混合线条的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：A、在底层上依次形成材料层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；B、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成第二硬掩模图形；C、在第一硬掩模层上形成光刻胶掩模图形；D、以第二硬掩模图形和光刻胶掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；E、以第一和硬掩模图形为掩模，刻蚀材料层，形成第一线条和第二线条。依照本发明专利技术的混合线条制造方法，将同一层次图形按线条大小进行拆分，大线条用普通光学曝光，小线条用电子束曝光，旨在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间。同时采用2次硬掩膜方法有效的解决了I线光刻胶和电子束光刻胶相互影响的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件制造方法，特别是涉及一种电子束曝光与普通光学曝光的混合曝光/光刻来制造精细线条的方法。
技术介绍
在当前的大规模集成电路生产工艺过程中，需要进行多次光刻。目前普遍采用普通光学曝光，普通光学曝光的优势在于曝光大线条产能高，劣势在于无法曝光精细线条。如I线光源365nm的极限为O. 35um,准分子激光光源DUV248nm极限为O. 13um, DUV干法193nm极限为65nm，浸没式193极限约为20nm，用传统的光学曝光技术很难实现20nm以下的器件。 因此随着器件尺寸的不断缩小，普通的光学曝光已经无法满足精细线条的曝光需求，光学曝光技术已接近极限，目前电子束曝光和EUV已经成为下一代精细图形曝光的主要竞争者，特别是20nm以下的精细图形需采用电子束或EUV光刻。然而，对EUV技术而言，仍有若干关键技术需要攻克。相对来说电子束曝光技术比较成熟，优势在于曝光精细线条，同时不需要掩膜版，但存在曝光时间长的缺点，直接导致曝光大图形时产能较低。如果能同时发挥电子束和普通光学曝光的优势，避开各自的劣势，实现同一层次大线条用普通光学曝光小线条用电子束曝光，将有效的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：A、在底层上依次形成材料层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；B、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成第二硬掩模图形；C、在第一硬掩模层上形成光刻胶掩模图形；D、以第二硬掩模图形和光刻胶掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；E、以第一硬掩模图形为掩模，刻蚀材料层，形成第一线条和第二线条。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐波，闫江，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：