一种硅基成像器件制造技术

一种硅基成像器件，包括主体，于主体上设有由量子点与高透光率的成膜材料组成具有改变光波波长功能的光转换膜。所述的量子点为硒化镉（CdSe）纳米晶核，或为纳米级CdSe/ZnS核壳结构的纳米晶核。所述光转换膜粘附在主体上。本实用新型专利技术可有效地增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，延长硅基成像器件的寿命，提高紫外光区到可见光区的转化率和膜的光学稳定性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种硅基成像器件
本技术涉及一种硅基成像器件，特别是指一种把光转换膜应用于(XD(Charge Coupled Device,电荷稱合器件)或 / CMOS (Comp lementary Metal-Oxide Semiconductor, 附加金属氧化物半导体组件)等硅基成像器件的表面。
技术介绍
紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。当前最先进的光谱仪器大都采用了 CCD或CMOS作为探测器件，这是因为 CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小，一般低于2nm，在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。自CCD和其它光探测器投入商业生产以来，人们就一直致力于寻找一种能提高探测器紫外响应能力的方法。经检索可以发现，诸如中国专利ZL01129954.1号《刑侦用紫外照相机》、ZL200820152199. X号《一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件》、ZL200820152099. 7《一种具有紫外响应的硅基成像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基成像器件，包括主体（1），其特征在于：于主体上设有光转换膜（2）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李阳，
申请(专利权)人：广东普加福光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：