转印用施主基板及使用其的器件的制造方法、及有机EL元件技术

本发明专利技术提供一种具有基板和光热转换层、且光热转换层的表面为粗糙面的转印用施主基板。由此，形成均匀的转印材料的膜，能够制造可形成高精度的细微图案的器件。另外，本发明专利技术还提供一种有机EL元件，所述有机EL元件的有机化合物层的至少一部分使用转印法形成，发光区域的发光亮度不均或膜厚不均少。由此，能够提供耐久性也优异的有机EL元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及构成有机EL元件的薄膜的转印用施主基板、使用该转印用施主基板的器件的制造方法、以及有机EL元件。
技术介绍
有机EL元件是从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在被两极夹持的有机发光层内再结合的元件。自得到非专利文献I那样的研究成果以来，如上所述进行发光的有机 EL元件能够薄型化且能够在低驱动电压下高亮度发光、并且通过在发光层中使用各种有机材料可获得以红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色为代表的多种发光色，因此作为彩色显示器的应用的实用化在不断进步，随之要求各种各样的技术。其中之一是在作为最终产品的形成有机EL元件的器件基板上形成为典型的膜厚为O.1 μ m以下的薄膜、且按照三原色高精度地形成细微图案的发光层的技术。一直以来，在薄膜的细微图案形成上使用光刻法、喷墨法或印刷法等湿法工艺 (涂布法)。然而，湿法工艺中，在先形成的底层上涂布光致抗蚀剂和油墨等时，难以完全防止极薄的底层的形态变化和不良的混合等，也难以实现从湿润状态干燥后的薄膜的膜厚均匀性。相对于此，几种干法工艺被实用化或被提出。其中，掩模蒸镀法是在金属板上密合开有精密的孔的蒸镀掩模，将其作为掩模，将各发光材料蒸镀在器件基板上。该方法难以同时实现彩色显示器的大型化和孔的精度，而且，随着大型化，存在器件基板和蒸镀掩模的密合性受损的倾向。作为与彩色显示器的大型化相对应的干法工艺，开发了在转印用的施主片材(施主膜或施主基板)上暂时涂布R、G、B的各发光材料形成具有细微图案的转印材料，将该转印材料蒸镀转印在器件基板上的技术。例如，专利文献I中公开了下述方法在施主基板上形成光热转换层，事先通过印刷法在其上分开涂布R、 G、B的有机EL材料，对光热转换层照射激光进行一并转印。另外，专利文献2、3中公开了下述方法在施主基板的光热转换层上设置分区图案，利用喷墨法等方法在其上涂布R、G、B的有机EL材料，对光热转换层照射激光，将有机 EL材料一并转印。另一方面，专利文献4中公开了下述方法仅对施主基板上利用喷墨法等方法形成的有机EL材料的膜厚不均少的部分选择性地照射激光，转印有机EL材料，由此减少形成在器件基板上的有机EL材料的膜厚不均。专利文献1:日本特开2008-235011号公报专利文献2 :国际公开W02009/154156号说明书专利文献3 :日本特开2009-187810号公报专利文献4 :日本特开2009-146715号公报非专利文献1:“Applied Physics Letters”，(美国)，1987 年，51 卷，12 号，913-915 页
技术实现思路
但是，专利文献I记载的方法中，由于在施主基板上未形成分区图案，所以存在以溶液状态涂布RGB时与相邻的材料混合、或干燥时的溶剂蒸汽使相邻的材料再溶解的问题，难以高精度地分开涂布有机EL材料。另外，专利文献2、3记载的方法中，利用喷墨法在各分区图案内形成转印材料时，产生所谓的“咖啡污垢”状的局部的膜厚不均，转印到器件基板上时也存在局部的膜厚不均被转印的问题。另一方面，专利文献4中公开了如图17(a)所示仅转印形成在施主基板上的有机 EL材料的膜厚不均少的部分，由此制作膜厚不均少的器件基板的方法。但是，如图17(b)所示转印到高开口率的器件基板上时，即使仅转印形成在施主基板上的有机EL材料的膜厚不均少的部分，由于施主基板的转印区域相对于器件基板的像素区域小，所以也存在在像素周围的绝缘层附近极端地薄膜化的问题。另外，如图17(c)所示，即使扩大施主基板的转印区域，由于在施主基板的隔板附近极端厚膜化的有机EL材料也被转印，因此存在向器件基板转印了的有机EL材料的膜厚变得不均匀的问题。本专利技术解决了上述问题，目的在于提供一种施主基板、及使用该施主基板制造以有机EL元件为代表的器件的方法，所述施主基板通过照射以激光为代表的光，将转印材料转印到器件基板上，能够形成均匀的转印材料的膜，能够形成高精度的细微图案。另外，本专利技术的目的在于提供发光区域的发光亮度不均及膜厚不均少、且耐久性也优异的有机EL 元件。本专利技术人等针对上述课题进行了研究，结果发现通过调整施主基板的光热转换层表面的粗糙度，能够排除在溶剂的干燥过程中产生的膜厚不均，即使在高开口率的器件基板中，也能制作发光亮度不均少的有机EL元件，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术的构成之一涉及转印用施主基板，所述转印用施主基板具有基板和形成在上述基板上的光热转换层，其特征在于，上述光热转换层的表面为粗糙面。另外，本专利技术的另一个构成涉及有机EL元件，所述有机EL元件具有有机化合物层，所述有机化合物层包括被夹 持在至少一对电极间的发光层，有机化合物层的至少一部分是使用转印法形成的，其特征在于，子像素的绝缘层的宽度小于40 μ m,并且子像素内的发光区域的发光亮度不均为±20%以下。另外，本专利技术涉及一种有机EL元件，所述有机 EL元件具有有机化合物层，所述有机化合物层包括被夹持在至少一对电极间的发光层，有机化合物层的至少一部分是使用转印法形成的，其特征在于，子像素的绝缘层的宽度小于 40 μ m，并且使用转印法形成的有机化合物层中，子像素内的发光区域的膜厚不均为±10% 以下。利用本专利技术的转印用施主基板，可以通过涂布法制作形成有均匀的膜厚的转印材料的转印用施主基板，使用该施主基板进行转印时，器件性能不会恶化，能够制造高精度地形成有细微图案的器件。另外，利用本专利技术的有机EL元件，由于发光亮度不均少，所以能够实现高画质显示且耐久性优异的显示装置。附图说明[图1]为表示形成有有机EL元件的器件基板的典型的结构例的放大剖面图。[图2]为表示使用本专利技术的实施方式中的施主基板在器件基板上形成转印膜的 方法例的放大剖面图。[图 3]:[图 4]:[图 5]:[图 6]:[图 7]:[图 8]:[图 9]:[图 10][图 11]图。[图 12][图 13][图 14]面图。[图 15][图 16][图 17]为说明现有的光照射配置中的问题点的剖面图。为说明本专利技术技术和现有技术中的发光层的图案形成精度的差的剖面为说明转印法和蒸镀法中的发光层的边缘形状的不同的剖面图。为表示本专利技术的实施方式中的器件基板的像素的俯视图。为表示本专利技术的实施方式中的一并转印的图案形成方法的一个例子的剖为表示本专利技术的实施方式中的光照射方法的一个例子的立体图。为本专利技术的实施例中的转印材料的形成工序的平面照片。为表示使用表面平滑的施主基板在器件基板上形成转印膜的现有的方法例的剖面图。具体实施方式以下，一边参照附图一边说明用于实施本专利技术的优选方案。需要说明的是，本说 明书中使用的放大剖面图和放大俯视图表示构成作为彩色显示器的最小单位的像素的RGB 子像素。另外，为了便于理解，与放大剖面图的横向(基板面内方向)相比，放大了纵向(基 板面垂直方向)的倍率。以下，作为器件的代表例，说明形成有有机EL元件的典型的结构 的器件基板10，接着，说明对于通过转印在器件基板10上形成器件来说适合的本专利技术的实 施方式的施主基板30，接着，以使用了施主基板30的转印工序为中心，说明器件的制造方 法。(I)器件基板10图1为表示形成有有机EL元件的器件基板10的典型的结构例的放大剖面图。器 件基板10的结构如下在玻璃板等支承体1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.15 JP 2010-1603151.一种转印用施主基板，包括基板和形成在所述基板上的光热转换层，其特征在于，所述光热转换层的表面为粗糙面。2.如权利要求1所述的转印用施主基板，其中，所述光热转换层的表面的算术平均粗糙度为30nm以上。3.如权利要求1或2所述的转印用施主基板，其中，所述基板的形成光热转换层一侧的表面的算术平均粗糙度为30nm以上。4.如权利要求1 3中任一项所述的转印用施主基板，其中，表面的凹凸平均间隔为20 μ m以下。5.如权利要求1 4中任一项所述的转印用施主基板,其中,在所述光热转换层的上表面形成有分区图案。6.一种器件的制造方法，包括下述工序 使权利要求1 5中任一项所述的转印用施主基板与器件基板对置的工序；及 通过对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅原正明，谷村宁昭，藤森茂雄，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：
国别省市：