非易失性存储器件及其编程方法和包括其的存储器系统技术方案

公开了一种编程方法和非易失性存储器件。所述方法包括：接收要被编程在存储器单元中的编程数据；读取存储器单元以便判断擦除状态和至少一个编程状态；执行状态读取操作，其中，所述至少一个编程状态被使用多个状态读取电压读取；和，根据状态读取操作的结果，使用具有不同电平的多个验证电压把编程数据编程在存储器单元中。还公开了使用多个验证电压的方法，基于在编程之后可能影响阈值电压偏移或者代表存储器单元的数据的其他特性的因素来选择所述验证电压。

【技术实现步骤摘要】

这里描述的专利技术概念涉及半导体存储器件，更具体地，涉及非易失性存储器件的编程方法和包括所述非易失性存储器件的存储器系统。
技术介绍
可以使用诸如娃(Si )、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等的半导体来制造半导体存储器件。半导体存储器件被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在其被关断或者失去电源时可能丢失存储的数据。易失性存储器件包括静态RAM (SRAM)、动态RAM (DRAM)、同步DRAM (SDRAM)，等等。非易失性存储器件即使在被关断或者失去电源时也可以保持所存储的内容。非易失性存储器件包括只读存储器(ROM)、可编程ROM (PROM)、电可编程ROM (EPROM)、电可擦除可编程ROM (EEPR0M)、快闪存储器、相变RAM (PRAM)、磁RAM (MRAM)、电阻RAM (RRAM)、铁电RAM (FRAM)，等等。快闪存储器件包括NOR型快闪存储器和NAND型快闪存储器。近来，已经发展了具有三维存储器阵列结构的半导体存储器件。
技术实现思路
示范性实施例提供了一种非易失性存储器件的编程方法，其包含接收要被编程在存储器单元中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种编程非易失性存储器件的方法，包含：（a）确定第一存储器单元晶体管的阈值电压从被编程状态偏移的趋势；（b）响应于所述确定，从多个验证电压选择第一验证电压；和（c）编程第一存储器单元晶体管以改变第一存储器单元晶体管的阈值电压，所述编程包括：使用第一验证电压来验证第一存储器单元晶体管的阈值电压已经被充分改变，其中，确定第一存储器单元晶体管的阈值电压偏移的趋势的步骤（a）包含确定第一存储器单元晶体管的阈值电压偏移到第一范围之外。

【技术特征摘要】
2011.10.13 KR 10-2011-0104753;2012.10.10 US 13/641.一种编程非易失性存储器件的方法，包含 Ca)确定第一存储器单元晶体管的阈值电压从被编程状态偏移的趋势； (b)响应于所述确定，从多个验证电压选择第一验证电压；和 (c)编程第一存储器单元晶体管以改变第一存储器单元晶体管的阈值电压，所述编程包括使用第一验证电压来验证第一存储器单元晶体管的阈值电压已经被充分改变， 其中，确定第一存储器单元晶体管的阈值电压偏移的趋势的步骤(a)包含确定第一存储器单元晶体管的阈值电压偏移到第一范围之外。2.如权利要求1所述的方法，还包含 (d)编程第一存储器单元晶体管以便把第一存储器单元晶体管的阈值电压改变到第一范围以内。3.如权利要求2所述的方法，其中，步骤(c)编程包含把第一存储器单元晶体管的阈值电压改变到第二范围，以便至少代表数据的第一位和数据的第二位。4.如权利要求3所述的方法，其中，第一存储器单元晶体管是串联连接以形成存储器单元晶体管的NAND串的多个存储器晶体管其中之一，并且 其中，验证第一存储器单元晶体管的阈值的步骤包含把第一验证电压施加于连接到第一存储器单元晶体管的字线。5.如权利要求3所述的方法， 其中，存储器件包含字线和第二存储器单元晶体管 其中，第一存储器单元晶体管和第二存储器单元晶体管被连接到字线，并且，所述方法还包含 Ce)确定第二存储器单元晶体管的阈值电压从被编程状态偏移的趋势；和 Cf)响应于所述确定，从多个验证电压选择不同于第一验证电压的第二验证电压； 其中，步骤(C)包括编程第二存储器单元晶体管以便把第二存储器单元晶体管的阈值电压改变到第二范围，从而至少代表数据的另一第一位和数据的另一第二位，所述编程包括使用第二验证电压来验证第二存储器单元晶体管的阈值电压已经被充分改变，并且 其中，确定第二存储器单元晶体管的阈值电压偏移的趋势的步骤(e)包含确定第二存储器单元晶体管的阈值电压偏移到第一范围之外。6.如权利要求5所述的方法， 其中，步骤(d)包含编程第二存储器单元晶体管，以便把第二存储器单元晶体管的阈值电压改变到第一范围以内。7.如权利要求6所述的方法，其中，步骤(c)包含 (i)把编程脉冲施加于字线以便更改第一和第二存储器单元晶体管的阈值电压； (ii)把第一验证电压施加于字线，以便验证第一存储器单元晶体管的阈值电压已经被充分改变；和 (iii)把第二验证电压施加于字线，以便验证第二存储器单元晶体管的阈值电压已经被充分改变。8.如权利要求7所述的方法，其中，如果确定第一和第二存储器单元晶体管中的至少一个的阈值电压还未被充分改变，则步骤(i)、(ii)和(iii)被至少重复多次。9.如权利要求3所述的方法，其中，第一范围是在利用数据的第二位的信息编程第一存储器单元之前的状态下，代表数据的第一位的阈值值的范围。10.如权利要求3所述的方法，其中，步骤(C)包含 (i)把编程脉冲施加于字线以便更改第一存储器单元晶体管的阈值电压； (ii)把中间验证电压施加于字线，以便验证第一存储器单元晶体管的阈值电压已经被至少增加到中间电平；和 在步骤(a)中确定第一存储器单元晶体管的阈值电压偏移到第一范围之外以后 (iii)把编程脉冲施加于字线以便更改第一存储器单元晶体管的阈值电压；和 (iv)把第一验证电压施加于字线，以便验证第一存储器单元晶体管的阈值电压已经被充分改变。11.一种非易失性存储器件，包含 位线； 字...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭东勋，朴相元，郑原宅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：