85Kr源的制备及回收工艺制造技术

本发明专利技术属于放射性同位素技术领域，公开了85Kr源的制备及回收工艺。制备工艺包括以下步骤：(i)对85Kr源制备工艺的真空系统及源壳抽真空；(ii)向真空系统里充入85Kr气体；(iii)冷却源壳，85Kr气体进入源壳；(iv)将源壳封割、焊封、检漏。回收工艺包括以下步骤：(i)对废源进行检漏；(ii)对回收系统抽真空，将废源装入回收装置中并对回收装置进行抽真空；(iii)扎破源窗释放气体；(iv)冷却废源回收罐，85Kr气体回收至废源回收罐。该发明专利技术所提供的制备及回收工艺能够使制备的85Kr源体积小、活度高且废源回收彻底。

【技术实现步骤摘要】
⁸⁵Kr源的制备及回收工艺的制作方法
本专利技术属于放射性同位素
，具体涉及85Kr源的制备及回收工艺。
技术介绍
β射线测厚仪在纸张、塑料薄膜生产线对质量的控制起着关键的作用，在工业上已得到广泛应用。85Kr源是三种常见的β测厚源(147Pm，9°Sr/9°Y，85Kr)中的一种。由于85Kr原料丰度低、制备工艺落后，目前85Kr源生产工艺制备的85Kr源体积大、活度小，只能满足一小部分测厚仪的使用要求。同时85Kr源生产过程中不可避免的会产生不合格品并可能发生泄露现象，而且经过十几年的生产应用，产生了大量的废旧85Kr源，这些气体一旦存储不当就会造成85Kr泄露，势必会对周围环境造成影响。专利技术的内容本专利技术针对现有工艺中存在的问题，提供了一种85Kr源的制备及回收工艺，该制备工艺能够使制备的85Kr源体积小、活度高且回收工艺能够使废源回收彻底。为解决上述问题，本专利技术是通过以下方案实现的:(a)制备工艺包括以下步骤:(i)对85Kr源制备工艺的真空系统及源壳抽真空，使系统内真空度小于5Pa ；(ii)向真空系统里充入85本文档来自技高网...

【技术保护点】
85Kr源的制备工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：(i)对85Kr源制备工艺的真空系统及源壳抽真空；(ii)向真空系统里充入85Kr气体；(iii)冷却源壳，85Kr气体进入源壳；(iv)将源壳封割、焊封、检漏。

【技术特征摘要】
1. 85Kr源的制备工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤: (i)对85Kr源制备工艺的真空系统及源壳抽真空； ( )向真空系统里充入85Kr气体； (iii)冷却源壳，85Kr气体进入源壳； (iv)将源壳封割、焊封、检漏。2.根据权利要求1所述的85Kr源的制备工艺，其特征在于:所述的步骤(iii)冷却源壳的方法为液氮冷却。3.根据权利要求2所述的85Kr源的制备工艺，其特征在于:所述的液氮冷却时间为I .5分钟。4.根据权利要求2所述的85Kr源的制备工艺，其特征在于:所述的液氮冷却为当制备工艺的真空系统的压力小于5Pa时停止冷却。5.85Kr源的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉华，张红涛，李多宏，李士英，秦少鹏，平杰红，
申请(专利权)人：原子高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：