一种阵列基板及制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可减少构图工艺次数，从而提升量产产品的产能，降低成本；该方法包括：在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极的图案层、以及包括栅电极、栅线和栅线引线的图案层；在基板上依次形成绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层，其中第一过孔位于所述栅线引线上方，第二过孔位于第一电极图案层上方；在基板上形成包括数据线、源电极和漏电极的图案层；在基板上形成包括钝化层的图案层；在基板上形成包括第二电极的图案层。用于制备阵列基板、显示装置等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及制备方法、显示装置。
技术介绍
随着TFT-LCD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)显示技术的不断发展，越来越多的新技术不断地被提出和应用，例如高分辨率、高开口率、GOA(Gate on Array，阵列基板行驱动)技术等。目前，对于TFT-LCD而言，现有技术中对于高级超维场转换(ADvanced-Super Dimensional Switching,简称为ADS)型阵列基板通常需要栅金属层掩膜，有源层掩膜，栅绝缘层掩膜，第一电极层掩膜，源漏金 属层掩膜，钝化层掩膜以及第二电极层掩膜构图工艺来制造，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。现有技术中第一电极层需要单独的一次构图工艺，带有过孔的栅绝缘层图案层和有源层图案层分别需要一次构图工艺。然而，构图工艺的次数过多将直接导致产品的成本上升以及量产产品的产能降低，因此如何能够进一步减少构图工艺的次数也就成为了人们日益关注的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及制备方法、显示装置，通过将包括第一电极、栅电极、栅线和栅线引线的图案层在一次构图工艺中形成以及将带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层在一次构图工艺中形成来减少构图工艺次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案第一方面，提供了一种阵列基板的制备方法，包括步骤1、在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极的图案层、以及包括栅电极、栅线和栅线引线的图案层；步骤2、在完成前述步骤的基板上依次形成绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层，其中，所述第一过孔位于所述栅线引线上方，所述第二过孔位于所述第一电极图案层上方；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括数据线、源电极和漏电极的图案层；步骤4、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。第二方面，提供一种阵列基板，包括设置在基板上的包括第一电极图案层的第一电极层、包括栅极、栅线及栅线引线图案层的栅金属层、带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层、有源层、以及源漏金属层，其中所述第一过孔位于所述栅线引线上方；进一步地，所述第一电极层还包括设置于所述栅极、栅线及栅线引线图案层下方的透明导电图案层。第三方面，提供一种显示装置，包括上述第二方面的阵列基板。本专利技术实施例提供了一种阵列基板及制备方法、显示装置，通过一次构图工艺处理形成包括第一电极的图案层和包括栅极、栅线和栅线引线的图案层，以及通过一次构图工艺处理形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层，与现有技术中通过两次构图工艺处理分别形成第一电极的图案层及栅极、栅线和栅线引线的图案层，以及通过两次构图工艺处理分别形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和所述有源层的图案层相比，本专利技术实施例减少构图工艺的次数，从而提升量产产品的产能，降低成本。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；图2 图7为本专利技术实施例一提供的一种形成包括第一电极的图案层和包括栅极、栅线及栅线引线的图案层的过程示意图；图8 图13为本专利技术实施例一提供的一种形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层和有源层的过程示意图； 图14为本专利技术实施例一提供的一种阵列基板的示意图；图15为本专利技术实施例一提供的另一种阵列基板的示意图；图16为本专利技术实施例一提供的一种包括钝化层的一种阵列基板的示意图；图17为本专利技术实施例一提供的一种包括第二电极层的一种阵列基板的示意图。附图标记11-透明导电薄膜，Ila-第一电极，Ilb-透明导电图案层；12-金属薄膜，12a_栅极，12b-栅线引线；13-光刻胶，13a-光刻胶完全保留部分，13b-光刻胶半保留部分，13c-光刻胶完全去除部分；14_第一灰色调掩膜板，14a-不透明部分，14b-半透明部分，14c-透明部分；16_绝缘薄膜，16a-第一过孔，16b-第二过孔，16c-栅绝缘层；17_有源层薄膜，17a-有源层；18_第二灰色调掩膜板；19a-源电极,19b-漏电极,19c-源漏金属层保留图案层；20a_第二过孔,20-纯化层；21_第二电极。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括步骤1、在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极、栅电极、栅线和栅线引线的图案层；步骤2、在完成前述步骤的基板上依次形成绝缘薄膜和半导体薄膜，通过构图工艺形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层；其中，所述第一过孔位于所述栅线引线上方，所述第二过孔位于所述第一电极图案层上方；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括数据线、源电极和漏电极的图案层；步骤4、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案jz O O需要说明的是，所述第一电极的图案层、栅电极、栅线和栅线引线的图案层、带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层、数据线、源电极和漏电极的图案层是构成阵列基板的必不可少的图案层；对于ADS型阵列基板，钝化层的图案层、第二电极的图案层也是必不可少的图案层。此外，在本专利技术所有实施例中所述一次构图工艺是对应于一次掩膜工艺来说的，应用一次掩膜板制作完成某些图案层称为进行了一次构图工艺。在本专利技术实施例中，通过一次构图工艺处理形成包括第一电极的图案层和栅极、栅线及栅线引线的图案层，以及通过一次构图工艺处理形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层，与现有技术中通过两次构图工艺处理分别形成第一电极的图案层和栅极、栅线及栅线引线的图案层，以及通过两次构图工艺处理分别形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层和所述有源层的图案层相比，本专利技术实施例减少构图工艺的次数，从而提升量产产品的产能，降低成本 实施例一，一种阵列基板的制备方法，如图1所示，包括如下步骤S10、在基板上依次制作透明导电薄膜11和金属薄膜12，并在所述金属薄膜12上涂覆光刻胶13，形成如图2所示的基板。具体的，可以先利用化学汽相沉积法在整个玻璃基板上沉积一层厚度在丨OOA至1000人之间的透明导电薄膜层11，之后可以使用磁控溅射方法，在基板上制备一层厚度在丨OOOA至7000人的金属薄膜12 ;其中，常用的透明导电薄膜11可以为IT0(Indium TinOxides,铟锡氧化物)或IZO(Indium Zinc Oxide,铟锌氧化物)薄膜,金属薄膜12的金属材料通常可以采用钥、铝、铝镍合金、钥钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。S11、利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，包括：步骤1、在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极的图案层、以及包括栅电极、栅线和栅线引线的图案层；步骤2、在完成前述步骤的基板上依次形成绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层；其中，所述第一过孔位于所述栅线引线上方，所述第二过孔位于所述第一电极图案层上方；步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括数据线、源电极和漏电极的图案层；步骤4、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层；步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法,包括 步骤1、在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过构图工艺形成包括第一电极的图案层、以及包括栅电极、栅线和栅线引线的图案层； 步骤2、在完成前述步骤的基板上依次形成绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺形成带有第一过孔和第二过孔的栅绝缘层的图案层和有源层的图案层；其中，所述第一过孔位于所述栅线引线上方，所述第二过孔位于所述第一电极图案层上方； 步骤3、在完成前述步骤的基板上形成包括数据线、源电极和漏电极的图案层； 步骤4、在完成前述步骤的基板上形成包括钝化层的图案层； 步骤5、在完成前述步骤的基板上形成包括第二电极的图案层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤I的构图工艺包括 在所述金属薄膜上涂覆光刻胶； 采用第一灰色调掩膜板或第一半色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分至少对应待形成的所述栅电极、栅线和栅线引线的图案层的区域，所述光刻胶半保留部分对应待形成的所述第一电极的图案层的区域，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域； 采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的所述金属薄膜和所述透明导电薄膜，形成所述栅极、栅线和栅线引线的图案层以及所述栅极、栅线和栅线引线的图案层下方的透明导电图案层、所述第一电极的图案层、以及所述第一电极的图案层上方的部分金属薄膜； 采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶； 采用刻蚀工艺去除露出的所述第一电极图案层上方的部分金属薄膜； 采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：