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一种堆叠半导体器件(300,800)，包括第一和第二半导体器件。包括所述有源电路的每个所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的第一主表面直接面向彼此。每个所述器件的所述第一主表面包括位于至少一个边缘上的斜面边缘(114)，以及延伸到所述斜面...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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