三层复合结构减反射膜的光伏电池及其复合镀膜方法技术

本发明专利技术公开了一种三层复合结构减反射膜的光伏电池及其复合镀膜方法。本发明专利技术采用在太阳能光伏电池的硅片的表面，由里向外，沉积镀有三层膜厚与折射率分别为膜厚10nm，折射率2.3；膜厚22nm，折射率2.16；膜厚50nm，折射率2.0的复合结构的氮化硅减反射膜，通过复合膜层的折射合成，扩展硅片对各频谱波段的阳光的吸收带宽，最大限度地减少反射，以提高太阳能光伏电池的电转换效率的技术方案，克服了现有技术存在减反射频谱带宽狭窄、光电转换效率难以提高的问题与不足，通过三层复合结构的氮化硅减反射膜使太阳能光伏电池达到了扩展减反射频谱带宽、提高光电转换效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能光伏电池，具体是指在太阳能光伏电池表面上沉积氮化硅减反射膜，用于减少表面反射提高光电转换效率的一种。
技术介绍
太阳能光伏电池为了减少表面反射提高电池的光电转换效率，需要在硅片表面上沉积一层氮化硅减反射膜。现有技术采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD使氮与硅结合，在硅片表面形成一层用于减少反射的氮化硅薄膜；现有技术的氮化硅减反射膜是单层膜，由于单层膜的减反射频谱带宽狭窄，仅对阳光辐射中的某些频谱波段的光具有减反射效果，而35%以上的其他频谱波段的阳光则被电池硅片表面反射，致使太阳能光伏电池因不能充分吸收其他波段的阳光辐照能而光电转换效率难以提高；因此，现有技术存在减反射频谱带宽狭窄、光电转换效率难以提高的问题与不足。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题与不足，本专利技术采用在太阳能光伏电池的硅片的表面，由里向外，沉积三层膜厚与折射率分别为膜厚10nm，折射率2. 3 ;膜厚22nm，折射率2. 16 ;膜厚50nm，折射率2. O的复合结构的氮化硅减反射膜，通过复合膜层的折射合成，扩展硅片对各频谱波段的阳光辐射的吸收带宽，最大限度地减少反射，以提高太阳能光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三层复合结构减反射膜的光伏电池的复合镀膜方法，其特征在于：步骤一、入炉；将经过表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀后的硅片(4)插入石墨舟中，然后将石墨舟连同硅片(4)一起放入PECVD沉积炉内，关闭炉门；步骤二、充氮；开启PECVD炉的氮气阀和排气阀，向PECVD炉内通入氮气，由氮气将PECVD炉内的空气替换排除，使PECVD炉内处于氮气气氛；之后，关闭排气阀，开启电加热，将PECVD炉内壁温度调至450℃，PECVD炉内氮气气压调至10000Pa，保持时间为320s；步骤三、抽真空；在PECVD炉内壁温度450℃的条件下，关闭氮气阀，开启PECVD炉的真空阀，将PECVD炉内的氮...

【技术特征摘要】
1.一种三层复合结构减反射膜的光伏电池的复合镀膜方法，其特征在于步骤一、入炉；将经过表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀后的硅片(4)插入石墨舟中，然后将石墨舟连同硅片(4) 一起放入PECVD沉积炉内，关闭炉门；步骤二、充氮；开启PECVD炉的氮气阀和排气阀，向PECVD炉内通入氮气，由氮气将PECVD炉内的空气替换排除，使PECVD炉内处于氮气气氛；之后，关闭排气阀，开启电加热，将PECVD炉内壁温度调至450°C，PECVD炉内氮气气压调至lOOOOPa，保持时间为320s ；步骤二、抽真空；在PECVD炉内壁温度450 V的条件下，关闭氮气阀，开启PECVD炉的真空阀，将PECVD炉内的氮气抽出，使PECVD炉内处于真空状态，炉内真空度为lOOPa，保持时间为180s ；步骤四、预沉积；在PECVD炉内壁温度450 V的条件下，关闭真空阀，开启PECVD炉的氨气阀，向炉内注入氨气，氨气的注入流量为6500ml/min，将炉内氨气气压维持在1700Pa，开启PECVD炉的射频脉冲，射频脉冲功率为5200W，射频脉冲周期为40ms，占空比为4/40，射频脉冲总用时210s， 届时射频脉冲关闭；获得钝化硅片；步骤五、抽真空；在PECVD炉内壁温度450 V的条件下，关闭氨气阀，开启真空阀，将PECVD炉内的氨气抽空，真空度为lOOPa，保持时间为30s ；步骤六、镀第一层膜；在PECVD炉内壁温度450°C的条件下，关闭真空阀，同时开启PECVD炉的硅烷阀和氨气阀，向PECVD炉内注入硅烷和氨气，硅烷的流量为950ml/min，氨气的流量为6500ml/min，使炉内硅烷和氨气的混合气体压力至1700Pa，开启PECVD炉的射频脉冲，射频功率为5500W， 射频脉冲周期为40ms，占空比为4/40，射...

【专利技术属性】
技术研发人员：林海峰，高慧慧，曾学仁，陈国标，唐坤友，石金中，
申请(专利权)人：东方日升新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：