薄膜场效应晶体管阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板及显示装置，属于液晶显示领域。其中，薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括：设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。本实用新型专利技术的技术方案能够优化显示效果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示领域，特别是指一种薄膜场效应晶体管阵列基板及显示>J-U装直。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管-液晶显示器)面板一般是由起开关作用的TFT阵列基板以及涂有RGB的彩膜基板构成，然后在两层基板之间填充液晶层。其中，TFT阵列基板通过各层膜的沉积、刻蚀以后形成栅极层、源漏极层、像素电极以及公共电极层。在高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)液晶显示模式中，传统的像素电极结构如图1所示，在亚像素区域形成有多个条状像素电极3，条状像素电极3的结构为Slit (狭缝)状，然后像素电极连接线将Slit状的条状像素电极3的周边相连构成一个完整的像素电极。由于ADS模式液晶显示的特性，此种像素电极结构中，像素电极和公共电极之间的交叠面积比较大，造成像素电极和公共电极之间的Cst (存储电容)相对较大，使得像素充电困难。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板及显示装置，能够优化显示效果。为解决上述技术问 题，本技术的实施例提供技术方案如下一方面，提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。进一步地，上述方案中，所述像素电极连接线与所述亚像素区域的与数据线平行的第一中线相重合。进一步地，上述方案中，所述条状像素电极与所述像素电极连接线成一定角度，所述角度为79、3°。进一步地，上述方案中，所述像素电极连接线两侧的条状像素电极相对于所述像素电极连接线对称设置。进一步地，上述方案中，所述亚像素区域的与栅线平行的第二中线两侧的条状像素电极相对于所述第二中线对称设置。本技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的薄膜场效应晶体管阵列基板。本技术的实施例具有以下有益效果上述方案中，像素电极连接线垂直设置在亚像素区域中部、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连形成整个像素电极，本技术的技术方案能够减小像素电极与公共电极的交叠面积，从而减小了像素电极与公共电极间的存储电容，使得像素电极更易充电；另外，像素电极连接线与数据线之间的距离增大，减小了像素电极与数据线之间的侧向电容，从而降低了像素电极竖直方向上的串扰；像素电极与栅线一侧的侧向电场减小，从而降低了该区域漏光的面积；综上所述，本技术的技术方案能够优化液晶显示面板的显示效果。附图说明图1为现有技术中的像素电极的结构示意图；图2为本技术实施例一薄膜场效应晶体管阵列基板的像素电极的结构示意图；图3为本技术实施例二薄膜场效应晶体管阵列基板的像素电极的结构示意图；图4为现有技术中液晶分子的偏转不意图5为本技术实施例二薄膜场效应晶体管阵列基板的液晶分子的偏转示意图。具体实施方式为使本技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本技术的实施例针对现有技术中像素电极和公共电极之间的存储电容较大，像素充电困难的问题，提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板及显示装置，能够优化显示效果。本技术提供了一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，其中，薄膜场效应晶体管阵列基板还包括设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。优选地，像素电极连接线与亚像素区域的与数据线平行的第一中线相重合。现有技术中，如图1所示，由栅线I和数据线2围成的一个亚像素区域中，形成有多个条状像素电极3，像素电极连接线将Slit状的条状像素电极3的周边相连构成一个完整的像素电极，可以看出，像素电极连接线与数据线2的距离较近，在像素电极连接线和数据线2之间存在侧向电容，这样会对像素电极产生竖直方向上的串扰；同时，像素电极连接线与栅线I之间也存在侧向电容，像素电极连接线和栅线I之间会产生电场，该电场的方向垂直于液晶分子的取向，会使液晶分子发生偏转，从而使得像素电极连接线与栅线I之间的区域产生漏光现象。本技术实施例中，如图2和图3所示，像素电极连接线位于亚像素区域的中部，与各个条状像素电极3相连接构成整个像素电极，本技术的技术方案减小了像素电极与公共电极的交叠面积，从而减小了像素电极与公共电极间的存储电容，使得像素电极更易充电；另外，像素电极连接线与数据线2之间的距离增大，减小了像素电极与数据线2之间的侧向电容，从而降低了像素电极竖直方向上的串扰；另外，像素电极与栅线I 一侧的侧向电场减小，从而降低了该区域漏光的面积；另外，本技术的该种像素电极结构能够使得像素电极的电阻值更小， 有利于像素显示的均一性。综上所述，本技术的技术方案能够优化液晶显示面板的显示效果。下面结合具体的实施例对本技术的薄膜场效应晶体管阵列基板进行进一步地介绍实施例一图2所示为本实施例的薄膜场效应晶体管阵列基板的像素电极的结构示意图，如图2所示，本实施例的薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，其中，薄膜场效应晶体管阵列基板还包括设置在每一亚像素区域中部、与数据线2平行且与亚像素区域中的各个条状像素电极3均相连的一条像素电极连接线4。其中，亚像素区域有与数据线2平行的中线5 (即第一中线)和与栅线I平行的中线6 (即第二中线)，本实施例中，以第二中线6为分割线，亚像素上部分的条状像素电极3成行排列，亚像素下部分的条状像素电极3成行排列，像素电极连接线4与第一中线5相重合，与亚像素区域内的所有条状像素电极3相连接组成整个像素电极。进一步地，如图2所示，条状像素电极3与像素电极连接线4成一定角度，该角度在7913°之间，即条状像素电极3与栅线I所成角度在疒11°之间，随着条状像素电极3与栅线I所成角度的增加，能够减少液晶分子的偏转时间，提高液晶分子的偏转速度，但是在条状像素电极3与栅线I所成角度为7°左右时，能够使采用该薄膜场效应晶体管阵列基板的液晶显示面板具有较好的透过率。本实施例中，像素电极连接线4与各个条状像素电极3相连接组成的像素电极的面积小于现有技术中的像素电极的面积，从而减小了像素电极与公共电极的交叠面积，从而减小了像素电极与公共电极的存储电容，使得像素电极更易充电；另外，像素电极连接线4与数据线2之间的距离增大，减小了像素电极与数据线2之间的侧向电容，从而降低了像素电极竖直方向上的串扰；另外，像素电极与栅线I 一侧的侧向电场减小，从而降低了该区域漏光的面积；另外，本技术的该种像素电极结构能够使得像素电极的电阻值更小，有利于像素显示的均一性。综上所述，本技术的技术方案能够优化液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括：设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。2.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极连接线与所述亚像素区域的与数据线平行的第一中线相重合。3.根据权利要求1所述的薄膜场效应...

【专利技术属性】
技术研发人员：高玉杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：