【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米材料制备
,特别涉及。
技术介绍
ZnO是一种宽禁带的半导体材料,其禁带宽度为3.37 eV,室温下的激子束缚能高达60meV,具有优良的热稳定性及良好光电特性,使其在光电子器件,尤其是在染料敏化太阳电池(DSSC)中具有潜在的应用价值。作为染料敏化太阳电池光阳极材料,一维的ZnO纳米线或纳米棒阵列已得到广泛研究。这类阵列结构的光阳极具有快速的电子直线传输通道,能有效避免电子的复合损耗,但另一方面,这类单一的纳米结构形态使得光阳极比表面积难以得到有效提高,限制了染料的装载量,因而电池的光电转换效率较低。同时二维的ZnO纳米片阵列因其具有较大的比表面积,也广泛地应用于染料敏化太阳能电池领域。因此,我们所制备出的ZnO纳米柱阵列和ZnO纳米片层阵列的复合结构同时兼具了纳米阵列结构的电子直线传输通道功能,又尽可能地提高光阳极的比表面积,保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力,将极大地提高DSSC电池的效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供。一种ZnO纳 米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料的制备方法,包括具体步骤如下:a.清洗导电玻璃衬底,得到清洁的导电玻璃衬底,在干燥箱中于60°C进行干燥处理;b.将0.02 0.03M的ZnNO3.水溶液与0.02 0.03M的乌洛托品水溶液按体积比1:1混合均勻;c.采用水热合成反应方法,将步骤a中处理后的导电玻璃衬底和氧化铝薄片同时分开放入内衬为聚四氟乙烯的高压反应釜中,同时将步骤b得到的混合溶液倒入高压反应釜中,在干燥箱中6(Tl00°C反应6 10小时;d.反应完成后,自然冷却,将步骤c ...
【技术保护点】
一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料的制备方法,其特征在于,包括具体步骤如下:a.?清洗导电玻璃衬底,得到清洁的导电玻璃衬底,在干燥箱中于60℃进行干燥处理;b.?将0.02~0.03M的Zn(NO3)2水溶液与0.02~0.03M的乌洛托品水溶液按体积比1:1混合均匀;?c.?采用水热合成反应方法,将步骤a中处理后的导电玻璃衬底和氧化铝薄片同时分开放入内衬为聚四氟乙烯的高压反应釜中,同时将步骤b得到的混合溶液倒入高压反应釜中,在干燥箱中60~100℃反应6~10小时;d.?反应完成后,自然冷却,将步骤c中的导电玻璃衬底用酒精和去离子水清洗得到一层透明的ZnO薄膜,最后在干燥箱中进行干燥,得到ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料。
【技术特征摘要】
1.一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料的制备方法,其特征在于,包括具体步骤如下: a.清洗导电玻璃衬底,得到清洁的导电玻璃衬底,在干燥箱中于60°C进行干燥处理; b.将0.02 0.03M的Zn (NO3)2水溶液与0.02 0.03M的乌洛托品水溶液按体积比1:1混合均勻; c.采用水热合成反应方法,将步骤a中...
【专利技术属性】
技术研发人员:李美成,姜永健,余航,李晓丹,余悦,赵兴,
申请(专利权)人:华北电力大学,
类型:发明
国别省市:
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