太阳能电池组及其制造方法技术

技术编号:8564131 阅读:144 留言:0更新日期:2013-04-11 06:17
一种太阳能电池组及其制造方法,该太阳能电池组制造方法是用以制造一个太阳能电池组,并包含以下步骤:先利用薄膜层叠的方式成型出一个第一太阳能电池。此外,在一个第二下基板上形成一层离型层后,再于该离型层上形成一个第二太阳能电池。接着,将该离型层及第二下基板剥离,而与该第二太阳能电池分离。再利用一层可透光的黏合层,将该第一太阳能电池与该第二太阳能电池叠接,进而形成该太阳能电池组。该第一太阳能电池与第二太阳能电池是先分开制造完成,可运用现有的制程制造,使制造流程简单而可提高生产优良率,同时兼具扩大该太阳能电池组转换光线的波长范围的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电池及其制造方法,特别是涉及ー种。
技术介绍
目前太阳能电池有非晶硅(a-Si)、微晶硅(U-Si)、多晶硅(poly-Si)或硒化铜铟镓(CIGS)等多种薄膜太阳能电池。该非晶硅太阳能电池可吸收的光谱是在紫外光至可见光的部分,而多晶硅、硒化铜铟镓或微晶硅太阳能电池其吸收的光谱大约在红外线至可见光的部分。因为太阳光是全波长,因此为了充分地将各波长的光线吸收并转换为电能,一般制造太阳能电池时,是在基板的上下两侧分别形成一个非晶硅太阳能电池及ー个多晶硅或硒化铜铟镓太阳能电池。其制造过程中,是利用多次的蒸镀、溅镀、化学气相沉积、或电浆气相沉积等方式,逐层地在该基板上形成薄膜,因此太阳能电池的薄膜在制造过程中必须历经多次的高酸碱或高温环境,不只增加制造流程中管控复杂度,也使材料容易发生受损或老化而降低生产优良率的状況。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可提高太阳光转换效率并且兼具制造流程简单而可提高生产优良率的太阳能电池组制造方法,及太阳能电池组。本专利技术太阳能电池组制造方法用以制造一个太阳能电池组,该太阳能电池组制造方法包含以下步骤 步骤(A):利用薄膜层叠的方式成型出ー个第一太阳能电池;步骤(B):在ー个第二下基板上形成ー层离型层;步骤(C):在该离型层上形成ー个第二太阳能电池;步骤(D):将该离型层及第ニ下基板剥离,进而与该第二太阳能电池分离 '及步骤(E):利用一层可透光的黏合层,将该第一太阳能电池与该第二太阳能电池叠接,进而形成该太阳能电池组。本专利技术所述太阳能电池组制造方法,在步骤(A)中,是在ー个第一基板上形成一层第一内电极,再于该第一内电极上形成ー个第一光电转换単元,接着在该第一光电转换単元上形成ー层第一外电极进而构成该第一太阳能电池,在步骤(C)中,是在该离型层上披覆结合一层第二上基板,并在该第二上基板上形成ー层第二内电极,再于该第二内电极上形成ー个第二光电转换単元,接着在该第二光电转换単元上形成ー层第二外电极进而构成该第二太阳能电池,在步骤(E)中,是在该第一基板与该第二外电极间设置该黏合层,以叠接该第一太阳能电池与该第二太阳能电池,进而构成该太阳能电池组。本专利技术所述太阳能电池组制造方法,在步骤(E)中,是在该第一外电极与该第二上基板间设置该黏合层,以叠接该第一太阳能电池与第二太阳能电池,进而构成该太阳能电池组。本专利技术所述太阳能电池组制造方法,在步骤(A)中,在将该第一内电极形成在该第一基板上后,是在该第一内电极上形成一层光吸收层,并在该光吸收层上形成一层缓冲层,进而构成该第一光电转换単元,并且该第一外电极是形成在该缓冲层上,在步骤(C)中,在将该第二内电极形成在该第二上基板上后,是在该第二内电极上形成ー层P型半导体层,并在该P型半导体层上形成一层本质半导体层,接着在该本质半导体层上形成ー层n型半导体层,进而构成该第二光电转换単元,并且该第二外电极是形成在该n型半导体层上。本专利技术所述太阳能电池组制造方法,在步骤(A)中,在将该第一内电极形成在该第一基板上后,是在该第一内电极上形成ー层P型半导体层,并在该P型半导体层上形成一层本质半导体层,接着在该本质半导体层上形成ー层n型半导体层,进而构成该第一光电转换单元,并且该第一外电极是形成在该n型半导体层上,在步骤(C)中,在将该第二内电极形成在该第二上基板上后,是在该第二内电极上形成一层光吸收层,并在该光吸收层上形成ー层缓冲层,进而构成该第二光电转换単元,并且该第二外电极是形成在该缓冲层上。本专利技术太阳能电池组,包含ー个第一太阳能电池,及ー个第二太阳能电池,该第一太阳能电池包括一个可透光的第一基板、ー层披覆在该第一基板上且可导电的第一内电极、一个披覆在该第一内电 极上且可将光转换为电能的第一光电转换单兀,及一层披覆在该第一光电转换単元上的第一外电极,该第一光电转换単元具有ー层披覆在该第一内电极上的光吸收层,及一层披覆在该光吸收层上的缓冲层,该第二太阳能电池包括一个可透光的第二上基板、ー层披覆在该第二上基板上且可导电的第二内电极、一个披覆在该第二内电极上的第二光电转换单元,及ー层披覆在该第二光电转换单元上且可导电的第二外电极,该第二光电转换単元具有ー层披覆在该第二内电极上的P型半导体层、一层披覆在该P型半导体层上的本质半导体层,及一层披覆在该本质半导体层上的n型半导体层;该太阳能电池组还包含一层可透光地夹设在该第一太阳能电池与第二太阳能电池间以黏合并叠接该第一太阳能电池与第二太阳能电池的黏合层。本专利技术所述太阳能电池组的黏合层是夹设在该第一太阳能电池的第一基板与该第ニ太阳能电池的第二外电极间。本专利技术的有益效果在干该第一太阳能电池与第二太阳能电池是先分开制造完成,再借由该黏合层叠接以构成该太阳能电池组,因此可运用现有的制程制造,使制造流程简单而可提高生产优良率,同时兼具扩大该太阳能电池组转换光线的波长范围的优点。附图说明图1是本专利技术太阳能电池组的ー个结构示意图,主要显示本专利技术太阳能电池组制造方法的一较佳实施例的太阳能电池组;图2是ー个流程示意图,显示该较佳实施例;图3是ー个流程方块图,显示该较佳实施例。具体实施例方式下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明为了方便说明,以下的实施例,类似的元件以相同的标号表示。參阅图1、2、3,本专利技术太阳能电池组制造方法的一较佳实施例,用以制造一太阳能电池组I。该太阳能电池组I包含ー个第一太阳能电池2、ー个第二太阳能电池3,及ー层可透光地夹设在该第一与第二太阳能电池2、3间的黏合层9。该第一太阳能电池2包括一个可透光的第一基板21、ー层披覆在该第一基板21上且可导电的第一内电极22、ー个披覆在该第一内电极22上的第一光电转换单兀20,及ー个披覆在该第一光电转换单兀20上且可导电的第一外电极23。所述第一光电转换单元20可利用光电效应,吸收光线并转换为电能。本实施例的第一太阳能电池2是硒化铜铟镓(CGSI)太阳能电池,而该第一光电转换単元20具有ー层披覆在该第一内电极22上的光吸收层40,及ー披覆在该光吸收层40上的缓冲层50。该第二太阳能电池3包括一个可透光的第二上基板33、ー层披覆在该第二上基板33上且可导电的第二内电极34、ー披覆在该第二内电极34上的第二光电转换单元30,及一层披覆在该第二光电转换单元30上且可导电的第二外电极35。所述第二光电转换单元30可利用光电效应,吸收光线并转换为电能。本实施例的第二太阳能电池3是非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池,而该第二光电转换単元30具有ー层被覆在该第二内电极34上的p型半导体层80、ー层披覆在该p型半导体层80上的本质半导体层70,及一层披覆在该本质半导体层70上的n型半导体层60。 该黏合层9是夹设在该第一太阳能电池2的第一基板21,与该第二太阳能电池3的第二外电极35间。 而该太阳能电池组制造方法包含以下步骤执行步骤91 :在该可透光的第一基板21上形成薄膜状的该第一内电极22,并于该第一内电极22上形成薄膜状的该光吸收层40,再于该光吸收层40上形成薄膜状的该缓冲层50,进而在该第一内电极22上构成该第一光电转换单兀20,接着在该第一光电转换单兀20的缓冲层50上形成薄膜状的该第一外电极23,进而构成该第一太阳能电池2。换句话说,本实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池组制造方法,用以制造一个太阳能电池组,其特征在于:该太阳能电池组制造方法包含以下步骤:步骤A:利用薄膜层叠的方式成型出一个第一太阳能电池;步骤B:在一个第二下基板上形成一层离型层;步骤C:在该离型层上形成一个第二太阳能电池;步骤D:将该离型层及第二下基板剥离,进而与该第二太阳能电池分离;步骤E:利用一层可透光的黏合层,将该第一太阳能电池与该第二太阳能电池叠接,进而形成该太阳能电池组。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池组制造方法,用以制造一个太阳能电池组,其特征在于该太阳能电池组制造方法包含以下步骤步骤A :利用薄膜层叠的方式成型出一个第一太阳能电池;步骤B :在一个第二下基板上形成一层离型层;步骤C :在该离型层上形成一个第二太阳能电池;步骤D :将该离型层及第二下基板剥离,进而与该第二太阳能电池分离;步骤E :利用一层可透光的黏合层,将该第一太阳能电池与该第二太阳能电池叠接,进而形成该太阳能电池组。2.根据权利要求1所述的太阳能电池组制造方法,其特征在于在步骤A中,是在一个第一基板上形成一层第一内电极,再于该第一内电极上形成一个第一光电转换单元,接着在该第一光电转换单元上形成一层第一外电极进而构成该第一太阳能电池;在步骤C中,是在该离型层上披覆结合一层第二上基板,并在该第二上基板上形成一层第二内电极,再于该第二内电极上形成一个第二光电转换单元,接着在该第二光电转换单元上形成一层第二外电极进而构成该第二太阳能电池;在步骤E中,是在该第一基板与该第二外电极间设置该黏合层,以叠接该第一太阳能电池与该第二太阳能电池,进而构成该太阳能电池组。3.根据权利要求1所述的太阳能电池组制造方法,其特征在于在步骤A中,是在一个第一基板上形成一层第一内电极,再于该第一内电极上形成一个第一光电转换单元,接着在该第一光电转换单元上形成一层第一外电极进而构成该第一太阳能电池;在步骤C中,是在该离型层上披覆结合一层第二上基板,并在该第二上基板上形成一层第二内电极,再于该第二内电极上形成一个第二光电转换单元,接着在该第二光电转换单元上形成一层第二外电极进而构成该第二太阳能电池;在步骤E中,是在该第一外电极与该第二上基板间设置该黏合层,以叠接该第一太阳能电池与第二太阳能电池,进而构成该太阳能电池组。4.根据权利要求2或3所述的太阳能电池组制造方法,其特征在于在步骤A中,在将该第一内电极形成在该第一基板上后,是在该第一内电极上形成一层光吸收层,并在该光吸收层上形成一层缓冲层,进而构成该第一光电转换单元,并且该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄导阳萧森崇简谷卫陈顺铭
申请(专利权)人:北儒精密股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1