粉粒产生少的强磁性材料溅射靶制造技术

本发明专利技术涉及一种强磁性材料溅射靶，其为在Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶，其特征在于，该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相（A）、以及所述（A）中成分组成与金属基质不同的金属相（B），所述金属相（B）的最外周起2μm以内氧化物所占的面积率为80%以下，并且所述相（B）的平均粒径为10μm以上且150μm以下。本发明专利技术得到可以抑制溅射时产生粉粒，并且提高漏磁通，通过磁控溅射装置可以稳定地放电的强磁性材料溅射靶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜中使用的强磁性材料溅射靶，涉及漏磁通大、通过磁控溅射装置溅射时可以得到稳定的放电、粉粒产生少的溅射靶。
技术介绍
在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为承担记录的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基质的材料。例如，采用面内磁记录方式的硬盘的记录层中使用以Co为主要成分的Co-Cr系或Co-Cr-Pt系的强磁性合金。另外，在采用近年来实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，通常使用包含以Co为主要成分的Co-Cr-Pt系的强磁性合金与非磁性无机物的复合材料。而且，从生产率高的观点考虑，硬盘等磁记录介质的磁性薄膜，通常使用以上述材料为成分的强磁性材料溅射靶进行溅射来制作。作为这样的强磁性材料溅射靶的制作方法，一般认为有溶炼法、粉末冶金法。采用哪种方法来制作取决于所要求的特性，不能一概而论，垂直磁记录方式的硬盘的记录层所使用的包含强磁性合金和非磁性无机物粒子的溅射靶，一般通过粉末冶金法来制作。这是因为需要将无机物粒子均匀地分散到合金基质中，因此难以通过溶炼法制作。例如，对于磁记录膜形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.20 JP 2010-163328;2010.12.20 JP 2010-283151.一种非磁性粒子分散型强磁性材料溅射靶，其为在Cr为20摩尔％以下、其余为Co 的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶， 其特征在于，该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相(A)、以及所述(A)中成分组成与金属基质不同的金属相(B)，所述金属相(B)的最外周起2μπι以内氧化物所占的面积率为80%以下，并且所述相(B)的平均粒径为10 μ m以上且150 μ m以下。2.一种强磁性材料溅射靶，其为在Cr为20摩尔％以下、Pt为5摩尔％以上且30摩尔％以下、其余为Co的组成的金属中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的非磁性材料分散型强磁性溅射靶，其特征在于，该靶组织具有在金属基质中分散有包含氧化物的非磁性材料粒子的相(A)、以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：荻野真一，佐藤敦，中村祐一郎，荒川笃俊，
申请(专利权)人：吉坤日矿日石金属株式会社，
类型：
国别省市：