锗光检测器制造技术

一种形成光检测器器件的方法包括在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层和所述衬底的一部分上形成锗(Ge)层；在所述Ge层上形成第二绝缘层；在所述Ge层中注入n型离子；构图所述n型Ge层；在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的一部分上形成覆盖绝缘层；加热所述器件以结晶所述Ge层而产生单晶n型Ge层以及形成电连接至所述单晶n型Ge层的电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光检测器。
技术介绍
光检测器为暴露于光源时会输出电流的器件。先前的金属-半导体-金属(MSM)结光检测器包括本征锗(Ge)层和电极对
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，一种形成光检测器器件的方法包括在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层和该衬底的一部分上形成锗(Ge)层；在该Ge层上形成第二绝缘层；在该Ge层中注入η型离子；构图该η型Ge层；在该第二绝缘层和该第一绝缘层的一部分上形成覆盖绝缘层；加热该器件以结晶该η型Ge层而产生单晶η型Ge层以及形成电连接至该单晶η型Ge层的电极。根据本专利技术的备选实施例，一种形成光检测器器件的方法包括在衬底上形成绝缘层；在该绝缘层和该衬底的一部分上形成锗(Ge)层；在该Ge层上形成第二绝缘层；构图该Ge层；在该第二绝缘层和该第一绝缘层的一部分上形成覆盖绝缘层；加热该器件以结晶该Ge层而产生单晶Ge层；在该单晶Ge层中注入η型离子；加热该器件以活化在该单晶Ge层中的η型离子以及形成电连接至该单晶η型Ge层的电极。根据本专利技术的另一备选实施例，一种形成光检测器器件的方法包括在衬底上外延形成单晶η型Ge层；在该单晶η型Ge层上形成第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴镇弘，S·阿塞法，金志焕，Y·弗拉索夫，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：