加热装置、真空加热方法和薄膜制造方法制造方法及图纸

技术编号:8659135 阅读:170 留言:0更新日期:2013-05-02 05:33
一种加热装置,其具备:应在真空中被加热的被加热体;构成为能够从被加热体分离、并且在自身与被加热体之间形成有间隙的加热体;和用于向间隙导入传热气体的气体导入路径。被加热体通过传热气体由加热体加热。加热装置的例子是蒸着装置(30)。被加热体的例子是保持蒸镀材料,并且具有供蒸发了的蒸镀材料通过的开口部的贮藏容器(9)。加热体的例子是可拆装地收纳贮藏容器(9)、并且为了对贮藏容器(9)内的蒸镀材料进行加热而具有加热器(20)的加热容器(10)。气体导入路径的例子是气体导入管(11)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来伴随着可移动设备的高性能化和多功能化,作为其电源的二次电池被要求高容量化。作为可以满足该要求的二次电池,非水电解质二次电池受到关注。为了实现非水电解质二次电池的高容量化,曾提出了使用硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)等作为电极活性物质(以下简单地称为“活性物质”)。Si或者Sn以硅单质、硅合金、含有硅和氧的化合物、含有硅和氮的化合物、锡单质、锡合金、含有锡和氧的化合物、以及含有锡和氮的化合物的形式被用于活性物质,但这些物质在吸藏锂离子时结晶结构大大地变化,因此伴有膨胀。其结果,活性物质粒子开裂,或活性物质层从集电体剥离,由此活性物质与集电体间的电子传导性降低,作为结果,存在循环特性降低的问题。因此,曾尝试了在将这些材料用于活性物质时,减轻活性物质的膨胀和收缩的方策。 另外,也知道这些含有Si或者Sn的活性物质存在不可逆容量的问题。即,当将含有Si或者Sn的活性物质用于负极时,初次充电时吸藏的锂离子的一部分在放电时不从负极释放,其结果,存在电池容量变小的问题。为了避免不可逆容量,使预先吸藏了与不可逆容量相当的量的锂的负极与正极对向,并开始充放电是有效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.29 JP 144561/2011;2011.11.08 JP 244664/2011.一种加热装置,其具备:应在真空中被加热的被加热体;构成为能够从所述被加热体分离、并且在自身与所述被加热体之间形成有间隙的加热体;和用于向所述间隙导入传热气体的气体导入路径,所述被加热体通过所述传热气体由所述加热体加热。2.根据权利要求1所述的加热装置,所述被加热体是保持蒸镀材料,并且具有供蒸发了的所述蒸镀材料通过的开口部的贮藏容器,所述加热体是可拆装地收纳所述贮藏容器、并且为了对所述贮藏容器内的所述蒸镀材料进行加热而具有加热器的加热容器,是构成为具有用于使从所述贮藏容器蒸发了的所述蒸镀材料通过的开口部,并且在收纳了所述贮藏容器时,通过所述贮藏容器的外壁面和所述加热容器的内壁面直接对向而在所述内壁面与所述外壁面之间产生所述间隙的加热容器,所述加热装置是还具备(i )用于收容所述贮藏容器和所述加热容器,并在内部在基材上进行蒸镀的真空槽、和(ii)对所述真空槽内进行排气的真空泵的蒸镀装置。3.根据权利要求2所述的加热装置,所述隙间的宽度为0.5mm以下。4.根据权利要求2所述的加热装置,还具备:抑制所述传热气体从所述间隙向所述真空槽中流出的抑制结构。5.根据权利要求4所述的加热装置,所述抑制结构构成为改变从所述间隙流出的所述传热气体的行进方向,或者,构成为降低从所述间隙流出的所述传热气体的量。6.根据权利要求4所述的加热装置,所述抑制结构是在所述贮藏容器的所述开口部以及所述加热容器的所述开口部的周围设置的台阶差结构或者锥形结构。7.根据权利要求6所述的加热装置,通过设置所述台阶差结构或者所述锥形结构,所述贮藏容器的所述开口部和所述加热容器的所述开口部的周围的所述间隙,被形成为比所述开口部的周围以外的所述间隙狭窄。8.根据权利要求2所述的加热装置,所述加热容器的热膨胀系数比所述贮藏容器的热膨胀系数小。9.根据权利要求2所述的加热装置,在具有所述加热器的所述加热容器内部的空间与所述加热容器的内壁面之间,还具备用于使所述传热气体通过的通路。10.根据权利要求2所述的加热装置,所述间隙在所述贮藏容器的所述开口部和所述加热容器的所述开口部被封闭。11.根据权利要求2所述的加热装置,在所述间隙的开口部之上载置有盖体。12.根据权利要求11所述的加热装置,在所述盖体的下面,形成有使被导入到所述间隙中的所述传热气体通过的气体流路。13.一种薄膜制造方法,其是使用蒸镀装置在真空中在所述基材上进行蒸镀的蒸镀方法,所述蒸镀装置具有: 保持蒸镀材料,并且具有供蒸发了的所述蒸镀材料通过的开口部的贮藏容器;可拆装地收纳所述贮藏容器、并且为了对所述贮藏容器内的所述蒸镀材料进行加热而具有加热器的加热容器,其构成为具有用于使从所述贮藏容器蒸发了的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:冈崎祯之本田和义
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:
国别省市:

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