一种微米管制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种微米管制造工艺，包括：在基底上旋涂光刻胶，使用图形为圆形的掩模进行曝光，其中掩膜圆形的直径等于所要加工的微米管的外径；将所述曝光后的基底放到显影液中进行显影，在基底上获得光刻胶的微米管结构；对所述显影后带有光刻胶微米管结构的基底进行刻蚀，即可在基底上获得微米管阵列。本发明专利技术还公开了一种利用上述方法所制备的微米管。本发明专利技术在光刻过程中，由于基底的反射，利用圆形掩膜通过衍射形成光增强区和暗光区，经刻蚀即可形成微米管，可以实现利用一定精度的光刻设备制备更高精度的微米管，克服制备微米管必须依赖相应精度光刻设备的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳制造エ艺，具体涉及ー种微米管阵列的制造エ艺，适用于太阳能电池、疏水材料、微换热器等领域。
技术介绍
微纳米线、微纳米管阵列是微纳制造领域中最常见的结构。由于这种周期性结构制造比较容易，并且具有一些优异的性能，如极大地増加了表面面积、具有超疏水性等，因此可应用于太阳能电池、疏水材料、光子晶体、纳米激光器等材料和器件中。微纳米线、微纳米管阵列常用的加工方法有生长和刻蚀。生长的方法一般是在基底上镀ー层催化剂膜或者沉积催化剂颗粒，然后在气氛或者液体中进行生长。这种方法一般用于微纳米线的加工，加工管状结构比较困难。刻蚀的方法需要在基底上做一层有图案的遮挡层或者催化剂层，然后使用干法刻蚀或者湿法刻蚀的方法在基底上得到所需的阵列结构。遮挡层或者催化剂层通常是采用光刻エ艺得到，因为光刻エ艺所使用的设备是微纳制造中常用的设备。微米管的刻蚀加工，首先需在基底上通过光刻エ艺加工出相应的光刻胶图形，然后用刻蚀的方法将图形转移到基底上。现有微米管刻蚀加工方法中，一般均是在光刻时使用圆环状的掩模进行刻蚀，再通过光刻显影后得到管状的光刻胶结构。但是，由于圆环状掩膜的圆环宽度与微米管管壁对应，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微米管的制造工艺，其特征在于，具体包括：在基底上旋涂光刻胶，使用图形为圆形的掩模进行曝光，其中圆形掩膜的直径等于所要加工的微米管的外径；将所述曝光后的基底放到显影液中进行显影，在基底上获得光刻胶的微米管结构；对所述显影后带有光刻胶微米管结构的基底进行刻蚀，即可在基底上获得微米管阵列。

【技术特征摘要】
1.一种微米管的制造エ艺，其特征在于，具体包括: 在基底上旋涂光刻胶，使用图形为圆形的掩模进行曝光，其中圆形掩膜的直径等于所要加工的微米管的外径； 将所述曝光后的基底放到显影液中进行显影，在基底上获得光刻胶的微米管结构； 对所述显影后带有光刻胶微米管结构的基底进行刻蚀，即可在基底上获得微米管阵列。2.根据权利要求1所述的ー种微米管的制造エ艺，其中，旋涂的所述光刻胶厚度为圆形掩膜直径的0.3-4倍，更优选为0.4^3倍，最优选为0.6^1倍。3.根据权利要求1或2所述的ー种微米管的制造エ艺，其中，所述掩膜圆形的直径为2-50u mD4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种微米管的制造エ艺，其中，在曝光时所述入射光从掩膜的上方垂直入射。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖广兰，谭先华，史铁林，高阳，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：