BSI图像传感器的晶圆级封装方法技术

本发明专利技术揭示了一种BSI图像传感器的晶圆级封装方法，所述方法包括：通过第一切刀对BSI图像传感器晶圆封装体进行第一次切割，分离相邻的BSI图像传感器的互连层；通过第二切刀对BSI图像传感器晶圆封装体进行第二次切割，以获得多个独立的BSI图像传感器；其中，所述第一切刀硬度大于所述第二切刀。与现有技术相比，本发明专利技术的BSI图像传感器的晶圆级封装方法有效的提升了封装后得到的BSI图像传感器的性能及信赖性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种BSI图像传感器的晶圆级封装方法。
技术介绍
随着芯片制造工艺和成像专用工艺的不断进步，促进了采用前面照度(FSI)技术的图像传感器的开发。FSI图像传感器如同人眼一样，光落在芯片的前面，然后通过读取电路和互连，最后被汇聚到光传感区中。FSI技术为目前图像传感器所采用的主流技术，具有已获证实的大批量生产能力、高可靠性和高良率以及颇具吸引力的性价比等优势，大大推动了其在手机、笔记本电脑、数码摄像机和数码相机等众多领域的应用。随着电子行业向轻薄短小的发展趋势，相应的芯片封装也起了很大的变化。过去30年中，聚光技术和半导体制造工艺的创新对图像传感器像素尺寸(Pixel size)产生了重大影响。例如，最初便携式摄像机采用的图像传感器为2.5微米像素尺寸，而如今，手机相机中传感器的像素尺寸只有1.4微米。目前，市场对像素尺寸的需求小至1.1微米、甚至0.65微米。而由于光波长不变，像素不断缩小，FSI图像传感器存在其物理局限性。为了解决这个问题，目前采用了背面照度(BSI,backside illumination)技术的图像传感器,如图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BSI图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述方法包括：通过第一切刀对BSI图像传感器晶圆封装体进行第一次切割，分离相邻的BSI图像传感器的互连层；通过第二切刀对BSI图像传感器晶圆封装体进行第二次切割，以获得多个独立的BSI图像传感器；其中，所述第一切刀硬度大于所述第二切刀。

【技术特征摘要】
1.一种BSI图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述方法包括: 通过第一切刀对BSI图像传感器晶圆封装体进行第一次切割，分离相邻的BSI图像传感器的互连层； 通过第二切刀对BSI图像传感器晶圆封装体进行第二次切割，以获得多个独立的BSI图像传感器；其中，所述第一切刀硬度大于所述第二切刀。2.根据权利要求1所述的BSI图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一切刀为金属刀，所述第二切刀为树脂刀。3.根据权利要求1所述的BSI图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一切刀的宽度大于所述第二切刀。4.根据权利要求3所述的BSI图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述“通过第二切刀对BSI图像传感器晶圆封装体进行第二次切割，以获得多个独立的BSI图像传感器”步骤前，还包括: 在BSI图像传感器晶圆的第二面一侧的最外层形成第二绝缘层。5.根据权利要求1所述的BSI图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，在“通过第一切刀对BSI图像传感器晶圆封装体进行第一次切割，分离相邻的BSI图像传感器的互连层”步骤前，还包括: 在BSI图像传感器晶圆的硅基底上形成焊垫开口和切割道开口，所述焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：王之奇，喻琼，王蔚，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：