薄膜场效应晶体管阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板及显示装置，属于液晶显示领域。其中，薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括：设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。本实用新型专利技术的技术方案能够优化显示效果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示领域，特别是指一种薄膜场效应晶体管阵列基板及显示>J-U装直。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管-液晶显示器)面板一般是由起开关作用的TFT阵列基板以及涂有RGB的彩膜基板构成，然后在两层基板之间填充液晶层。其中，TFT阵列基板通过各层膜的沉积、刻蚀以后形成栅极层、源漏极层、像素电极以及公共电极层。在高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)液晶显示模式中，传统的像素电极结构如图1所示，在亚像素区域形成有多个条状像素电极3，条状像素电极3的结构为Slit (狭缝)状，然后像素电极连接线将Slit状的条状像素电极3的周边相连构成一个完整的像素电极。由于ADS模式液晶显示的特性，此种像素电极结构中，像素电极和公共电极之间的交叠面积比较大，造成像素电极和公共电极之间的Cst (存储电容)相对较大，使得像素充电困难。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种薄膜场效应晶体管阵列基板及显示装置，能够优化显示效果。为解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括：设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜场效应晶体管阵列基板，包括多条栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直设置；由所述栅线和数据线交叉限定的亚像素区域；以及形成在亚像素区域的多个条状像素电极，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管阵列基板还包括设置在每一亚像素区域内与数据线平行、与亚像素区域中的各个条状像素电极均相连的一条像素电极连接线。2.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管阵列基板，其特征在于，所述像素电极连接线与所述亚像素区域的与数据线平行的第一中线相重合。3.根据权利要求1所述的薄膜场效应...

【专利技术属性】
技术研发人员：高玉杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：