The invention discloses a slow wave substrate integrated waveguide lumped inductor based on load, includes a dielectric substrate, the substrate on the two surface is a metal layer and through holes are arranged at both sides of the metal, the dielectric substrate arranged on the metal layer on the surface of the pore structure, pore structure the inductor is arranged in the network connection of the metal layer, the load on a metal surface of substrate integrated waveguide inductance on the way to get an artificial material, this material as the substrate of SIW, slow wave effect, and can effectively reduce the size, can meet the cut-off frequency, insertion loss in bandwidth requirements when the substrate integrated waveguide significantly reduced the size of the effect; and by adjusting the inductance value, can effectively regulate the phase velocity and the intrinsic impedance, SIW design brings new degrees of freedom.
【技术实现步骤摘要】
基于集总参数电感加载的慢波基片集成波导
本专利技术涉及基片集成波导领域,具体涉及一种基于集总参数电感加载的慢波基片集成波导。
技术介绍
基片集成波导即SubstrateIntegratedWaveguide,简称SIW。基片集成波导技术,是指通过在上下底面为金属面的低损耗介质基片两侧,利用PCB工艺加工出金属化通孔阵列来实现的一种导波结构,金属面一般为敷铜。SIW可以等效于传统的介质填充波导。介质基片的上下底面可以看作是传统金属矩形波导的上下宽边;当两相邻金属化通孔之间的距离S小于传导波长的五分之一且S<4d时,d为通孔直径,可以忽略孔间辐射损耗,类似于传统金属矩形波导的宽边。在理想情况下,电磁波被完全束缚于上下金属层和两侧金属化通孔之间的介质中传播,其传输特性也与金属矩形波导非常相似,传播主模为TE10模。基片集成波导技术的概念起源于上世纪末。1994年,日本学者F.Shigeki提出了一种称为“波导线”的结构,可以看作是SIW概念的萌芽。1995年,K.A.Zaki等在低温共烧陶瓷(LowTemperatureCo-firedCeramic,LTCC)上利用金 ...
【技术保护点】
基于集总参数电感加载的慢波基片集成波导,包括介质基板(1),所述介质基板(1)的上下两个面为金属层(2)且两侧设置有金属化通孔(3),其特征在于:所述介质基板(1)上表面的金属层上设置有孔结构,所述孔结构内设置有连接金属层的电感网络。
【技术特征摘要】
1.基于集总参数电感加载的慢波基片集成波导,包括介质基板(1),所述介质基板(1)的上下两个面为金属层(2)且两侧设置有金属化通孔(3),其特征在于:所述介质基板(1)上表面的金属层上设置有孔结构,所述孔结构内设置有连接金属层的电感网络。2.根据权利要求1所述的基于集总参数电感加载的慢波基片集成波导,其特征在于:所述电感网络包括多排横向电感网络和/或多排纵向电感网络,每排横向电感网络和每排纵向电感网络均包含多个电感(4),每排横向电感网络的两个相邻电感(4)之间、每排纵向电感网络的两个相连电感(4)之间通过微带节点(5)连接。3.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:金海焱,周瑜亮,廖丹,黄永茂,金海陆,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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