本发明专利技术提供一种具有高可靠性的陶瓷电子部件，该陶瓷电子部件包括外部电极，该外部电极具有：在陶瓷基体之上形成的基底电极层、和在基底电极层之上形成的Cu镀膜。陶瓷电子部件(1)包括：陶瓷基体(10)、和外部电极(13、14)。外部电极(13、14)被形成在陶瓷基体(10)之上。外部电极(13、14)具有：基底电极层(15)、和第一Cu镀膜(16)。基底电极层(15)被形成在陶瓷基体(10)之上。第一Cu镀膜(16)被形成在基底电极层(15)之上。基底电极层(15)包括：能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料。在第一Cu镀膜(16)的至少基底电极层(15)侧的表层中扩散有能扩散进Cu中的金属。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。特别地，本专利技术涉及一种可优选作为嵌入布线基板中使用的嵌入型陶瓷电子部件而使用的。
技术介绍
近年来，随着便携式电话和便携式音乐播放器等电子设备的小型化和薄型化，搭载在电子设备中的布线基板的小型化正在被推进。作为使布 线基板小型化的方法，例如在下述的专利文献I中提案有，将陶瓷电子部件嵌入布线基板的内部，并且利用形成在陶瓷电子部件之上的通孔(via hole)导体构成向陶瓷电子部件的布线的方法。根据此方法，不仅不需要确保在布线基板的表面上配置陶瓷电子部件的区域，而且不需要区别于设置陶瓷电子部件的区域，另外确保设置向陶瓷电子部件的布线的区域。因此，能使得部件内置布线基板小型化。陶瓷电子部件连接用的通孔，例如使用CO2激光器等的激光器来形成。在使用激光器形成通孔的情况下，激光会被直接照射到陶瓷电子部件的外部电极上。为此，优选外部电极具有以高的反射率反射激光的Cu镀膜。这是因为，如果外部电极对激光的反射率低，则激光一直达到陶瓷电子部件的内部，常常会损伤陶瓷电子部件。专利文献I JP特开2002-100875号公报
技术实现思路
但是，对于嵌入布线基板的内部的陶瓷电子部件，基于减薄布线基板的厚度的观点，强烈要求其低背化(low profile)。作为使陶瓷电子部件低背化的方法，优选通过将外部电极中位于陶瓷基体的正上方的基底电极层与包含内部电极的陶瓷基体同时进行焙烧、即共同烧制(co-fire: 3' 7 τ^ 了 )来形成。这是因为，这样相比例如通过烧结由浸溃所涂敷的导电膏来形成基底电极层的情况，能减小基底电极层的最大厚度。但是，在通过共同烧制来形成基底电极层的时候，为了确保陶瓷基体和基底电极层之间的高的密合性，而必须增多陶瓷材料等的陶瓷粘合材料在基底电极层中的含量。但是，如果增多基底电极层中的陶瓷粘合材料的含量，则基底电极层中的金属成分的含量就会减少。为此，基底电极层、和形成在基底电极层之上的镀层之间的密合性就会下降。因此，存在电子部件的可靠性会下降这样的问题。鉴于这样的问题点进行本专利技术，其目的在于，提供一种具有高可靠性的陶瓷电子部件，该陶瓷电子部件包括外部电极，该外部电极具有:形成在陶瓷基体之上的基底电极层、和形成在基底电极层之上的Cu镀膜。本专利技术的陶瓷电子部件包括:陶瓷基体和外部电极。外部电极被形成在陶瓷基体之上。外部电极具有:基底电极层、和第一 Cu镀膜。基底电极层被形成在陶瓷基体之上。第一 Cu镀膜被形成在基底电极层之上。基底电极层包含:能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料。在第一 Cu镀膜的至少基底电极层侧的表层中扩散有能扩散进Cu中的金属。根据本专利技术的陶瓷电子部件的某一特定方面，在第一 Cu镀膜中存在有晶界(grain boundary)。能扩散进Cu中的金属沿第一 Cu镀膜的晶界扩散。根据本专利技术的陶瓷电子部件的另一特定方面，能扩散进Cu中的金属，一直扩散到第一 Cu镀膜的与基底电极层相反侧的表面。根据此结构，可进一步提高第一 Cu镀膜和基底电极层之间的密合性。根据本专利技术的陶瓷电子部件的再一特定方面，能扩散进Cu中的金属是从由N1、Ag、Pd、及Au组成的组中选出的一种以上的金属。根据本专利技术的陶瓷电子部件的再又一特定方面，外部电极还具有形成在第一 Cu镀膜之上的第二 Cu镀膜，在第二 Cu镀膜中未扩散有能扩散进Cu中的金属。在此结构中，由于设置有能扩散进Cu中的金属未进行扩散的第二 Cu镀膜，所以可进一步提高射入外部电极中的激光在外部电极中的反射率。为此，即使在激光照射到外部电极的情况下，也很难损伤陶瓷基体。因此，可优选作为嵌入型陶瓷电子部件使用。根据本专利技术的陶瓷电子部件的又一特定方面，Cu从第一 Cu镀膜扩散进基底电极层中。此情况下，可进一步提高基底电极层和第一 Cu镀膜之间的密合性。根据本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法，涉及具备陶瓷基体和形成在陶瓷基体之上的外部电极的陶瓷电子部件的制造方法。根据本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法，在陶瓷基体之上形成包含能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料在内的基底电极层，并且在基底电极层之上形成第一 Cu镀膜。此后，通过对基底电极层和第一 Cu镀膜进行加热，从而使得能扩散进Cu中的金属扩散进第一 Cu镀膜的至少基底电极层侧的表层中，由此形成外部电极。根据本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法的某一特定方面，通过对基底电极层和第一 Cu镀膜进行加热，使得能扩散进Cu中的金属扩散进第一 Cu镀膜的至少基底电极层侧的表层中，之后，通过在第一 Cu镀膜之上进一步形成第二 Cu镀膜，来形成外部电极。此情况下，由于设置有能扩散进Cu中的金属未进行扩散的第二 Cu镀膜，所以能够制造可进一步提高射入外部电极中的激光在外部电极中的反射率并可作为嵌入型陶瓷电子部件优选使用的陶瓷电子部件。根据本专利技术的陶瓷电子部件的制造方法的另一特定的方面，通过将基底电极层和第一 Cu镀膜加热到350°C 800°C，使得能扩散进Cu中的金属扩散进第一 Cu镀膜的至少基底电极层侧的表层中，由此来形成外部电极。此情况下，更适合能扩散进Cu中的金属进行扩散。专利技术效果根据本专利技术，在第一 Cu镀膜的至少基底电极层侧的表层中扩散有能扩散进包含在基底电极层中的Cu中的金属。为此，可提高基底电极层和第一 Cu镀膜之间的密合性。因此，可提高陶瓷电子部件的可靠性。附图说明图1是第一实施方式的陶瓷电子部件的概括斜视图。图2是第一实施方式的陶瓷电子部件的概括侧面图。图3是图1的线II1-1II的概括剖面图。图4是放大由图3的线IV所包围的部分的概括剖面图。图5是放大第一外部电极的一部分的示意剖面图。图6是图3的线V1-VI的概括剖面图。图7是形成了导电图形的陶瓷生片的概括平面图。图8是母叠层体的概括平面图。图9是放大第二实施方式的陶瓷电子部件的一部分的概括剖面图。图10是第三实施方式的陶瓷电子部件的概括剖面图。图11是第四实施方式的陶瓷电子部件的概括剖面图。图12是第五实施方式的陶瓷电子部件的概括侧面图。图13是第六实施方式的陶瓷电子部件的概括剖面图。图14是沿第七实施方式的陶瓷电子部件的高度方向H及长度方向L的概括剖面图。图15是沿第七实施方式的陶瓷电子部件的高度方向H及长度方向L的概括剖面图。图16是放大变化例中的第一外部电极的一部分的示意剖面图。符号说明1-陶瓷电子部件，10-陶瓷基体，IOa-陶瓷基体的第一主面，IOb-陶瓷基体的第二主面，IOc-陶瓷基体的第一侧面，IOd-陶瓷基体的第二侧面，IOe-陶瓷基体的第一端面，IOf-陶瓷基体的第二端面，IOg-陶瓷层，11-第一内部电极，12-第二内部电极，13-第一外部电极，13a-第一外部电极的第一部分，13b-第一外部电极的第二部分，13c-第一外部电极的第三部分，14-第二外部电极，14a-第二外部电极的第一部分，14b-第二外部电极的第二部分，14c-第二外部电极的第三部分，15-基底电极层，15a-晶界，16-第一 Cu镀膜，17-第二 Cu镀膜，20-陶瓷生片，21-导电图形，22母叠层体，23-导电图形，31、32_通孔电极。具体实施例方式第一实施方式下面，例举图1所示的陶瓷电子部件I说明本专利技术的优选实施方式。但是，陶瓷电子部件I只不过是本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种陶瓷电子部件，包括：陶瓷基体、和在上述陶瓷基体之上形成的外部电极，该陶瓷电子部件的特征在于，上述外部电极具有：在上述陶瓷基体之上形成的基底电极层、和在上述基底电极层之上形成的第一Cu镀膜，上述基底电极层包含：能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料，在上述第一Cu镀膜的至少上述基底电极层侧的表层中扩散有上述能扩散进Cu中的金属，在上述第一Cu镀膜的表面上并未形成氧化膜。
【技术特征摘要】
2010.05.27 JP 2010-121867;2011.02.23 JP 2011-03681.一种陶瓷电子部件，包括:陶瓷基体、和在上述陶瓷基体之上形成的外部电极，该陶瓷电子部件的特征在于， 上述外部电极具有:在上述陶瓷基体之上形成的基底电极层、和在上述基底电极层之上形成的第一 Cu镀膜， 上述基底电极层包含:能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料， 在上述第一 Cu镀膜的至少上述基底电极层侧的表层中扩散有上述能扩散进Cu中的金属， 在上述第一 Cu镀膜的表面上并未形成氧化膜。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于， 在上述第一 Cu镀...
【专利技术属性】
技术研发人员：西坂康弘，真田幸雄，佐藤浩司，松本诚一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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