【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成光波导渐逝场传感器本专利技术涉及用于感测化学和/或物理量的集成光波导渐逝场传感器，其包括携带 波导层结构的基板，所述基板包括-波导核心层，其被夹在由比波导核心层折射率低的下覆层和上覆层形成的两个 覆层之间，和-感测部分，其包含被包括在上覆层中的感测层。集成光波导渐逝场传感器可以用于感测化学和/或物理量。在使用过程中，传感 器通常使用光纤连接到测量设备，其中所述光纤光学地连接到波导核心层。已知传感器的 缺点是，感测通常需要由技术人员完成。本专利技术的目的是从提供集成光波导渐逝场传感器(其中感测可由任何非技术人员 完成)的意义上消除这个缺点。为了实现该目的，在介绍中提到的类型的集成光波导渐逝场传感器特征在于，所 述感测层作为单独元件是可更换的。通过具有传感器的感测部分作为单独元件，化学和/或物理量的感测可由非技术 人员容易地完成。例如，这是由于只有所述单独元件在新的感测时间段被更换，使得连接到 所述传感器的任何光纤可以保持连接到所述传感器的其余部分。因为传感器与光纤的连接 是非常精确的，使得只有技术人员可以正常地将传感器与光纤连接，这允许由任何(非)技 术人员完成感...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.17 EP 10166406.8;2010.06.17 EP 10166408.41.一种用于感测化学和/或物理量的集成光波导渐逝场传感器，包括支撑波导层结构的基板，所述波导层结构包括-波导核心层，其夹在由具有比所述波导核心层更低的折射率的下覆层和上覆层形成的两个覆层之间，-感测部分，其包括被包含在所述上覆层中的感测层，特征在于，所述感测部分作为单独元件是可更换的。2.如权利要求1所述的集成光波导渐逝场传感器，其中所述波导层结构包括第二波导核心层，所述第二波导核心层夹在由具有比所述第二波导核心层更低的折射率的第二下覆层和第二上覆层形成的两个第二覆层之间。3.如权利要求2所述的集成光波导渐逝场传感器，其中所述传感器包含第二感测部分，所述第二感测部分包含被包括在所述第二上覆层中的第二感测层。4.如权利要求2或3所述的集成光波导渐逝场传感器，其中所述波导层结构包括用于在第一接合处将共用输入波导核心层光学地分成所述第一波导核心层和所述第二波导核心层的分路器。5.如权利要求2、3或4所述的集成光波导渐逝场传感器，其中所述波导层结构包括用于在第二接合处将所述第一波导核心层和所述第二波导核心层光学地稱...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·B·J·迪恩米尔，
申请(专利权)人：光学感觉有限公司，
类型：
国别省市：
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