【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体薄膜沉积设备,具体地说是一种晶圆载台结构。
技术介绍
薄膜沉积技术的原理是将晶圆置于真空环境中,通入适量的反应气体,利用气体的物理变化和化学反应,在晶圆表面形成固态薄膜。与晶圆载台相关的中国专利:公开日为2010年8月25日、公开号为CN201562672U的中国专利,公开日为2003年6月25日、公开号为CN2558077Y的中国专利,公开日为1999年4月28日、公开号为CN1215226A的中国专利,公开日为2010年1月6日、公开号为CN101621020A,公开日为2009年9月16日、公开号为CN201311921Y的中国专利等。以上专利适用于机械手自动传送晶圆的沉积设备,但不适用于手动加载晶圆的小型沉积设备。目前,小尺寸晶圆(载台上放置的晶圆超过1个即为小尺寸晶圆)批量生产,采用如图1所示的晶圆载台,在晶圆载台上加工出至少一个与晶圆直径匹配的放置凹槽,将晶圆分别放在凹槽内,沉积工艺完成后,待晶圆冷却,使用镊子夹取晶圆。采用上述载台,晶圆的冷却时间长,晶圆拾取不方便。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆载台结构。该晶圆载台结构利用外置底座上的顶针和晶圆载台上的顶针孔,将晶圆顶起,可以减少晶圆冷却时间,并便于用真空吸盘或镊子拾取晶圆。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:本技术包括晶圆载台及外置底座,其中晶圆载台上开有多个顶针孔,在晶圆载 ...
【技术保护点】
一种晶圆载台结构,其特征在于:包括晶圆载台(1)及外置底座(2),其中晶圆载台(1)上开有多个顶针孔(12),在晶圆载台(1)的边缘沿圆周方向均布有多个夹取口(14);所述外置底座(2)包括底板(23),在底板(23)上设有与所述顶针孔(12)相对应的顶针(21);所述晶圆载台(1)落在外置底座(2)的底板(23)上,顶针(21)由顶针孔(12)穿出、支撑晶圆(4)。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种晶圆载台结构,其特征在于:包括晶圆载台(1)及外置
底座(2),其中晶圆载台(1)上开有多个顶针孔(12),在晶圆载台
(1)的边缘沿圆周方向均布有多个夹取口(14);所述外置底座(2)
包括底板(23),在底板(23)上设有与所述顶针孔(12)相对应的
顶针(21);所述晶圆载台(1)落在外置底座(2)的底板(23)上,
顶针(21)由顶针孔(12)穿出、支撑晶圆(4)。
2.按权利要求1所述的晶圆载台结构,其特征在于:所述晶圆
载台(1)的上表面设有至少一个凹槽(11),晶圆(4)放置在该凹
槽(11)内,所述顶针孔(12)均开在凹槽(11)内。
3.按权利要求2所述的晶圆载台结构,其特征在于:每个凹槽
(11)内均开有三个呈三角形布置的顶针孔(12),每个凹槽(11)
内的顶针孔所对应的底板(23)上的顶针(21)也呈三角形布置。
4.按权利要求1、2或3所述的晶圆载台结构,其特征在于:所
述顶针孔(12)为通孔,其下部的孔壁为圆锥面。
5.按权利要求1、2或3所述的晶圆载台结构,其特征在于:所
技术研发人员:凌复华,王丽丹,吴凤丽,
申请(专利权)人:沈阳拓荆科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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