【技术实现步骤摘要】
本专利技术通常涉及半导体器件,更具体地说涉及堆叠多个半导体器件。
技术介绍
管芯堆叠的传统硅通孔(TSV)栓塞在单晶圆级上形成。管芯然后在每个晶圆或管芯面处通过互连被互连到堆叠中。作为每个从管芯到管芯过渡中的凹凸间隙高度(bumpstandoff height)的结果。高度被添加到堆叠中。从电力学上讲,每个接口提供反射和添加阻抗,它们共同降低了高频信号完整性。此外,驱散半导体器件热量以实现较小器件尺寸和较高频率操作是可取的。特别是,堆叠的管芯在小体积内产生热量,该小体积需要附加的热路径来散热。 附图说明通过参考附图,本专利技术可以被更好的理解,并且其多个目的、特征、以及优点对本领域技术人员来说会非常明显。图1是根据本专利技术的实施例的在制造阶段之后的半导体器件的偏侧截面图。图2是在另一个制造阶段之后的图1的半导体器件的偏侧截面图。图3是在另一个制造阶段之后的图2的半导体器件的偏侧截面图。图4是在另一个制造阶段之后的图3的半导体器件的偏侧截面图。图5是在另一个制造阶段之后的图4的半导体器件的偏侧截面图。图6是图5的半导体器件的部分顶视图。图7是根据本专利技术的实施例的堆叠半导体器件的偏侧截面图。图8是根据本专利技术的实施例的带有连续-填充通孔、测试探针、以及散热器结构的堆叠半导体器件的偏侧截面图。图9是用于形成图1-图8的半导体器件的实施例方法的流程图。除非另有说明,不同附图中使用的相同参考符号表示相同的元件。附图中所显示的特征不一定按比例绘制。具体实施例方式以下内容陈述了用于实施本专利技术模式的详细描述。所述描述旨在说明本专利技术并且不应该被限定。穿过管 ...
【技术保护点】
一种堆叠半导体器件,包括:第一半导体器件,所述第一半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第一半导体器件的所述第一主表面具有:有源电路;斜面边缘,所述斜面边缘位于所述第一半导体器件的至少一个边缘上;以及探针垫,所述探针垫延伸到所述第一半导体器件的所述斜面边缘上;以及第二半导体器件,所述第二半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第二半导体器件的所述第一主表面具有:有源电路;斜面边缘,所述斜面边缘位于所述第二半导体器件的至少一个边缘上;以及探针垫,所述探针垫延伸到所述第二半导体器件的所述斜面边缘上;其中:所述第一半导体器件的所述第一主表面面向所述第二半导体器件的所述第一主表面,使得所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第一主表面位于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第二主表面之间,并且其中所述第一半导体器件的所述斜面边缘面向所述第二半导体器件的所述斜面边缘,使得在所述堆叠半导体器件的第一垂直边上的所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述斜面边缘之间形成第一开口。
【技术特征摘要】
2011.10.07 US 13/268,6811.一种堆叠半导体器件,包括 第一半导体器件,所述第一半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第一半导体器件的所述第一主表面具有 有源电路; 斜面边缘,所述斜面边缘位于所述第一半导体器件的至少一个边缘上;以及探针垫,所述探针垫延伸到所述第一半导体器件的所述斜面边缘上;以及第二半导体器件,所述第二半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第二半导体器件的所述第一主表面具有 有源电路; 斜面边缘,所述斜面边缘位于所述第二半导体器件的至少一个边缘上;以及 探针垫,所述探针垫延伸到所述第二半导体器件的所述斜面边缘上; 其中 所述第一半导体器件的所述第一主表面面向所述第二半导体器件的所述第一主表面,使得所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第一主表面位于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第二主表面之间,并且其中所述第一半导体器件的所述斜面边缘面向所述第二半导体器件的所述斜面边缘,使得在所述堆叠半导体器件的第一垂直边上的所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述斜面边缘之间形成第一开口。2.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件,其中所述第一开口的所述斜面边缘能够将探针尖端对齐到所述第一半导体器件的所述探针垫。3.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件,其中 所述第一半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第一半导体器件的所述有源电路; 所述第二半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第二半导体器件的所述有源电路;4.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件,其中所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中的每个包括导电面,其中 所述第一半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第一半导体器件的所述导电面;以及 所述第二半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第二半导体器件的所述导电面。5.根据权利要求4所述的堆叠半导体器件,还包括 散热器(806),所述散热器(806)被附着到所述堆叠半导体器件的所述第一垂直边上,所述散热器具有 第一突出部分,所述第一突出部分插入到位于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述斜面边缘之间的所述第一开口中,并且与所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中每一个的所述探针垫相接触。6.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件,还包括 多个连续导电通孔,其中所述多个连续导电通孔的每个连续导电通孔从所述第一半导体器件的所述第二主表面、穿过所述第一半导体器件延伸到所述第二半导体器件的所述第一主表面。7.根据权利要求6所述的堆叠半导体器件,其中所述多个连续导电通孔的至少一个连续导电通孔(802)耦合于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中每一个的所述有源电路(103)。8.根据权利要求6所述的堆叠半导体器件,其中 所述第一半导体器件的所述有源电路包括熔丝,所述熔丝耦合于所述第一半导体器件的所述探针垫和所述多个连续导电通孔的第一连续导电通孔;以及 所述第二半导体器件的所述有源电路包括熔丝,所述熔丝耦合于所述第二半导体器件的所述探针垫和所述多个连续导电通孔的第二连续导电通孔。9.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件,其中所述第一半导体器件和所述第二半导体器件中的每一个的进一步特征是存储器器件。10.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件,其中 所述第一半导体器件的所述第一主表面在所述第一半导体器件的第二边缘处具有第二斜面边缘,以及具有延伸到所述第一半导体器件所述第二斜面边缘上的第二探针垫;以及 所述第二半导体器件的所述第一主表面在所述第二半导体器件的第二边缘处具有第二斜面边缘,以及具有延伸到所述第二半导体器件所述第二斜面边缘上的第二探针垫。11.根据权利要求1所述的堆叠半导体器件,还包括 第三半导体器件,所述第三半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第三半导体器件的所述第一主表面具有 有源电路; 斜面边缘,所述斜面边缘位于所述第三半导体器件的至少一个边缘上;以及 探针垫,所述探针垫延伸到所述第二半导体器件的所述斜面边缘上; 第四半导体器件,所述第四半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第四半导体器件的所述第一主表面具有 有源电路; 斜面边缘,所述斜面边缘位于所述第四半导体器件的至少一个边缘上;以及 探针垫,所述探针垫延伸到所述第四半导体器件的所述斜面边缘上; 其中 所述第三半导体器件的所述第一主表面面向所述第四半导体器件的所述第一主表面,使得所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的所述第一主表面位于所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的所述第二主表面之间,并且其中所述第三半导体器件的所述斜面边缘面向所述第四半导体器件的所述斜面边缘,使得在所述堆叠半导体器件的第一垂直边上的所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的所述斜面边缘之间形成第二开口;以及 所述第二半导体器件的所述第二主表面面向所述第三半导体器件的所述第二主表面,使得所述第二半导体器件和第三半导体器件的所述第二主表面位于所述第二半导体器件和第三半导体器件的所述第一主表面之间。12.根据权利要求11所述的堆叠半导体器件,其中所述第三半导体器件和所述第四半导体器件中的每一个包括导电面,其中 所述第三半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第三半导体器件的所述导电面; 所述第四半导体器件的所述探针垫电耦合于所述第四半导体器件的所述导电面。13.根据权利要求12所述的堆叠半导体器件,还包括散热器,所述散热器被附着到所述堆叠半导体器件的所述第一垂直边上,所述散热器具有: 第二突出部分,所述第二突出部分插入到位于所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的所述斜面边缘之间的所述第二开口,并且与所述第三半导体器件和所述第四半导体器件中每一个的所述探针垫相接触。14.一种用于探测堆叠半导体器件的方法,包括 提供堆叠半导体器件,所述堆叠半导体器件包括 第一半导...
【专利技术属性】
技术研发人员:佩里·H·派莱伊,凯文·J·埃斯,迈克尔·B·麦克沙恩,
申请(专利权)人:飞思卡尔半导体公司,
类型:发明
国别省市:
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