一种基片集成波导低通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种基片集成波导低通滤波器。包括基板，第一微带线，第一半椭圆渐变过渡段，中央滤波段，金属通孔，第二半椭圆渐变过渡段，第二微带线，底层金属贴片。在S12<-3dB的标准下工作频率上界介于2.8G至3.1G之间,下界介于4.7GHz至5GHz之间，选择不同参数会有浮动。与现有技术相比，由于采用了独特的半椭圆渐变过渡段，从而获得了良好的阻抗匹配，使得工作频率下界分野明显，S12参数下降极为陡峭。适合在国防或其它需要高精密仪器的场合使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属微波滤波器领域，具体涉及一种基片集成波导低通滤波器。
技术介绍
随着现代微波毫米波电路系统的高速发展，其功能越来越复杂，电性能指标要求越来越高，同时要求其体积越来越小，重量越来越轻；整个系统迅速向小型化、轻量化、高可靠性、多功能性和低成本方向发展。低成本、高性能、高成品率的微波毫米波技术对于开发商业化的低成本微波毫米波宽带系统非常关键。因此，迫切需要发展新的微波毫米波集成技术。在毫米波频段，电路功能模块包括天线之间通过电磁耦合和互连紧密相连，在这种情况下，电路模块的设计需要从整体上来考虑。到目前为止，设计高性能的毫米波系统所采用的主要还是经典的波导技术。但是这种比较成熟的技术并不适合于低成本、大批量的商业应用。这主要是因为利用这种技术在完成电路的加工以后，需要较昂贵的调整机构，同时需要复杂繁琐的调整工作来实现预期设计的电路功能。为了解决这一矛盾和困难，有学者提出了一种新型的设计平台，那就是基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide，SIW)技术。基片集成波导是一种可以集成于介质基片中的具有低插损低辐射等特性的新的导波结构，它通过在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基片集成波导低通滤波器，其特征在于，包括基板（1），第一微带线（2），金属通孔（3），第一半椭圆渐变过渡段（4），中央滤波段（5），第二半椭圆渐变过渡段（6），第二微带线（7），底层金属贴片（8）；基板（1）为矩形；第一微带线（2），第一半椭圆渐变过渡段（4），中央滤波段（5），第二半椭圆渐变过渡段（6），第二微带线（7）是金属贴片，位于基板（1）上表面；底层金属贴片（8）位于基板（1）下表面；金属通孔（3）有多个，贯穿基板，孔壁镀有金属；第一微带线（2）位于基板左端，为矩形，其短边中心线与基板的短边中心线重合；第一半椭圆渐变过渡段（4）与第一微带线（2）相连接，第一半椭圆渐变过渡段（4）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周浩淼，张秋实，徐源，
申请(专利权)人：中国计量学院，
类型：发明
国别省市：浙江;33