基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，包括上层介质基片和下层介质基片，上层介质基片设置有上金属层，下层介质基片设置有下金属层，上、下层介质基片之间设置中间金属层；所述上层介质基片设置有两段金属化通孔，下层介质基片相应的位置设置两端金属化通孔；所述上下金属层均为等腰直角三角形；一条馈电微带线在上金属层斜边靠端点的位置与之相连，另一条馈电微带线在相应的位置与下金属层相连；所述中间金属层上设置有一个矩形的孔隙以及一个扇形的孔隙。本发明专利技术具有很好的频率选择性和带外抑制性能，同时大大缩减了体积，兼具低损耗、高功率容量的特点。

A high frequency selective bandpass filter based on 1/8 mode substrate integrated waveguide

The invention discloses a high frequency selectivity based on 1/8 mode substrate integrated waveguide bandpass filter, including the upper substrate and the lower substrate and the upper dielectric substrate is arranged on the lower metal layer, the dielectric substrate is provided with a lower metal layer, an intermediate metal layer is arranged between the upper and lower dielectric substrate; the upper substrate is provided with two segments of metal through holes, the lower dielectric substrate are arranged at both ends of the corresponding position of the metal through holes; the upper and lower metal layer are isosceles triangle; a microstrip feed line on the metal layer on the hypotenuse endpoint position is connected to another fed microstrip the line in the corresponding position and the lower metal layer is connected; the intermediate metal layer is provided with a rectangular pore and the pore of a fan. The invention has good frequency selectivity and out of band suppression performance, and greatly reduces the volume, and has the characteristics of low loss and high power capacity.

【技术实现步骤摘要】
基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器
本专利技术涉及微波
，特别是一种基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器。
技术介绍
自从基片集成波导的概念提出以来，以其低损耗、低成本、高功率容量和易于集成的优点受到了国内外学者的广泛关注。为了减小基片集成波导体积，先后提出了各种小型化的改进结构，如半模基片集成波导、折叠半模基片集成波导、四分之一模基片集成波导和八分之一模基片集成波导。国内外报导的基于基片集成波导技术的滤波器实现高频率选择性的方法都是通过多个基片集成波导整谐振腔耦合的方式产生传输零点，体积都较大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够实现高频率选择性、低损耗、小型化的基于八分之一模基片集成波导的带通滤波器。实现本专利技术目的的技术解决方案为：一种基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，该滤波器基于八分之一模基片集成波导，包括上层介质基片和下层介质基片，所述上层介质基片的上表面设置有上金属层，下层介质基片的下表面设置有下金属层，上层介质基片、下层介质基片之间设置中间金属层；所述上层介质基片设置有第一排金属化通孔、第二排金属化通孔，下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，其特征在于，该滤波器基于八分之一模基片集成波导，包括上层介质基片(2)和下层介质基片(13)，所述上层介质基片(2)的上表面设置有上金属层(1)，下层介质基片(13)的下表面设置有下金属层(11)，上层介质基片(2)、下层介质基片(13)之间设置中间金属层(8)；所述上层介质基片(2)设置有第一排金属化通孔(3)、第二排金属化通孔(5)，下层介质基片(13)相应的位置设置第三排金属化通孔(9)、第四排金属化通孔(10)；所述上金属层(1)、下金属层(11)均为等腰直角三角形；第一条馈电微带线(4)设置于上层介质基片(2)，且与上金属层(1...

【技术特征摘要】
1.一种基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，其特征在于，该滤波器基于八分之一模基片集成波导，包括上层介质基片(2)和下层介质基片(13)，所述上层介质基片(2)的上表面设置有上金属层(1)，下层介质基片(13)的下表面设置有下金属层(11)，上层介质基片(2)、下层介质基片(13)之间设置中间金属层(8)；所述上层介质基片(2)设置有第一排金属化通孔(3)、第二排金属化通孔(5)，下层介质基片(13)相应的位置设置第三排金属化通孔(9)、第四排金属化通孔(10)；所述上金属层(1)、下金属层(11)均为等腰直角三角形；第一条馈电微带线(4)设置于上层介质基片(2)，且与上金属层(1)的斜边相接；第二条馈电微带线(12)设置于下层介质基片(13)，且与下金属层(11)的斜边相接；所述中间金属层(3)设置一个矩形的第一孔隙(6)，以及一个扇形的第二孔隙(7)。2.根据权利要求1所述的基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，其特征在于，所述馈电微带线(4)与上金属层(1)的斜边靠近扇形空隙处相连，所述馈电微带线(12)与下金属层(11)的斜边靠近扇形空隙处相连，且两条馈电微带线关于中间金属层(8)上下对称。3.根据权利要求2所述的基于八分之一模基片集成波导的高频率选择性带通滤波器，其特征在于，所述上金属层(1)被第一排金属化通孔(3)、第二排金属化通孔(5)所在直线分为上下两部分，其中与第一馈电微带线相连的记为上金属层(1)下部分，不与馈电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，季佳恺，芮义斌，谢仁宏，郭山红，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32