光伏装置制造方法及图纸

提供了一种光伏装置及其制造方法。这里，在半导体基底的表面上形成基极部分和发射体部分。在基极部分和发射体部分上形成绝缘层。绝缘层具有多个通孔，以部分地暴露基极部分和发射体部分。第一电极被形成为通过至少一个通孔接触发射体部分的区域，第二电极被形成为通过至少另一个通孔接触基极部分的区域。然后，在第二电极的汇流电极部分处设置切割线，并沿着切割线在基极部分处将半导体基底分为至少两个光伏装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个或多个实施例涉及光伏装置。
技术介绍
为了制造光伏装置，通过将η型杂质(或P型杂质)掺杂到P型基底(或η型基底)中来形成ρ-η结，因此，形成发射极。经由光的接收而形成的电子-空穴对被分开。这里，通过η型区域中的电极收集电子，而通过P型区域中的电极收集空穴。因此，产生电力。光伏装置可以具有这样的结构，S卩，电极分别布置在作为光接收表面的前表面上以及布置在后表面上。这里，如果电极布置在前表面上，则接收光的面积减少了多达电极的面积。为了解决面积减小问题，采用电极仅布置在基底的后表面上的背接触式结构。
技术实现思路
本专利技术的实施例的多个方面涉及光伏装置和制造所述光伏装置的方法。本专利技术的实施例的一方面涉及一种制造光伏装置的方法，其中，在半导体基底的基极部分处(即，在半导体晶片的基极部分处)设置切割线，并沿切割线切割半导体基底。本专利技术的实施例的一方面涉及一种光伏装置，所述光伏装置具有接触光伏装置的发射体部分的区域的第一电极和`接触光伏装置的基极部分的区域的第二电极。这里，第二电极是被切割的电极，光伏装置在其发射体部分处仅具有两个被修整的角部分。本专利技术的实施例提供了一种制造光伏装置的方法。所述方法包括形成具有第一表面和第二表面的半导体基底，所述第二表面相对地背离所述第一表面；在所述第一表面处形成基极部分和发射体部分；在所述基极部分和所述发射体部分上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成多个通孔，以部分地暴露所述基极部分和所述发射体部分；形成第一电极，以通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域；形成第二电极，以通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域；在所述基极部分处设定切割线；以及沿所述切割线切割所述半导体基底。在一个实施例中，设定切割线的步骤包括在所述基极部分处并远离所述发射体部分设定所述切割线；以及切割半导体基底的步骤包括在所述半导体基底的远离所述发射体部分的区域处切割所述半导体基底。在一个实施例中，形成第一电极的步骤包括形成包括第一汇流条和从所述第一汇流条延伸的多个第一指状电极的第一电极；以及形成第二电极的步骤包括形成包括第二汇流条和多个第二指状电极的第二电极，所述第二汇流条被布置为横跨所述第一表面的中心延伸，所述多个第二指状电极从所述第二汇流条延伸并与所述第一指状电极彼此相间。另外，在基极部分处设定切割线的步骤可以包括形成横跨所述第二汇流条的中心延伸的开口，以成为所述切割线。在一个实施例中，形成半导体基底的步骤包括从单个半导体晶片通过修整所述半导体晶片的至少两个角部分来形成所述半导体基底。这里，可以从所述单个半导体晶片形成多个光伏装置。另外，形成第一电极的步骤可以包括在每个光伏装置中形成在每个光伏装置中包括第一汇流条和从所述第一汇流条延伸的多个第一指状电极的第一电极；以及形成第二电极的步骤可以包括在每个光伏装置中形成包括第二汇流条和从所述第二汇流条延伸的多个第二指状电极的第二电极。在一个实施例中，所述方法还包括在所述半导体基底的所述第二表面处形成钝化层和减反射层中的至少一个。在一个实施例中，所述方法还包括将所述半导体基底的所述第二表面纹理化。在一个实施例中，所述基极部分和所述发射体部分中的每个被形成为具有条形状。在一个实施例中，所述基极部分和所述发射体部分中的每个被形成为多个离散区域。这里，每个离散区域可以具有点形、椭圆形、圆形或多边形形状。在一个实施例中，所述第二表面被形成为配置成面对光源的前表面，所述第一表面被形成为配置成背离所述光源的后表面。本专利技术的实施例提供了一种光伏装置。所述光伏装置包括半导体基底，具有第一表面和第二表面，所述第二表面相对地背离所述第一表面；基极部分和发射体部分，位于所述第一表面处；绝缘层，位于所述 基极部分和所述发射体部分上，所述绝缘层具有多个通孔；第一电极，通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域；以及第二电极，通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域。这里，所述第二电极是被切割的电极，所述半导体基底在所述发射体部分处仅具有两个修整的角部分。在一个实施例中，所述半导体基底由半导体晶片形成，并且是所述半导体晶片的尺寸的大约一半(1/2)。这里，所述第二电极的一部分可以横跨所述半导体晶片的中心延伸。在一个实施例中，所述第一电极包括沿所述半导体基底的第一边缘在所述两个被修整的角部分之间延伸的第一汇流条和从所述第一汇流条延伸的多个第一指状电极；以及所述第二电极包括沿与所述第一边缘相对的第二边缘延伸的第二汇流条和从所述第二汇流条延伸并与所述第一指状电极彼此相间的多个第二指状电极。在一个实施例中，所述光伏装置还包括钝化层和减反射层中的至少一个，位于所述半导体基底的所述第二表面处。在一个实施例中，所述基极部分和所述发射体部分中的每个被形成为具有条形状。在一个实施例中，所述基极部分和所述发射体部分中的每个被形成为多个离散区域。在一个实施例中，所述绝缘层包括第一层和材料与所述第一层不同的第二层。附图说明图1A是根据本专利技术实施例的光伏装置的示意性透视图1B是沿图1A的IB-1B线截取的剖视图；图2A是根据本专利技术实施例的光伏装置的后视图，示出了第一金属电极和第二金属电极、发射体层以及基体层；图2B是根据本专利技术另一实施例的光伏装置的后视图，示出了第一金属电极和第二金属电极、发射体层以及基体层；图3A是根据本专利技术实施例的在制造光伏装置的工艺期间半导体基底的透视图；图3B是根据在图3A中示出的实施例的修改例的半导体基底的透视图；图4是根据本专利技术实施例的在制造光伏装置的工艺期间形成钝化层和减反射层的状态的透视图；图5A是根据本专利技术实施例的在制造光伏装置的工艺期间形成钝化层和减反射层的状态的透视图；图5B是沿图5A的VB-VB线截取的剖视图；图6A是根据本专利技术实施例的在制造光伏装置的工艺期间形成绝缘层的状态的透视图；图6B是沿图6A的VIB-VIB线截取的剖视图；图7A是根据本专利技术实施例的在制造光伏装置的工艺期间形成第一金属电极和第二金属电极的状态的透视图；图7B是沿图7A的VIIB-VIIB线截取的剖视 图7C是图7A的后视图；图8A是根据本专利技术实施例的在制造光伏装置的工艺期间沿图7A的切割线C-C切割半导体基底的状态的透视图；图8B是图8A的后视图；图9A和图9B示出了使用激光束诱导电流(LBIC)方法测量对比背接触式光伏装置的量子效率(QE)的结果；图10示出了根据本专利技术实施例的电互连光伏装置的实施例；图11示出了根据本专利技术另一实施例的电互连光伏装置的实施例；图12示出了根据本专利技术另一实施例的电互连光伏装置的实施例。具体实施例方式现在，在下文中将参照附图更充分地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实施，而不应该被理解为局限于在此提出的实施例；而是提供这些实施例使本公开将是彻底的且完整的，并将把本专利技术的范围充分地传达给本领域的技术人员。这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本专利技术。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光伏装置的方法，所述方法包括下述步骤：形成具有第一表面和第二表面的半导体基底，所述第二表面相对地背离所述第一表面；在所述第一表面处形成基极部分和发射极部分；在所述基极部分和所述发射体部分上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成多个通孔，以部分地暴露所述基极部分和所述发射体部分；形成第一电极，以通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域；形成第二电极，以通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域；在所述基极部分处设置切割线；以及沿所述切割线切割所述半导体基底。

【技术特征摘要】
2011.10.06 US 61/544,111;2012.04.12 US 13/445,8511.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括下述步骤形成具有第一表面和第二表面的半导体基底，所述第二表面相对地背离所述第一表面；在所述第一表面处形成基极部分和发射极部分；在所述基极部分和所述发射体部分上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成多个通孔，以部分地暴露所述基极部分和所述发射体部分；形成第一电极，以通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域；形成第二电极，以通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域；在所述基极部分处设置切割线；以及沿所述切割线切割所述半导体基底。2.根据权利要求1所述的方法，其中设置切割线的步骤包括在所述基极部分处并远离所述发射体部分设置所述切割线；以及切割半导体基底的步骤包括在所述半导体基底的远离所述发射体部分的区域处切割所述半导体基底。3.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一电极的步骤包括形成包括第一汇流条和从所述第一汇流条延伸的多个第一指状电极的第一电极；以及形成第二电极的步骤包括形成包括第二汇流条和多个第二指状电极的第二电极，所述第二汇流条被布置为横跨所述第一表面的中心延伸，所述多个第二指状电极从所述第二汇流条延伸并与所述第一指状电极彼此相间。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在基极部分处设置切割线的步骤包括形成横跨所述第二汇流条的中心延伸的开口，以成为所述切割线。5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成半导体基底的步骤包括从单个半导体晶片通过修整所述半导体晶片的至少两个角部分来形成所述半导体基底。6.根据权利要求5所述的方法，其中，从所述单个半导体晶片形成多个光伏装置。7.根据权利要求6所述的方法，其中形成第一电极的步骤包括在每个光伏装置中形成在每个光伏装置中包括第一汇流条和从所述第一汇流条延伸的多个第一指状电极的第一电极；以及形成第二电极的步骤包括在每个光伏装置中形成包括第二汇流条和从所述第二汇流条延伸的多个第二指状电极的第二电极。8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括下述步骤在所述半导体基底的所述第二表面处形成钝化层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：金英水，李斗烈，金永镇，牟灿滨，朴映相，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：