类单晶硅片的制绒方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池用类单晶(mono-like)硅片的制绒方法，其主要包括：依据整片硅片上晶粒的晶向不同将所述硅片分为第一区域和第二区域；然后根据不同区域采用不同的制绒方式，即通过掩膜方式保证在使对应区域获取低反射率的方式进行制绒的同时，保护另一区域的反射率不会受到对上述区域进行相关制绒的影响。通过本发明专利技术公开的太阳能电池用类单晶(mono-like)硅片的制绒方法，对同一硅片表面上不同晶向的区域分别采用相对应的制绒方式，能够保证获得比现有技术更低的反射率和较高的太阳能电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制造领域，更具体的说是涉及一种类单晶(mono-like)硅片(晶片)的制绒方法。
技术介绍
硅片(也称为晶片)是生产太阳能电池片所用的载体，一般分为单晶硅片和多晶硅片。类单晶(mono-like)硅片，一般指采用多晶生长方式长成类似单晶结构，且在同一硅片表面上既存在单晶区域也存在多晶区域的晶片，在现有的太阳能电池制造领域内，该类单晶硅片也称为“假单晶”或者“伪单晶”硅片等。其中，在对该类单晶硅片进行制绒的过程中，与采用酸制绒的方式相比，单晶采用碱制绒能获得更低的反射率，而多晶则是采用酸制绒会比采用碱制绒获取到更低的反射率。因此，为获得较低的反射率和较高的转换效率，现有技术中在对类单晶(mono-like)硅 片进行制绒的过程中，一般首先区分硅片上的单晶或多晶的面积，当硅片表面单晶所占比例较大时，则采用碱制绒，而当硅片表面多晶所占比例较大时，则采用酸制绒。但是，采用现有技术针对硅片表面的单晶和多晶面积的比例大小进行分类后，再进行酸或碱制绒时，其中，当对同一硅片上多晶面积所占比例较大的硅片进行酸制绒，虽然能相对获得较低的反射率和较高的转换效率，但是对此硅片单晶区域而言，采用酸制绒对反射率损失较大；同样，但对同一硅片上单晶面积所占比例较大的硅片进行碱制绒，多晶区域反射率损失也较大。因此，采用现有技术中的方式对硅片进行制绒时，并不能避免采用酸制绒时对硅片中的单晶区域的反射率造成损失，以及不能避免采用碱制绒时对硅片中的多晶区域抛光，导致其反射率高，从而影响整个硅片的反射率和转换效率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种类单晶(mono-like)硅片的制绒方法，以克服现有技术对硅片进行制绒的过程中，不能避免酸制绒对单晶区域或碱制绒对多晶区域的影响，造成整个硅片的反射率高和转换效率低的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案一种太阳能电池用，包括依据整片硅片上晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域；涂覆掩膜至所述硅片的所述第一区域；对整片所述硅片进行对应使所述第二区域获取低反射率的制绒；去除所述第一区域上的掩膜；涂覆掩膜至所述硅片的所述第二区域；对整片所述硅片进行对应使所述第一区域获取低反射率的制绒；去除所述第二区域上的掩膜。优选地，包括当所述第一区域为单晶区域，所述第二区域为多晶区域时对应使所述第一区域获取低反射率的制绒方式为碱制绒；对应使所述第二区域获取低反射率的制绒方式为酸制绒。优选地，包括当所述第一区域为多晶区域，所述第二区域为单晶区域时对应使所述第一区域获取低反射率的制绒方式为酸制绒； 对应使所述第二区域获取低反射率的制绒方式为碱制绒。优选地，所述掩膜包括聚乙烯蜡。优选地，所述去除掩膜的方式包括采用高温挥发的方式去除所述掩膜；或者，采用溶剂清洗所述掩膜，所述溶剂包括庚烷。一种太阳能电池用，包括依据整片所述硅片上的晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域，所述第一区域为多晶区域，所述第二区域为单晶区域；对整片所述硅片进行对应使所述第一区域获取低反射率的酸制绒；涂覆掩膜至所述硅片的所述第一区域；对整片所述硅片进行对应使所述第二区域获取低反射率的碱制绒；去除所述第一区域上的掩膜。优选地，所述掩膜包括聚乙烯蜡。优选地，所述去除掩膜的方式包括采用高温挥发的方式去除所述掩膜；或者，采用溶剂清洗所述掩膜，所述溶剂包括庚烷。经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术公开了一种类单晶(mono-like)硅片(晶片)的制绒方法，通过依据整片硅片上晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域；然后根据不同区域采用不同的制绒方式，即通过掩膜方式保证使对应区域获取低反射率的方式进行制绒的同时，保护另一区域的反射率不会受到对上述区域进行相关制绒的影响。通过本专利技术公开的硅片的制绒方法，对同一硅片表面上不同晶向的区域分别采用相对应的制绒方式，能够保证获得比现有技术更低的反射率和较高的转换效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例一公开的一种的流程图；图2为本专利技术实施例二公开的一种的流程图；图3为本专利技术示例一公开的一种的流程图。具体实施例方式为了引用和清楚起见，下文中使用的技术名词的说明、简写或缩写总结如下硅片(晶片)是生产太阳能电池片所用的载体，一般分为单晶硅片和多晶硅片；类单晶(mono-like)硅片，一般指采用多晶生长方式长成类似单晶结构，且在同一硅片表面上既存在单晶区域也存在多晶区域的晶片，行业内也称为“假单晶”，“伪单晶”娃片等。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 由
技术介绍
可知，一般情况下只是依据类单晶(mono-like)硅片上的单晶或多晶的面积进行区分，当硅片表面单晶所占比例较大时，则采用碱制绒，而当硅片表面多晶所占比例较大时，则采用酸制绒。但是，采用现有技术只执行一种针对面积较大的区域获取较低反射率所对应的制绒，显然会对面积较少的区域的反射率有所影响，从而影响整个硅片的反射率和转换效率。因此，本专利技术提供了一种新的有关于类单晶(mono-like)硅片的制绒技术方案，其核心思想为对同一硅片表面上单晶和多晶区域分别采用碱制绒和酸制绒，从而获得比现有技术更低的反射率和更高的转换效率。具体过程通过以下实施例进行详细说明。实施例一请参阅附图1，为本专利技术公开的一种硅片的制绒方法的流程图，主要包括以下步骤步骤S101，依据整片硅片上的晶向类型将所述硅片分为第一区域和第二区域，所述第一区域为多晶区域，所述第二区域为单晶区域。执行步骤S101，主要是针对硅片上存在多种的晶向的情况，在本专利技术中主要指类单晶(mono-like)硅片，其表面上既存在单晶区域也存在多晶区域，因此执行步骤SlOl对其上的单晶区域和多晶区域进行区分。步骤S102，对整片所述硅片进行对应使所述第一区域获取低反射率的酸制绒。步骤S103，涂覆掩膜至所述硅片的所述第一区域。执行步骤S102和步骤S103，首先对整片硅片进行相关的制绒，该相关的制绒具体与当前所选定的要进行掩膜的区域有关，即与执行步骤S103对选定的区域进行掩膜有关，在本专利技术所公开的该实施例中，执行步骤S103所要掩膜的为第一区域，该区域为多晶区域，则在执行步骤S102时对整片硅片所进行的酸制绒，即执行对应使该多晶区域能够获取低反射率的制绒方式。步骤S104，对整片所述硅片进行对应使所述第二区域获取低反射率的碱制绒。步骤S105，去除所述第一区域上的掩膜。在执行步骤S103对第一区域，即多晶区域采用涂覆掩膜的方式进行保护之后，执行步骤S104对整片硅片进行对应使第二区域获取低反射率的碱制绒，使第二区域即单晶区域获取低的反射率，并且由于此时在多晶区域上涂覆(设置)有掩膜，在进行步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池用类单晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括：依据整片硅片上晶粒晶向的不同将所述硅片分为第一区域和第二区域；涂覆掩膜至所述硅片的所述第一区域；对整片所述硅片进行对应使所述第二区域获取低反射率的制绒；去除所述第一区域上的掩膜；涂覆掩膜至所述硅片的所述第二区域；对整片所述硅片进行对应使所述第一区域获取低反射率的制绒；去除所述第二区域上的掩膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童锐，石东益，王俊，刘家益，
申请(专利权)人：茂迪苏州新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：