一种多晶硅线痕片的制绒方法技术

本发明专利技术涉及一种多晶硅线痕片的制绒方法，包括以下步骤：（1）在8℃～10℃恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液；（2）将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗1～3分钟；（3）制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40℃的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制绒后的硅片。本发明专利技术的有益效果为：工艺过程简单，便于操作，使用抛光和制绒一步处理，大大缩短了制绒反应时间，同时处理后的多晶硅线痕片表面形成均匀绒面，有效去除了切割所产生的线痕，有利于提高太阳能电池的工作效率，提高了电池的吸光能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及。
技术介绍
在能源与环境日趋紧张的今天，光伏行业得到了飞速的发展。为了节省企业的经济成本，增加企业的经济效益，降低生产成本、提高太阳能电池的效率已经成为众多企业所研究的重点。如图1所示，硅片经常容易出现线痕，线痕是影响硅片表面质量的一个重要因素，硅片质量的好坏直接关系到电池片的制造和加工，早期电池片生产所用到的硅片较厚， 如今在硅片的生产过程中比较容易出现线痕问题，我们可以使用抛光研磨去除硅片线痕， 光伏行业的硅片越来越薄，在原料紧缺的情况下，不可能把原料浪费在研磨损失上，而且增加工艺会增加成本，研磨工艺在太阳能电池行业是不适用的。如图2所示，在现有制绒方法中，电池片生产过程需要利用化学腐蚀制备绒面，线痕是影响硅片表面质量的一个重要因素，线痕的存在还会影响电池片的生产工艺，电池片生产过程需要利用化学腐蚀制备绒面， 线痕可能会影响腐蚀，增加电池片制备的困难并且影响转换效率，同时从组件的角度讲，影响组件外观，长期使用易造成破片或功率衰减，大大降低了产品的使用性，造成资源的浪费，给人们带来不便。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，以克服目前现有方法中存在的资源浪费，经济成本高以及长期使用会造成破片或功率减退等不足。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现，包括以下步骤(1)在8°C 10°C恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液；(2)将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗I 3分钟；以及(3)制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40°C的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制续后的娃片。进一步的，所述步骤(I)中，硝酸的浓度为33% 35%，氢氟酸的浓度为5% 6%。优选的，所述步骤(3)中，所述碱洗溶液为浓度为8%的氢氧化钠溶液；所述步骤(3)中，所述去离子清洗液为浓度为5%的盐酸溶液。本专利技术的有益效果为本专利技术的工艺过程简单，便于操作，使用抛光和制绒一步处理，大大缩短了制绒反应时间，同时处理后的多晶硅线痕片 表面形成均匀绒面，有效去除了切割所产生的线痕，有利于提高太阳能电池的工作效率，提高了电池的吸光能力，可用于大规模的生产。附图说明下面根据附图对本专利技术作进一步详细说明。图1是在显微镜下经放大50倍的多晶硅线痕片形貌图；图2是现有制绒方法处理后，在显微镜下经放大50倍的多晶硅线痕片绒面形貌图；图3是本专利技术制绒方法处理后，在显微镜下经放大50倍的多晶硅线痕片绒面形貌图。具体实施方式 本实施所述的，包括以下步骤(1)在8°C 10°C恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液，其中，硝酸的浓度为33% 35%，氢氟酸的浓度为5% 6% ；(2)将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗I 3分钟；以及(3)制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40°C的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制续后的娃片。所述步骤(I)中，硝酸的浓度为33% 35%，氢氟酸的浓度为5% 6% ;所述步骤(3)中，所述碱洗溶液为浓度为8%的氢氧化钠溶液；所述步骤(3)中，所述去离子清洗液为浓度为5%的盐酸溶液。使用本专利技术的制绒方法处理后，如图3所示，硅片表面多晶硅绒面均匀，外观良好，有利于提高太阳能电池的效率，与现有的处理方法相比，本专利技术在制绒槽中提高了反应溶液中硝酸的浓度，使得硅片表面的线痕很好的抛光，在相同条件下，又获得了 I 3μπι且均匀的绒面，而且腐蚀掉的多晶硅的厚度为6 10 μ m ;另外本专利技术使用抛光和制绒一步处理，缩短了制绒反应的时间，操作过程简单，不仅节省了资源，而且保证了硅片的使用质量， 给人们带来方便，很具有实用性。虽然以上仅描述了本专利技术的具体实施方式范例，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本专利技术的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本专利技术的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更或修改均落入本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅线痕片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在8℃～10℃恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液；（2）将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗1～3分钟；以及（3）制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40℃的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到制绒后的硅片。

【技术特征摘要】
1.ー种多晶硅线痕片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)在8°C 10°C恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液，该混合溶液为制绒液； (2)将多晶硅线痕片进行装载，然后在制绒液中制绒清洗，清洗I 3分钟；以及 (3)制绒清洗后，将多晶硅线痕片依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程，然后将硅片在温度为40°C的空气下烘干，最后将硅片卸载，得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：许颖，武涛，赵钊，陈招银，郑炜，
申请(专利权)人：太阳能光伏北京市工程研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：