TFT阵列基板及量子点发光二极管显示器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TFT阵列基板及量子点发光二极管显示器件，采用半色调掩膜板以及双氧水刻蚀液，可以通过一次构图工艺分别在氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在源漏极层形成源漏极的图形，这样，就可以在TFT结构中将源漏极直接设置在氧化物半导体层之上，不用在两者之间设置刻蚀阻挡层；并将该TFT结构的顶栅型结构应用于QD-LED显示器件的结构中，能实现结构简单的TFT阵列基板以及QD-LED器件，节省其制作工艺流程，降低了生产成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板及量子点发光二极管显示器件。
技术介绍
目前，有源阵列显示面板中使用的薄膜晶体管(TFT)阵列基板的TFT由依次设置的栅极、氧化物半导体层、以及源漏极组成，在其制备过程中受到制备工艺的限制，一般会在氧化物半导体层和源漏极之间设置刻蚀阻挡层，以防止在对源漏极层进行构图时，刻蚀液对位于其下层的氧化物半导体层影响。而设置的刻蚀阻挡层会增加TFT在制备过程中的制备工艺。量子点又可称为纳米晶，是一种由II — VI族或III — V族元素组成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于I IOnm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。可以通过改变量子点的尺寸大小来控制量子点的发射光谱，通过改变量子点的尺寸和它的化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。以CdTe量子为例，当它的粒径从2. 5nm生长到4. Onm时，它们的发射波长可以从51Onm红移到660nm。目前，量子点作为一种显示材料且已经被广泛使用在了显示领域，利用量子点作为发光材料而制造出的显示器件称为量子点发光二极管显示器件(QD-LED，Quantum DotLight — Emitting Display)。现有的QD-LED显示器件采用的结构和有机电致发光显示器件(OLED, Organic Light — Emitting Display)相类似,然而现有的QD-LED显示器件的制备需要较多的工艺步骤，制备效率较低，并且生产出的产品良率也较低，增加了生产成本。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种TFT阵列基板及量子点发光二极管显示器件，用以优化现有的TFT阵列基板以及QD-LED器件结构和制备工艺，降低生产成本。本技术实施例提供了一种薄膜晶体管TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板的TFT结构中的源漏极直接设置于氧化物半导体层之上。本技术实施例提供了一种量子点发光二极管显示器件，包括下衬底基板；位于所述下衬底基板上的氧化物半导体层；直接设置于所述氧化物半导体层之上的源漏极，所述源漏极相对而置形成沟道结构；位于所述源漏极上的绝缘层，所述绝缘层与每个像素单元的开口区域对应的位置具有一个或多个微孔结构；位于所述绝缘层的微孔结构中的量子点发光层；位于所述绝缘层上的透明电极；直接设置于所述透明电极之上且位于所述沟道结构上方的栅极；以及，位于所述栅极上的上衬底基板。本技术实施例的有益效果包括本技术实施例提供的一种TFT阵列基板及量子点发光二极管显示器件，采用半色调掩膜板以及双氧水刻蚀液，可以通过一次构图工艺分别在氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在源漏极层形成源漏极的图形，这样，就可以在TFT结构中将源漏极直接设置在氧化物半导体层之上，不用在两者之间设置刻蚀阻挡层；并将该TFT结构的顶栅型结构应用于QD-LED显示器件的结构中，能实现结构简单的TFT阵列基板以及QD-LED器件，节省其制作工艺流程，降低了生产成本。附图说明图1为本技术实施例提供的QD-LED的结构示意图之一；图2为本技术实施例提供的QD-LED的结构示意图之二 ；图3为本技术实施例提供的QD-LED的结构示意图之三；图4为本技术实施例提供的QD-LED制备方法的流程图。具体实施方式以下结合附图，对本技术实施例提供的TFT阵列基板及量子点发光二极管显示器件的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和区域大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本技术实施例提供的一种TFT阵列基板中，在TFT阵列基板的TFT结构中的源漏极直接设置于氧化物半导体层之上，省去了在两者之间设置的刻蚀阻挡层。具体地，源漏极的材料一般为铜Cu 或钥Mo等金属。具体地，本技术实施例提供的上述TFT结构可以应用于顶栅型TFT阵列基板，也可应用于底栅型TFT阵列基板，在不做限定。本技术实施例提供的上述TFT阵列基板的制备方法，具体为依次形成氧化物半导体层和源漏极，其中，源漏极一般由金属铜Cu或钥Mo制成；采用半色调掩膜板以及第一双氧水刻蚀液，通过一次构图工艺分别在氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在源漏极层形成源漏极的图形。具体地，该第一双氧水刻蚀液具体包括双氧水、源漏极层离子络合剂、双氧水的稳定剂以及表面活性剂，且该第一双氧水刻蚀液的PH值在6-8之间。其中，双氧水的含量为5%_20%之间，表面活性剂的含量在1%_10%之间，源漏极层离子络合剂的含量具体根据所需要刻蚀掉的源漏极材料的量而定。使用上述刻蚀液刻蚀源漏极层时不会刻蚀氧化物半导体材料，因此，在源漏极和氧化物半导体之间就不需要制备一层保护氧化物半导体不被刻蚀的刻蚀阻挡层，相对于现有的膜层结构节省了掩膜板和制备工艺，从而能够节省成本。具体地，本技术实施例还提供了一种利用上述TFT结构的量子点发光二极管显示器件，如图1和图2所示，包括下衬底基板I;位于下衬底基板I上的氧化物半导体层3 ；直接设置于氧化物半导体层3之上的源漏极4和5，源漏极4和5相对而置形成沟道结构；位于源漏极4和5上的绝缘层6，绝缘层与每个像素单元的开口区域对应的位置具有一个或多个微孔结构；其中，图1示出了一个微孔结构的QD-LED器件，图2示出了多个微孔结构的QD-LED器件；位于绝缘层6的微孔结构中的量子点发光层7 ；位于绝缘层6上的透明电极8 ；直接设置于透明电极8之上且位于沟道结构上方的栅极9 ;以及，位于栅极9上的上衬底基板11。本技术实施例提供的上述QD-LED器件，其工作原理如下在栅极9通电时，与栅极9相连的透明电极8向量子点发光层7注入空穴载流子，同时在栅极9下方的氧化物半导体3中会形成一条电流通道，电子载流子从漏极5通过电流通道经过源极4注入量子点发光层7，空穴和电子载流子在量子点发光层7复合导致发光。本技术实施例提供的上述QD-LED器件，在具体实施时，可以使用半色调掩膜板或灰色调掩膜板，利用一次构图工艺分别在源漏极层形成源极和漏极的图形，在氧化物半导体层形成有源层的图形，具体地，在本次构图工艺中对源漏极层所使用的刻蚀液的成分包括双氧水、源漏极离子络合剂、双氧水的稳定剂，以及表面活性剂，且该刻蚀液的PH值在6-8之间；其中双氧水的含量为5%-20%之间，表面活性剂的含量在1%_10%之间，源漏极离子络合剂的含量具体根据所需要刻蚀掉的源漏极的量而定。使用上述刻蚀液刻蚀源漏极时不会刻蚀氧化物半导体材料，因此，在源漏极和氧化物半导体之间就不需要制备一层保护氧化物半导体不被刻蚀的保护层，相对于现有的膜层结构节省了掩膜板和制备工艺，从而能够节省成本。同理，制备透明电极的材料可以为ITO或ΙΖ0，制备栅极的材料可以为金属Mo，这样，就可以使用半色调掩膜板或灰色调掩膜板，利用一次构图工艺分别在栅极层形成栅极的图形，在ITO或IZO层形成电极的图形。具体地，在本次构图工艺中对栅极层所使用的刻蚀液的成分包括双氧水、栅极离子络合剂、双氧水的稳定剂，以及表面活性剂，且该刻蚀液的PH值在6-8之间；其中双氧水的含量为5%-20%之间，表面活性剂的含量在I % -10%之间，栅极离子络合剂的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板的TFT结构中的源漏极直接设置于氧化物半导体层之上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管TFT阵列基板，其特征在于，在所述TFT阵列基板的TFT结构中的源漏极直接设置于氧化物半导体层之上。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述源漏极的材料为铜Cu或钥Mo。3.一种量子点发光二极管显示器件，其特征在于，包括 下衬底基板； 位于所述下衬底基板上的氧化物半导体层； 直接设置于所述氧化物半导体层之上的源漏极，所述源漏极相对而置形成沟道结构；位于所述源漏极上的绝缘层，所述绝缘层与每个像素单元的开口区域对应的位置具有一个或多个微孔结构； 位于所述绝缘层的微孔结构中的量子点发光层； 位于所述绝缘层上的透明电极； 直接设置于所述透明电极之上且位于所述沟道结构上方的栅极；以及， 位于所述栅极上的上衬底基板。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚琪，戴天明，张锋，曹占锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：