包括匹配电容器对的半导体器件及形成一种电容器的方法以及形成电阻器的方法技术

本发明专利技术涉及包括匹配电容器对的半导体器件及形成一种电容器的方法以及形成电阻器的方法。公开了FinFET半导体器件的多种实施方式，其中包括：在半导体衬底中的鳍片结构；在硅衬底中在第一侧面附近的第一沟槽以及在第二侧面附近的第二沟槽；在第一沟槽以及第二沟槽内的隔离层；在第一侧面附近的第一绝缘体结构以及在第二侧面附近的第二绝缘体结构；以及在第一绝缘体结构附近的第一导体结构以及在第二绝缘体结构附近的第二导体结构。可以形成共享共同源极、漏极、和/或沟道的匹配电容器对。因此，可以制造每个电容器的电容特性，使得他们彼此相似。通过使用FinFET技术制造的电阻器。能够以大于沿着衬底横过所述电阻器的距离的有效长度来制造所述电阻器。

【技术实现步骤摘要】
包括匹配电容器对的半导体器件及形成一种电容器的方法以及形成电阻器的方法
本专利技术涉及半导体器件领域，涉及一种FinFET器件(鳍片型场效应晶体管，fin-shapedfieldeffecttransistor器件,FinFET)及形成一种电容器以及形成电阻器的方法。
技术介绍
半导体器件的布图密度日益增加。使用鳍片型(fin-type)制造技术在半导体衬底上创建非平面结构。在这些技术中，形成半导体“鳍片(fin)”，它们有助于形成器件的栅极。因为可以由半导体衬底来制造沟道、源极、和/或漏极(这降低了器件的潜在电流渗漏)，从而可以增加器件密度。因此，根据这种技术制造的器件通常称为鳍片型场效应晶体管(fin-shapedfieldeffecttransistor,FinFET)。
技术实现思路
本专利技术的一个方面，提供了一种形成至少一种电容器的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中形成鳍片结构，所述鳍片结构具有第一侧面以及第二侧面，所述第一侧面以及所述第二侧面相对于所述鳍片结构彼此相对；在所述硅衬底中在所述第一侧面附近形成第一沟槽并且在所述第二侧面附近形成第二沟槽；在所述第一沟槽以及所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成至少一种电容器的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中形成鳍片结构，所述鳍片结构具有第一侧面以及第二侧面，所述第一侧面以及所述第二侧面相对于所述鳍片结构彼此相对；在所述硅衬底中在所述第一侧面附近形成第一沟槽并且在所述第二侧面附近形成第二沟槽；在所述第一沟槽以及所述第二沟槽内形成隔离层；在所述第一侧面附近形成第一绝缘体结构，并且在所述第二侧面附近形成第二绝缘体结构；以及在所述第一绝缘体结构附近形成第一导体结构，并且在所述第二绝缘体结构附近形成第二导体结构。

【技术特征摘要】
2011.11.02 US 13/287,3311.一种包括匹配电容器对的半导体器件，包括：在半导体衬底中的多个鳍片结构，每个鳍片结构具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面相对于相应的鳍片结构彼此相对；在所述多个鳍片结构之间的沟槽中形成的多个隔离层；在所述多个鳍片结构的所述第一侧面上的多个第一绝缘体结构以及在所述多个鳍片结构的所述第二侧面上的多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈向东，陈国顺，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：发明
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