微集成传感器和电子设备制造技术

本公开涉及微集成传感器和电子设备，微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种具有机械去耦的微集成封装MEMS传感器和电子设备。
技术介绍
如已知的那样，使用MEMS(微机电系统)技术获得的微集成传感器由于它们不断提高的可靠性、低成本和非常小尺寸而广泛用于市场上。例如，美国专利No.6,131,466描述了一种压阻类型的微集成MEMS压力传感器及其制造方法。美国专利No.8,173,513中描述了另一种压阻类型和电容类型的微集成压力传感器。微集成传感器通常具有设计用于保护传感器内部结构免受外部环境影响的封装，例如用以减少由于温度、适度、颗粒、或防止其工作或恶化其性能的元素引起的干扰，和/或用于提高其机械强度。另一方面，封装的制造可以引起应力，其可以不利地影响传感器的性能、稳定性和可靠性的特性。这对于基于硅的压阻特性的传感器是特别正确的，其中在还能机制中直接包含了应力。在这些情形中，随后特别地需要封装的精确设计以便于限制由封装和由组装工艺引起的应力的效果，特别关注涉及所使用的材料以及在传感器和封装之间机械耦合期间引起的效应。例如，由于其低成本和高产量，可以不简单地采用最普遍用于微电子器件的通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微集成传感器，其特征在于，包括：堆叠，具有第一表面和第二表面，所述堆叠包括：传感器层，在所述第一表面处，所述传感器层包括围绕中心部分的外周部分，所述中心部分包括容纳敏感元件的平台；盖帽层，在所述第二表面处，所述盖帽层包括外周部分和中心部分，所述盖帽层的所述中心部分包括多个穿通孔；以及绝缘层，位于所述盖帽层和所述传感器层的外周部分之间；以及气隙，位于所述盖帽层和所述传感器层的中心部分之间；以及多个穿通沟槽，在所述传感器层的所述中心部分中，所述多个穿通沟槽一起围绕容纳所述敏感元件的所述平台，其中所述多个穿通孔、所述气隙和所述多个穿通沟槽形成去往所述敏感元件的流体路径。

【技术特征摘要】
2014.10.31 IT TO2014A0009001.一种微集成传感器，其特征在于，包括：
堆叠，具有第一表面和第二表面，所述堆叠包括：
传感器层，在所述第一表面处，所述传感器层包括围绕中心
部分的外周部分，所述中心部分包括容纳敏感元件的平台；
盖帽层，在所述第二表面处，所述盖帽层包括外周部分和中
心部分，所述盖帽层的所述中心部分包括多个穿通孔；以及
绝缘层，位于所述盖帽层和所述传感器层的外周部分之间；
以及
气隙，位于所述盖帽层和所述传感器层的中心部分之间；以
及
多个穿通沟槽，在所述传感器层的所述中心部分中，所述多
个穿通沟槽一起围绕容纳所述敏感元件的所述平台，
其中所述多个穿通孔、所述气隙和所述多个穿通沟槽形成去往所
述敏感元件的流体路径。
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，包括在所述传
感器层中的弹性连接区域，在所述平台和所述传感器层的外周区域之
间，所述多个穿通沟槽由所述弹性连接区域限定。
3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器层
具有掩埋的空腔以及布置在所述掩埋的空腔和所述第一表面之间的
隔膜，所述隔膜容纳所述敏感元件。
4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于，包括保护区域，
固定至所述盖帽层的所述外周部分并且面向所述隔膜。
5.根据权利要求4所述的传感器，其特征在于，所述保护区域
是ASIC或辅助盖帽。
6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，包括树脂的封
装区域，围绕所述绝缘层、所述盖帽层和所述传感器层的所述外周部
分。
7.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器是
压阻式压力传感器。
8.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，多个穿通沟槽
完全围绕所述平台。
9.一种电子设备，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·皮科，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利;IT