绝缘体上硅射频器件及其制造方法技术

一种绝缘体上硅射频器件，包括：硅基衬底；埋氧层，所述埋氧层设置在所述硅基衬底上；器件层，设置在所述埋氧层之异于所述硅基衬底一侧，所述器件层并具有器件区和用于器件隔离的浅沟槽隔离；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述器件层；第二介质层，所述第二介质层设置在所述第一介质层之异于所述器件层一侧；以及深埋沟道，所述深埋沟道贯穿设置于所述埋氧层、器件层和第一介质层，并介于所述器件层的浅沟槽隔离之间。本发明专利技术所述绝缘体上硅射频器件改善信号传输特性，避免了信号失真，且所述绝缘体上硅射频器件的制造方法简便，成本低，工艺局限性小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种。
技术介绍
绝缘体上娃(Silicon on Insulator, SOI)的结构特点是在有源层和衬底层之间插入埋氧层，以隔断二者的电气连接。所述SOI和体硅在电路结构的上的主要区别在于，硅基器件或电路制作在外延层上，器件和衬底直接产生电气连接，高低压单元之间、有源层和衬底之间的隔离通过反偏PN结完成，而SOI电路的有源层、衬底、高低压单元之间都通过绝缘层完全隔开，各部分的电气连接被完全消除。这一结构特点为SOI带来了寄生效应小、速度快、功耗低、集成度高、抗反射能力强等诸多优点。但是，在传统的绝缘体上硅射频器件中，放大的射频信号将改变基底的电学特性，导致信号失真。同时，所述传统的绝缘体上硅射频器件的制造方法局限性大、成本高，不适于产业化生产。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本专利技术一种。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中，传统的绝缘体上硅射频器件放大的射频信号将改变基底的电学特性，导致信号失真。同时，所述传统的绝缘体上硅射频器件的制造方法局限性大、成本高，不适于产业化生产等缺陷提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述绝缘体上硅射频器件包括：硅基衬底，所述硅基衬底用于支撑所述绝缘体上硅射频器件；埋氧层，所述埋氧层设置在所述硅基衬底上；器件层，所述器件层为硅层，设置在所述埋氧层之异于所述硅基衬底一侧，所述器件层并具有器件区和用于器件隔离的浅沟槽隔离；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述器件层；第二介质层，所述第二介质层设置在所述第一介质层之异于所述器件层一侧；以及，深埋沟道，所述深埋沟道贯穿设置于所述埋氧层、器件层和第一介质层，并介于所述器件层的浅沟槽隔离之间。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述绝缘体上硅射频器件包括: 硅基衬底，所述硅基衬底用于支撑所述绝缘体上硅射频器件； 埋氧层，所述埋氧层设置在所述硅基衬底上； 器件层，所述器件层为硅层，设置在所述埋氧层之异于所述硅基衬底一侧，所述器件层并具有器件区和用于器件隔离的浅沟槽隔离； 第一介质层，所述第一介质层覆盖所述器件层； 第二介质层，所述第二介质层设置在所述第一介质层之异于所述器件层一侧；以及， 深埋沟道，所述深埋沟道贯穿设置于所述埋氧层、器件层和第一介质层，并介于所述器件层的浅沟槽隔离之间。2.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道至所述硅基衬底与所述埋氧层之第一分界面纵向延伸至所述第一介质层与所述第二介质层之第二分界面。3.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道为体型。4.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道为“凹”型。5.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道为间隔条状布置结构。6.如权利要求5所述的 绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道具有5个条状布置结构。7.如权利要求2 6任一权利要求所述的绝缘体上硅射频器件，其特征在于，所述深埋沟道的外向间距优选地为15 120 μ m。8.如权利要求1所述的绝缘体上硅射频器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法，包括: 执行步骤S1:在所述硅基...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟政，李乐，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：