基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器，所述的探测器包括：敏感元件层、源电极和漏电极，其特征在于：所述敏感元件层由无机半导体单晶网络结构组成。和传统的探测器中采用的薄膜或多晶网络结构的敏感元件相比，单晶网络结构可以保证作为探测层的半导体材料拥有巨大的比表面积，增大了其与光或气体作用位点；同时单晶网络结构能够显著降低缺陷的数量，提高电子的输运特性。因此，利用本方法可以显著提高探测器的灵敏度，缩短响应时间，提高探测效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光或气体探测器，尤其是涉及一种基于无机半导体单晶网络结构的探测器。
技术介绍
半导体传感器是指采用半导体材料作为敏感元件的探测器件。其中，气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应导致敏感元件阻值变化而制成的。当半导体敏感材料接触气体时，通过测量半导体的电阻的变化即可实现对于待检测气体的成分或浓度的检测。气敏传感器主要应用于易燃、易爆、有毒等有害气体的监测、预报和自动控制。半导体光探测器是利用半导体材料的光电效应来接收和探测光信号的器件。与半导体气敏传感器类似，当半导体敏感材料受到光照辐射时，通过测量半导体的电阻的变化即可实现对待检测光的波长或强度的检测。半导体光探测器可广泛用于光通信、信号处理、传感系统和测量系统。传统的探测器中作为敏感元件的无机半导体多采用多晶或非晶薄膜以及多晶网络结构。这两种结构都有其显著的缺点，薄膜型无机半导体敏感元件比表面积较小，而多晶网络型无机半导体敏感元件虽然比表面积较大，但存在较多的缺陷。这些原因导致半导体传感器的分辨率偏低且响应时间较长。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供基于无机半导体单晶网络结构的光和气体探测器，以具有高灵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器，所述的探测器包括：敏感元件层、源电极和漏电极，其特征在于：所述敏感元件层由无机半导体单晶网络结构组成。

【技术特征摘要】
1.一种基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器，所述的探测器包括:敏感元件层、源电极和漏电极，其特征在于所述敏感元件层由无机半导体单晶网络结构组成。2.根据权利要求1所述的基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器，其特征在于所述的无机半导体选自 S1、Ge、SiC, A1P、AlAs, AlSb, GaP、GaAs, GaSb, InP、InAs,InSb、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgSe、HgTe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、P...

【专利技术属性】
技术研发人员：张孟，李丰，潘革波，马慧军，
申请(专利权)人：苏州锦富新材料股份有限公司，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：