一种可变通带数的基片集成波导电调谐振单元制造技术

本发明专利技术涉及微波电路技术，特别涉及一种通带数目可变的基片集成波导SIW电调谐振单元。该电调谐振单元包括:输入端50Ω特性阻抗的微带线经过一段阻抗渐变线，转至共面波导和基片集成波导SIW本体。SIW本体沿共面波导的中心导带方向呈轴对称，其单侧形状为十字架形，使得整个SIW本体形成6个矩形凸出部，在矩形凸出部内侧边均加工一排非金属化圆形通孔，使得非金属化通孔与共面波导的中心导带和SIW本体的外围金属化通孔将SIW本体划分为八个矩形腔体，按大小分为两个大腔体，两个中等腔体和四个小腔体。并且在大腔体的印制板上沿电磁波传播方向开两条槽线。本发明专利技术结构简单，谐振通带数目可自由切换。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术专利涉及微波电路技术，特别是通带数目可变的基片集成波导(SubstrateIntegrated Waveguide, SIff)电调谐振单元。技术背景随着电子通信技术的发展，高集成度和多通带器件在实际工程中扮演了越来越重要的角色，多通带和通带可调的器件是元器件研宄的一个重要方向。SIW滤波器具有选频特性好、插损小、工作频率高、易于集成、成本低等优点，是近年来研宄的重点和热点，国内外已经对此做了大量理论研宄并进行了工程应用。单个SIW谐振腔可以构成一个谐振单元，能谐振在预定的工作频率，但工作带宽和带外抑制不足。实用的Siw滤波器一般由多个谐振单元通过级联耦合的方式实现，可以得到较宽的工作频带和较大的带外抑制。从某种意义上说，研宄新型的SIW谐振单元是设计SIW滤波器的基础和重难点。在相关的文献报道中，为了得到单通带和多通带效应，科研工作者提出了多种结构形式的Siw谐振器。基于宽边親合的互补开环谐振器(complementarysplit-ring resonator，CSRR)加载法，参考文献 Liwen Huang, Ian D.Robertson, Weiwei本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可变通带数基片集成波导电调谐振单元，包括输入端50Ω特性阻抗的微带线经过一段阻抗渐变线，转至共面波导和基片集成波导SIW本体，其特征在于：基片集成波导本体沿共面波导的中心导带方向呈轴对称，其单侧形状为十字架形，使得整个SIW本体形成6个矩形凸出部，在6个矩形凸出部内侧无通孔的边均加工一排非金属化圆形通孔，共计六排，使得六排非金属化圆形通孔与共面波导的中心导带和基片集成波导本体的外围金属化通孔将基片集成波导本体划分为八个矩形腔体，按大小分为两个大腔体，两个中等腔体和四个小腔体；基片集成波导本体的单侧结构为：一个中等腔体居中，两个小腔体置于前后方向，一个大腔体置于中等腔体的侧面方向；并且在大腔...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭浩，朱建中，肖龙，杨涛，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51