【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及影像传感器制造领域，具体涉及。
技术介绍
在背照式影像传感器的制造过程中，需要将晶圆的背面进行减薄，并利用表面处理避免表面缺陷来提升产品的性能，器件晶圆背面表面的处理对影像传感器的质量非常关键，如果存在表面缺陷，它会导致暗电流和白像素的产生，而现有的工艺使用的是蒸汽氧化物的方法来进行表面处理，虽然有一定的效果，但晶圆背面还是存在很大的缺陷，对后续的工艺和器件的性能都有很大的影响，这就要求对晶圆背面表面处理需要很大的提升空间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种影响传感器的制造方法，利用射频发生器发出的射频对去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:，包括器件晶圆平整度研磨，器件晶圆的键合，器件晶圆背面减薄，器件晶圆背面表面研磨，器件晶圆表面高介质层淀积，彩色滤光片和微透镜的安装，所述器件晶圆背面表面研磨采用射频发生器发出的射频激发去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理，所述射频发生器的射频功率范围为100 200瓦特。本专利技术的有益效果是:在背照式影像传感器的制造过程中，利用射频发生器发出的射频对去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理，减小了器件晶圆背面表面缺陷，提升了器件的性能。附图说明图1为本专利技术流程图；图2为本专利技术薄膜刻蚀速率与射频功率的坐标图。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。如图1所示，，包括步骤101器件晶圆平...
【技术保护点】
一种影像传感器的制造方法，包括器件晶圆平整度研磨，器件晶圆的键合，器件晶圆背面减薄，器件晶圆背面表面研磨，器件晶圆表面高介质层淀积，彩色滤光片和微透镜的安装，其特征在于：所述器件晶圆背面表面研磨采用射频发生器发出的射频激发去耦合化等离子体氧化物产生等离子对器件晶圆背面表面进行缺陷处理，所述射频功率低于200瓦特。
【技术特征摘要】
1.一种影像传感器的制造方法，包括器件晶圆平整度研磨，器件晶圆的键合，器件晶圆背面减薄，器件晶圆背面表面研磨，器件晶圆表面高介质层淀积，彩色滤光片和微透镜的安装，其特征在于:所述器件晶圆背面表面研磨采用射频发生器发...
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