一种渐变折射率减反膜太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法，包括以下步骤：在硅片正面形成绒面；在硅片正面进行P扩散，然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层；在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜；在所述硅片背面形成背电极和铝背场；在所述硅片正面形成正电极。相应地，本发明专利技术还提供一种渐变折射率减反膜太阳能电池。本发明专利技术的方法以及该方法制备的太阳能电池电学性能好，衰减小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，具体地说涉及。
技术介绍
减反膜制备技术是太阳能电池生产工艺中的关键技术之一，用PECVD制备的SiNx = H薄膜不仅具有降低硅片表面反射率的效果，而且SiNx = H膜中高浓度的氢还能提供良好的表面钝化和体钝化，能大大提高太阳能电池的光电转换效率。氢含量可通过SiNx:H膜的折射率来控制随着氮化硅膜的折射率的增加，膜中吸附的氢的密度也呈上升趋势。但是，折射率越大，消光系数变大，光学损失也随之增大。 因此，为了整合这两方面的优缺点，目前研究的热点之一就是双层SiNx:H模型，即在靠近硅片表面沉积一层折射率较大但较薄的薄膜，它主要起钝化作用；而另一层则采用低折射率但较厚的氮化硅，起到良好的光学匹配、降低反射率的效果。双层SiNx:H减反膜取代单层SiNx:H减反膜是晶体硅太阳能制造产业上的一个趋势，目前有不少企业已经将这种技术应用于生产。但是双层SiNx: H减反膜结构存在一个折射率差异巨大的界面，这在光学匹配上是不利的，会造成较多的光学损失。一些研究人员通过在板式PECVD中硅片的行进方向上设置不同的微波功率、温度和气体流量比，形成一个由下到上折本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法，其中，包括以下步骤：a）在硅片正面形成绒面；b）在所述硅片正面进行P扩散，然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层；c）在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜；d）在所述硅片背面形成背电极和铝背场；e）在所述硅片正面形成正电极；其特征在于：所述步骤c）中进一步包括：c1）在所述硅片正面形成减反膜；c2）以氨气、氮气中的一种或其混合气体为注入源对所述减反膜进行N注入，通过设备调节实现N在所述减反膜中的特定注入深度和浓度；c3）进行退火，将所述减反膜中的N进一步推进到指定深度，其中，经过N注入的所述减反膜形成渐变折射率层，未经过N注入的所述减反膜称为钝化层，...

【技术特征摘要】
1.一种渐变折射率减反膜太阳能电池制备方法，其中，包括以下步骤 a)在硅片正面形成绒面； b)在所述硅片正面进行P扩散，然后去除所述硅片正面的磷硅玻璃和周边P扩散层； c)在所述硅片正面形成渐变折射率减反膜； d)在所述硅片背面形成背电极和铝背场； e)在所述硅片正面形成正电极； 其特征在于 所述步骤c)中进一步包括 Cl)在所述硅片正面形成减反膜； c2)以氨气、氮气中的一种或其混合气体为注入源对所述减反膜进行N注入，通过设备调节实现N在所述减反膜中的特定注入深度和浓度； c3)进行退火，将所述减反膜中的N进一步推进到指定深度，其中，经过N注入的所述减反膜形成渐变折射率层，未经过N注入的所述减反膜称为钝化层，所述渐变折射率层和所述钝化层组成渐变折射率减反膜。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述减反膜的厚度范围为65nnT85nm。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述减反膜的折射率范围为2.2^2. 4。4.根据权利要求1所述的方法，其中， 当所述硅片为单晶硅时，所述渐变折射率减反膜的反射率为1°/Γ3% ； 当所述硅片为多晶硅时，所述渐变折射率减反膜的反射率为5°/Γ8%。5.根据权利要求1所述的方法，其中，进行所述退火步骤时，退火温度范围为400 0C 900。。。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：石强，韩玮智，牛新伟，蒋前哨，李永辉，仇展炜，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：