一种降低影像传感器小丘的方法技术

本发明专利技术涉及一种降低影像传感器小丘的方法，包括淀积粘合层、铝遮蔽、破真空和淀积抗反射层，粘合层为一层厚度为20-100埃的金属钛层，且金属钛层上淀积有一层厚度为200-300埃的氮化钛层，铝遮蔽的厚度为1000-3000埃，抗反射层厚度为300-600埃。在铝淀积完成后进行破真空处理，即离开腔体依靠空气缓慢冷却，释放应力，为尽可能的减少对产能的影响，破真空的时间控制在20分钟至30分钟。本发明专利技术优化了铝遮蔽传统工艺，在铝淀积后采用破真空的方法来缓解铝薄膜的应力，解决小丘现象，本发明专利技术对比起传统铝遮蔽工艺，减少了小丘，降低了串扰，提高了传感器的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
铝的小丘(hillock)在集成电路的制造中比较常见，它主要形成于铝淀积后的退火工艺中，机理是铝淀积形成的压力在随后的热处理工艺工艺得到释放，由于各方向的膨胀收缩不一致，造成小丘现象。对于背照式CMOS影像传感器，铝主要应用为金属遮蔽，小丘(hillock)是需要避免的，否则则会造成传感器的色彩串扰问题，如图1所示正常情况需入射光通过滤光片进入其相对应的光电二极管(图1左)；如果小丘存在，入射光极易通过遮蔽的反射进入相邻的光电二极管(图1右)，造成串扰，使得图像失真，故需要避免。为了解决传感器制造产生小丘(hillock)的问题，需要对传统工艺进行改进。一般会采用别的金属(如钨等)来作为遮蔽，但是钨在淀积和干法蚀刻等方面需要开发新工艺，而铝是半导体厂房常用的机台与工艺，从成本等方面考虑，比其他技术遮蔽有优势。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供，通过优化制造工艺中的金属遮蔽工艺，减少小丘(hillock)，降低串扰，提高传感器的质量。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下，其特征在于包括以下步骤淀积粘合层在影 像传感器衬底上淀积一层粘合层；铝遮蔽在淀积腔体内将铝淀积在覆有粘合层的衬底上形成铝遮蔽；破真空将完成铝遮蔽的衬底从淀积腔体取出，通过空气慢慢冷却，释放应力；淀积抗反射层在铝遮蔽上淀积一层氮化钛形成抗反射层。在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进进一步，所述粘合层为金属钛层，所述金属钛层上淀积有氮化钛层。进一步，所述所述金属钛层厚度为20-100埃。进一步，所述在金属钛层上淀积的氮化钛层的厚度为200-300埃。进一步，所述铝遮蔽厚度为1000-3000埃。进一步，所述抗反射层厚度为300-600埃。进一步,所述破真空步骤中通过空气慢慢冷却的时间为20-30分钟。本专利技术的有益效果是本专利技术在招淀积后采用破真空的方法(vacuum break)来缓解招薄膜的应力，解决小丘现象。破真空(vacuum break)是指在招淀积完成后离开腔体依靠空气缓慢冷却，释放应力，再进行随后的抗反射层的淀积。本专利技术通过优化制造工艺中的金属遮蔽工艺，减少小丘(hillock)，降低串扰，提高传感器的质量。附图说明图1为传统工艺下制作的有小丘的背照式传感器接收入射光示意图；图2为本专利技术铝遮蔽工艺制作的无小丘的背照式传感器接收入射光示意图；图3为传统铝遮蔽工艺流程图；图4为本专利技术铝遮蔽工艺流程图。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。如图1所示，传统工艺下制作的背照式传感器有小丘现象，有小丘(hillock)情况下，入射光通过遮蔽的反射进入其对应的光电二极管相邻的光电二极管，会造成串扰，使得背照式CMOS影像传感器图像失真。如图2所示，本专利技术改进了传统的铝遮蔽工艺，制作出的背照式传感器避免了小丘现象，入射光通过滤光片进入其对应的光电二极管。图3为传统铝遮蔽工艺步骤，包括步骤101 :淀积粘合层，即在影像传感器衬底上淀积一层粘合层；步骤102 :铝遮蔽，即在淀积腔体内将铝淀积在覆有粘合层的衬底上形成铝遮蔽；步骤103 :淀积抗反射层，即在铝遮蔽上淀积一层氮化钛形成抗反射层。在铝淀积后的退火工艺中，铝淀积形成的压力在热处理工艺得到释放，由于各方向的膨胀收缩不一致，造成小丘现象，会造成传感器的色彩串扰问题。图4是本专利技术优化传统金属遮蔽工艺的新工艺步骤，包括步骤201淀积粘合层、步骤202铝遮蔽、步骤203破真 空、步骤204淀积抗反射层，粘合层为一层厚度为50埃的金属钛层，且金属钛层上淀积有一层厚度为250埃的氮化钛层，铝遮蔽的厚度为2000埃，抗反射层厚度为500埃。通过在步骤203铝遮蔽后采用步骤203破真空的方法(vacuum break)来缓解招薄膜的应力，解决小丘现象。破真空(vacuum break)是指在招淀积完成后离开腔体依靠空气缓慢冷却，释放应力，再进行随后的抗反射层的淀积，为尽可能的减少对产能的影响，破真空的时间控制在20分钟至30分钟较为合适。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低影像传感器小丘的方法，其特征在于包括以下步骤：淀积粘合层：在影像传感器衬底上淀积一层粘合层；铝遮蔽：在淀积腔体内将铝淀积在覆有粘合层的衬底上形成铝遮蔽；破真空：将完成铝遮蔽的衬底从淀积腔体取出，通过空气慢慢冷却；淀积抗反射层：在铝遮蔽上淀积一层氮化钛形成抗反射层。

【技术特征摘要】
1.一种降低影像传感器小丘的方法，其特征在于包括以下步骤 淀积粘合层在影像传感器衬底上淀积一层粘合层； 铝遮蔽在淀积腔体内将铝淀积在覆有粘合层的衬底上形成铝遮蔽； 破真空将完成铝遮蔽的衬底从淀积腔体取出，通过空气慢慢冷却； 淀积抗反射层在铝遮蔽上淀积一层氮化钛形成抗反射层。2.根据权利要求1所述降低影像传感器小丘的方法，其特征在于，所述粘合层为金属钛层，且所述金属钛层上淀积有氮化钛层。3.根据权利要求2所述降低影像传感器小丘的方法，其特征在于，所述金属钛层厚度为 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：李平，
申请(专利权)人：陆伟，
类型：发明
国别省市：