【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面发光的半导体发光二极管
本新型涉及一种半导体发光二极管,与US5216263A所揭露的半导体发光二极管同类型。
技术介绍
用LED及LED数组芯片显示图形符号已有数十年历史。其中,采用锌扩散或锌植入工艺向GaAs (砷化镓)基板上的厚η型GaAsP (磷砷化镓)层中送入锌,以此研制出(例如) 七段LED显示芯片,此项工艺沿用至今。在5mA电流强度下,其光强通常达到每段O. lmcd。 发射波长被材料限制在650-660nm (红色光)范围内,此波长范围内的人眼灵敏度仅为10%左右。·另有将可见光谱发射波长互不相同的较高效LED芯片(效率约为10%)予以组合排布的混合型LED显示组件。但此类组件受尺寸限制无法应用于狭小空间,例如,无法应用于光学设备的光路中。另有配备LED背光以显示图形符号的半透明IXD显示器。此等显示器通常体积较大,故其LED背光仅凭布置于载板上的分立LED或LED芯片数组而实现。数组中的LED既可集中控制,亦可单独控制。LED背光可实施为单色、多色或白色。为减小体积,必须对半导体层(磊晶结构)进行小型化结构化处理并调整其光学性能及电性能。除扩 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:柏恩·克罗斯,薇拉·艾柏罗希莫伐,多斯顿·敦克勒,
申请(专利权)人:耶恩聚合物系统公司,
类型:
国别省市:
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