阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。本实用新型专利技术实施例所述阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线；所述源极、漏极上包括树脂层、第一透明电极、钝化层、第二透明电极层；其中，所述第二透明电极层包括具有狭缝的第二透明电极和连接电极；还包括过孔，形成在所述树脂层和所述钝化层中，所述连接电极位于所述过孔中；所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。本实用新型专利技术实施例提供一种阵列基板及显示装置，用于减少掩膜版的使用数量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。其中，高级超维场转换(Advanced super Dimension Switch, ADS)型 TFT-LCD 具有宽视角、高开口率、高透过率等优点而被广泛的应用。ADS技术主要通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。其中HADS (高开口率-高级超维场转换)是ADS技术中的一种重要实现形式。目前，HADS阵列基板的制造过程一般需要经过六次掩膜版构图工艺，具体如下通过第一次掩膜版构图工艺形成栅极和栅线的图形；通过第二次掩膜版构图工艺形成有源层图形；通过第三次掩膜版构图工艺形成像素电极图形(即板状电极)；通过第四次掩膜版构图工艺形成数据线、源极、漏极和TFT沟道的图形；通过第五次掩膜版构图工艺形成钝化层的图形；通过第六次掩膜版构图工艺形成条状的公共电极图形(即狭缝电极)。如果为了提高性能而增加树脂层，则需要再增加一次掩膜版构图工艺。因此现有技术中，掩模板的使用数量较多，导致制造成本较高。
技术实现思路
`本技术实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线；所述源极、漏极上还包括树脂层、第一透明电极层、钝化层、第二透明电极层；其中，所述第二透明电极层包括具有狭缝的第二透明电极和连接电极；所述树脂层和所述钝化层上设有过孔，所述连接电极位于所述过孔中；所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。本技术进一步提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。与现有技术相比，本技术所提供的上述技术方案具有如下优点通过掩膜版构图工艺，刻蚀出第二透明电极的图形之后，继续刻蚀TFT沟道区域的漏极源极的图形和部分有源层的图形，形成漏极、源极和TFT沟道的图形。因此，本技术提供的技术方案实现了在一次掩膜版构图工艺中，形成第二透明电极的图形，以及漏极、源极和TFT沟道的图形，从而节省了掩膜版的使用数量，降低了阵列基板的制造成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的实施例1中第一次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图2为图1中A-A向的剖面示意图；图3为本技术的实施例1中第二次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图4为图3中A-A向的剖面示意图；图5为本技术的实施例1中第三次掩膜版构图工艺之后的平面示意·图6为图5中A-A向的剖面示意图；图7为本技术的实施例1中第四次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图8为图7中A-A向的剖面示意图；图9为本技术的实施例1中第五次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图10为图9中A-A向的剖面示意图；图11为本技术的实施例2中第三次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图12为图11中A-A向的剖面示意图；图13为本技术的实施例2中第四次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图14为图13中A-A向的剖面示意图；图15为本技术的实施例2中第五次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图16为图15中A-A向的剖面示意图；图17为本技术的实施例3中第三次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图18为图17中A-A向的剖面示意图；图19为本技术的实施例3中第四次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图20为图19中A-A向的剖面示意图；图21为本技术的实施例3中第五次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图22为图21中A-A向的剖面示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1 :本专利技术实施例所提供的阵列基板的制造方法,具体为高级超维场转换(Advancedsuper Dimension Switch,简称ADS)阵列基板的制造方法。本专利技术以HADS阵列基板为例，即公共电极为狭缝电极层，进行说明。本技术实施例所提供的HADS阵列基板的制造方法，具体可以包括SlOl :如图1和图2所示，在(玻璃)基板I上形成栅极的图形。具体的，采用磁控溅射或热蒸发的成膜方法，在基板I上沉积栅极金属层。其中，栅极金属层的厚度优选可以为1000 6000人,栅极金属层的材料可以采用钥、铝、铝镍合金、钥钨合金、铬、铜中的一种或多种组合。在栅极金属层上涂覆一层光刻胶，经过第一次掩膜版工艺曝光并显影之后，在栅线20和栅极2的图形所在区域形成光刻胶完全保留区域，其余区域形成光刻胶完全去除区域。通过湿法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的栅极金属层进行刻蚀，形成栅线20和栅极2的图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第一次掩膜版构图工艺，如图1和图2所示。S102 :如图3和图4所示，在基板I上形成栅绝缘层3、有源层的图形和漏极源极6的图形。优选的，有源层的图形中具体包括半导体层4的图形和掺杂半导体层5的图形，其中掺杂半导体层5的图形覆盖在半导体层4的图形上方。具体的，利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法，依次在玻璃基板上沉积栅绝缘层3、半导体层4和掺杂半导体层5，再利用磁控溅射或热蒸发的成膜方法，沉积漏极源极金属层。其中，栅绝缘层3的材 料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化物等；漏极源极金属层可以采用钥、铝、铝镍合金、钥钨合金、铬、铜中的一种或多种组合，其厚度优选为1000 6000A。 在漏极源极金属层上涂覆一层光刻胶，经过第二次掩膜版工艺曝光并显影之后，在数据线60和漏极源极6的图形所在区域形成光刻胶完全保留区域，其余区域形成光刻胶完全去除区域。通过湿法刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶完全去除区域的漏极源极金属层，形成数据线60和漏极源极6的图形；再通过干法刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶完全去除区域的掺杂半导体层5和半导体层4，形成有源层的图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第二次掩膜版构图工艺，如图3和图4所示。S103 :如图5和图6所示，在基板I上形成第一透明电极的图形，本实施例中第一透明电极呈平板状，并作为阵列基板中的像素电极7。具体的，利用磁控溅射或热蒸发的成膜方法，在基板I上沉积像素电极层(第一透明电极层)。像素电极层可以采用氧化铟锡(Ι )、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线；其特征在于：所述源极、漏极上包括树脂层、第一透明电极、钝化层、第二透明电极层；其中，所述第二透明电极层包括具有狭缝的第二透明电极和连接电极；还包括过孔，形成在所述树脂层和所述钝化层中，所述连接电极位于所述过孔中；所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线.其特征在于所述源极、漏极上包括树脂层、第一透明电极、钝化层、第二透明电极层； 其中，所述第二透明电极层包括具有狭缝的第二透明电极和连接电极；还包括过孔，形成在所述树脂层和所述钝化层中，所述连接电极位于所述过孔中； 所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述过孔穿过所述第一透明电极，所述第一透明电极在所述过孔的侧壁与所述连接电极形成电连接，所述漏极在所述过孔的底...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙双，崔承镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：