图案形成方法和聚合物合金基材技术

本发明专利技术提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术实施方案涉及图案形成方法和聚合物合金基材。
技术介绍
在半导体器件生产方法如生产LSI的方法中，迄今使用采用光刻法(lithography)的微制造技术。由于确定需要更多微观加工，光刻法中光源波长的降低和抗蚀剂性能的增强正在进行中。然而，用这些措施改善分辨率变得越来越困难。同时，使用嵌段共聚物的相分离结构的微制造技术引起注意。在微制造技术中，嵌段共聚物的相分离结构的规则排列是需要的。已提出以下方法获得嵌段共聚物的相分离结 构的规则排列。例如，已知一种形成嵌段共聚物的微相分离图案的方法，其包括在基质上形成自组装单层(SAM);通过光刻法将光致抗蚀剂涂覆于基质上以形成线-和-空间抗蚀剂图案；通过使用抗蚀剂图案作为掩模在氧气气氛下用X射线进行选择性照射以实现SAM的一部分的化学改性；除去抗蚀剂图案；和将SAM用嵌段共聚物涂覆，其后退火。另外，已知一种形成嵌段共聚物的微相分离图案的方法，其包括在基质上形成SAM ;通过干涉曝光使SAM的一部分选择性曝光以形成化学改性点图案；和将SAM用嵌段共聚物涂覆，其后退火。然而，由于这些使用SAM的方法对SAM涂覆速率的波动敏感，且由于形成S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.28 JP 169279/20101.一种图案形成方法，其包括 将自组装单层和聚合物膜层压在基质上； 通过用能量束照射导致聚合物膜与自组装单层之间化学键合，由此在自组装单层上形成聚合物表面层；和 在聚合物表面层上形成具有相分离结构图案的聚合物合金。2.根据权利要求1的图案形成方法，其进一步包括 除去聚合物表面层上在聚合物层形成以后未化学键合的一部分聚合物膜。3.根据权利要求1的图案形成方法，其中 将基质上的部分区域用能量束选择性地照射以导致该部分区域上的聚合物膜与自组装单层之间选择性化学键合，由此形成聚合物表面层；和 聚合物合金在从未被能量束照射的区域上除去聚合物膜以后形成。4.根据权利要求3的图案形成方法，其中 聚合物合金的相分离结构由第一相和第二相形成； 第一相在聚合物表面层上形成；且 第二相在通过除去未被能量束照射的区域上的聚合物膜而曝光的自组装单层表面上形成。5.根据权利要求1的图案形成方法，其进一步包括 将光致抗蚀剂涂覆于聚合物表面层上并通过使用UV射线或电子束使图案曝光和显影而在光致抗蚀剂上形成图案； 通过蚀刻除去未被在其上形成图案的光致抗蚀剂涂覆的区域上的聚合物表面层，并将图案转移至聚合物表面层上；和 在图案转移至聚合物表面层上以后通过使用溶剂除去光致抗蚀剂， 其中聚合物合金在除去光致抗蚀剂以后形成。6.根据权利要求5的图案形成方法，其中 聚合物合金的相分离结构由第一相和第二相形成； 第一相在聚合物表面层上形成；且 第二相在通过除...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部繁树，浅川钢儿，中村裕子，北川良太，清野由里子，菅野正洋，比嘉百夏，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：
国别省市：