/六甲基四胺水溶液或可以经由化学反应析出氧化锌的混合水溶液做为化学溶液，而于该氮化镓层上沉积该氧化锌薄膜。7.按权利要求6所述的利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中该化学溶液的浓度在50mM至220mM之间。8.按权利要求1所述的利用 水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中步骤3是在60°C至90°C之间进行。9.按权利要求1所述的利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中步骤3的工艺时间在I小时至数10小时之间。10.按权利要求1所述的利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中该氧化锌薄膜的厚度在0.5微米至数10微米之间。11.按权利要求1所述的利用水热法于氮化镓上制作氧化锌的方法，其特征在于，其中更包含洗净步骤，在步骤3之前实施，其包含: 以丙酮或甲醇洗净已制作有氮化镓层于其上的基板；以及 以去尚子水洗净吹干该基板。12.一种应用氧化锌回收基板的方法，其特征在于，包含: 步骤1、提供基板； 步骤2、于该基板上制作氮化镓层； 步骤3、制作氧化锌薄膜于该氮化镓层上； 步骤4、以该氧化锌薄膜为磊晶中心制作半导体晶体或磊晶体该氧化锌薄膜上，而制作光学兀件； 步...

【专利技术属性】
技术研发人员：林清富，古竣伟，
申请(专利权)人：林清富，
类型：发明
国别省市：