闪存的可靠性测试方法技术

本发明专利技术公开了一种闪存的可靠性测试方法，该方法通过两次测试步骤来对闪存进行筛选，第一次测试步骤直接筛选出不良品，将不能判定为不良品的闪存作为待确认良品，以便在第二次测试步骤中对该待确认良品进行进一步的测试，经过两次测试之后才筛选出真正的良品，提高了可靠性测试方法的准确度。另外，两次测试步骤中均对闪存施加电压应力，正确模拟了闪存在25℃（室温）条件下使用10年时所承受的正常应力条件，因而能够利用电压应力来激发闪存在短时间内产生跟正常应力水平下相同的失效，进而能够利用该可靠性测试方法来对失效反应活化能较低的闪存进行筛选。

【技术实现步骤摘要】
闪存的可靠性测试方法
本专利技术属于存储器的测试领域，特别是涉及一种闪存的可靠性测试方法。
技术介绍
存储器为计算机系统的记忆设备，用来存放程序和数据。存储器大致可分为两大类：易失存储器和非易失存储器。易失存储器在系统关闭时立即失去存储在内的数据，它需要持续的电源供应以保持数据；非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据，目前应用最为广泛的非易失存储器为闪存（FlashMemory）。可靠性（Reliability）的定义是：产品在规定条件下和规定时间内完成规定能力的能力。对于闪存而言，数据保持能力（DataRetention）、耐久力（Endurance）、干扰（Disturb）等是评价闪存可靠性的参数，其中，数据保持力指的是闪存存储的数据经过一段时间之后没有失真或丢失还可以有效读出的能力。在闪存制作完成之后准备出厂之前，通常会通过可靠性测试以对闪存的性能进行评价。目前应用较为广泛的可靠性测试方法为加速寿命测试，其利用加大试验应力（诸如热应力、电应力、机械应力等）的方法，激发产品在短时间内产生跟正常应力水平下相同的失效，缩短了测试周期。其中，应用较为广泛的试验应力为热应力。以判断闪存的数据保持力为例，通常对已经写入数据的闪存进行读出以判断闪存的数据保持力。具体地，在250℃的温度条件下将闪存烘烤72小时之后，读出闪存中存储的数据“1”，获取读出电流，若数据“1”的读出电流大于或等于读出电流判断标准，则表示闪存符合可靠性要求；相反，若数据“1”的读出电流小于读出电流判断标准，则表示闪存不符合可靠性要求。所述在250℃的温度条件下将闪存烘烤72小时的步骤用于模拟闪存在25℃（室温）条件下使用10年的情况，在高温烘烤的条件下，由于载流子活性的增强，电荷容易丢失，数据保持力严重退化，以此来测量闪存的可靠性。但是，由于导致闪存数据保持力不佳的失效模式会有多种，而不同的失效模式对应不同的失效反应活化能Ea：当闪存的失效反应活化能Ea较高时，可以利用上述热应力的方法来激发闪存的失效，以此来评估闪存的数据保持力，但是当闪存的失效反应活化能Ea较低时，利用上述热应力的方法并不能激发闪存的失效，因而不能评估闪存的数据保持力。更多的关于存储器的可靠性测试方法可参考于2012年4月18日公开、公开号为CN102420017A的中国专利申请。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种闪存的可靠性测试方法，以评估失效反应活化能较低的闪存的数据保持力。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种闪存的可靠性测试方法，其包括：对闪存进行第一处理之后，从闪存中读取数据，获取第一测试结果，所述第一测试结果为读出电流或读出电压，将第一测试结果与第一判断标准进行比较，以在闪存上设置第一标识或第二标识，设置有第一标识的闪存为不良品，设置有第二标识的闪存为待确认良品；对设置有第二标识的闪存进行第二处理之后，从闪存中读取数据，获取第二测试结果，所述第二测试结果为读出电流或读出电压，将第二测试结果与第二判断标准进行比较，以在闪存上设置第三标识或第四标识，设置有第三标识的闪存为不良品，设置有第四标识的闪存为良品；所述第一处理、第二处理步骤中其中一个包括：向闪存中写入数据；写入数据之后，向闪存施加第一电压应力，包括：向闪存的源极线施加第一源极线电压、字线施加第一字线电压、位线施加第一位线电压；另一个包括：擦除闪存中的数据；擦除数据之后，向闪存施加第二电压应力，包括：向闪存的源极线施加第二源极线电压、字线施加第二字线电压、位线施加第二位线电压。可选地，所述第一源极线电压为7V至9V，所述第一字线电压为0V，所述第一位线电压为2V至3V。可选地，所述第一电压应力的持续时间为1s至3s。可选地，所述第二源极线电压为0V，所述第二字线电压为5~7V，所述第二位线电压为0V。可选地，所述第二电压应力的持续时间为1s至3s。可选地，所述第一处理包括：向闪存中写入数据；写入数据之后，向闪存施加第一电压应力，所述第一测试结果为读出电流，若所述第一测试结果小于或等于所述第一判断标准则在闪存上设置所述第二标识，否则在闪存上设置第一标识；所述第二处理包括：擦除闪存中的数据；擦除数据之后，向闪存施加第二电压应力，所述第二测试结果为读出电流，若所述第二测试结果大于或等于所述第二判断标准则在闪存上设置第四标识，否则在闪存上设置第三标识。可选地，所述第一判断标准为5uA。可选地，所述第二判断标准为15uA。可选地，所述第一处理步骤中写入数据及读取数据均为数据“0”，所述第二处理步骤中读取数据为数据“1”。可选地，所述第一处理包括：擦除闪存中的数据；擦除数据之后，向闪存施加第二电压应力，所述第一测试结果为读出电流，若所述第一测试结果大于或等于所述第一判断标准则在闪存上设置第二标识，否则在闪存上设置第一标识；所述第二处理包括：向闪存中写入数据；写入数据之后，向闪存施加第一电压应力，所述第二测试结果为读出电流，若所述第二测试结果小于或等于所述第二判断标准则在闪存上设置所述第四标识，否则在闪存上设置第三标识。可选地，所述第一判断标准为15uA。可选地，所述第二判断标准为5uA。可选地，所述第一处理步骤中读取数据为数据“1”，所述第二处理步骤中写入数据及读取数据均为数据“0”。可选地，所述第一标识、第二标识、第三标识、第四标识中至少有一个为写在闪存内的标示性数据。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术的技术方案是通过两次测试步骤来对闪存进行筛选，第一次测试步骤直接筛选出不良品，将不能判定为不良品的闪存作为待确认良品，以便在第二次测试步骤中对该待确认良品进行进一步的测试，经过两次测试之后才筛选出真正的良品，提高了可靠性测试方法的准确度。另外，两次测试步骤中均对闪存施加电压应力，正确模拟了闪存在25℃（室温）条件下使用10年时所承受的正常应力条件，因而能够利用电压应力来激发闪存在短时间内产生跟正常应力水平下相同的失效，进而能够利用该可靠性测试方法来对失效反应活化能较低的闪存进行筛选。附图说明图1是现有一种分裂栅极式闪存的结构示意图；图2是本专利技术实施方式一的测试流程图；图3是本专利技术实施方式二的测试流程图。具体实施方式下面结合附图，通过具体实施例，对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的可实施方式的一部分，而不是其全部。根据这些实施例，本领域的普通技术人员在无需创造性劳动的前提下可获得的所有其它实施方式，都属于本专利技术的保护范围。图1是现有一种分裂栅极式闪存的结构示意图，如图1所示，闪存包括两个存储单元M1和M2，形成于P型半导体衬底100上；半导体衬底100中形成有N型的第一扩散区120和第二扩散区130，第一扩散区120是由两个存储单元M1和M2共享的公共源极区，第二扩散区130是漏极区；存储单元M1和M2相对于第一扩散区120（即公共源极区）具有镜像结构。具体地，每个存储单元M1、M2分别包括：位于第一扩散区120和第二扩散区130之间的沟道区140、浮栅150、控制栅160、栅极绝缘层170、形成于浮栅150上的多氧化物层180以及绝缘氧化层190。其中，浮栅150为电隔离的栅电极，其位于第一扩散区120和第二扩散区130之间的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的可靠性测试方法，其特征在于，包括：对闪存进行第一处理之后，从闪存中读取数据，获取第一测试结果，所述第一测试结果为读出电流或读出电压，将第一测试结果与第一判断标准进行比较，以在闪存上设置第一标识或第二标识，设置有第一标识的闪存为不良品，设置有第二标识的闪存为待确认良品；对设置有第二标识的闪存进行第二处理之后，从闪存中读取数据，获取第二测试结果，所述第二测试结果为读出电流或读出电压，将第二测试结果与第二判断标准进行比较，以在闪存上设置第三标识或第四标识，设置有第三标识的闪存为不良品，设置有第四标识的闪存为良品；所述第一处理、第二处理步骤中其中一个包括：向闪存中写入数据；写入数据之后，向闪存施加第一电压应力，包括：向闪存的源极线施加第一源极线电压、字线施加第一字线电压、位线施加第一位线电压；另一个包括：擦除闪存中的数据；擦除数据之后，向闪存施加第二电压应力，包括：向闪存的源极线施加第二源极线电压、字线施加第二字线电压、位线施加第二位线电压。

【技术特征摘要】
1.一种闪存的可靠性测试方法，其特征在于，包括：对闪存进行第一处理之后，从闪存中读取数据，获取第一测试结果，所述第一测试结果为读出电流或读出电压，将第一测试结果与第一判断标准进行比较，以在闪存上设置第一标识或第二标识，设置有第一标识的闪存为不良品，设置有第二标识的闪存为待确认良品；对设置有第二标识的闪存进行第二处理之后，从闪存中读取数据，获取第二测试结果，所述第二测试结果为读出电流或读出电压，将第二测试结果与第二判断标准进行比较，以在闪存上设置第三标识或第四标识，设置有第三标识的闪存为不良品，设置有第四标识的闪存为良品；所述第一处理、第二处理步骤中其中一个包括：向闪存中写入数据；写入数据之后，向闪存施加第一电压应力，包括：向闪存的源极线施加第一源极线电压、字线施加第一字线电压、位线施加第一位线电压；另一个包括：擦除闪存中的数据；擦除数据之后，向闪存施加第二电压应力，包括：向闪存的源极线施加第二源极线电压、字线施加第二字线电压、位线施加第二位线电压。2.根据权利要求1所述的闪存的可靠性测试方法，其特征在于，所述第一源极线电压为7V至9V，所述第一字线电压为0V，所述第一位线电压为2V至3V。3.根据权利要求2所述的闪存的可靠性测试方法，其特征在于，所述第一电压应力的持续时间为1s至3s。4.根据权利要求1所述的闪存的可靠性测试方法，其特征在于，所述第二源极线电压为0V，所述第二字线电压为5~7V，所述第二位线电压为0V。5.根据权利要求4所述的闪存的可靠性测试方法，其特征在于，所述第二电压应力的持续时间为1s至3s。6.根据权利要求1所述的闪存的可靠性测试方法，其特征在于，所述第一处理包括：向闪存中写入数据；写入数据之后，向闪存施加第一电压应力，所述第一测试结果为读出电流，若所述第一测试结果小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱亮，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：