【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种LED芯片结构，尤其是一种改善静电防护的发光二极管的结构，属于LED芯片
技术介绍
静电学是十八世纪以库仑定律为基础建立起来的，以研究静止电荷及磁场作用规律的学科，是物理学中电磁学的一个重要组成部分。静电是在我们平时生活中到处存在的，但是在二十世纪40-50年代，半导体产业很少有静电问题，因为那时是晶体三极管和二极管，而所产生的静电也不如现在普遍。在60年代，随着对静电非常敏感的MOS器件的出现，静电问题逐渐被人们所关注。70-90年代，随着集成电路的密度越来越大，一方面其二氧化硅膜的厚度越来越薄(微米一纳米)，其承受的静电电压越来越低；另一方面，产生和积累静电的材料如塑料，橡胶等大量使用，使得静电现象越来越普遍存在。在二十世纪中期，很多静电问题都是由于人们没有ESD (Electro-Staticdischarge，静电释放)意识而造成的。即使现在也有很多人怀疑ESD是否会对电子产品造成损坏，这是因为大多数ESD损害发生在人的感觉以外。因为人体对静电放电的感知电压约为3KV，而许多电子元件在几百伏甚至几十伏时就会损坏，通常电子器件对被E...
【技术保护点】
一种改善静电防护的发光二极管的结构，包括衬底（5）、N型半导体层（3）、P型半导体层（1）、第一电极（8）和第二电极（12），衬底（5）上依次设置缓冲层（4）和N型半导体层（3），缓冲层（4）覆盖于衬底（5）上，N型半导体层（3）覆盖于缓冲层（4）上，其特征是：所述N型半导体层（3）和缓冲层（4）区分成第一岛状结构（9）、第二岛状结构（10）和第三岛状结构（11）；在所述第二岛状结构（10）和第三岛状结构（11）上依次设置有源层（2）和P型半导体层（1），在第三岛状结构（11）上的P型半导体层（1）上设置透明导电层（6）；在所述第一岛状结构（9）、第二岛状结构（10）上的P...
【技术特征摘要】
1.一种改善静电防护的发光二极管的结构，包括衬底(5)、N型半导体层(3)、P型半导体层(I)、第一电极(8)和第二电极(12)，衬底(5)上依次设置缓冲层(4)和N型半导体层(3)，缓冲层(4)覆盖于衬底(5)上，N型半导体层(3)覆盖于缓冲层(4)上，其特征是所述N型半导体层(3)和缓冲层(4)区分成第一岛状结构(9)、第二岛状结构(10)和第三岛状结构(11);在所述第二岛状结构(10)和第三岛状结构(11)上依次设置有源层(2)和P型半导体层(1)，在第三岛状结构(11)上的P型半导体层(I)上设置透明导电层(6);在所述第一岛状结构(9)、第二岛状结构(10)上的P型半导体层(I)、透明导电层(6)上设置钝化层(7)，该钝化层(7)包覆第一岛状结构(9)、第一岛状结构(9)与第二岛状结构(10)之间的沟槽、第二岛状结构(10)与第三岛状结构(11)之间的沟槽、第二岛状结构(10)及第二岛状结构(10)上的P型半导体层(I)和有源层(2)、第三岛状结构(11)及第三岛状结构(11)上的透明导电层(6 )、P型半导体层(I)和有源层(2 );所述第一电极(8 )分别穿过钝化层(7 )与透明导电层(6)和第二岛状结构(11)中的N型半导体层(3)连接；所述第二电极(12)分别穿过钝化层(7)与第一岛状结构(9)中的N型半导体层(3)和第二岛状结构(10)上的P型半导体层(I)连接；所述第一电极(8)、第一岛状...
【专利技术属性】
技术研发人员：张淋，杜高云，邓群雄，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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