【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有圆筒形状的圆筒型溅射靶材、具有使用其而形成的溅射膜的配线基板以及薄膜晶体管。
技术介绍
近年来，由于大型显 示面板等液晶显示装置的高精细化，要求薄膜晶体管(TFT Thin Film Transistor)阵列配线的微细化。作为该配线材料，替代以往所使用的招(Al)而使用电阻率低的铜(Cu)正在成为主流。薄膜晶体管基板上的微细铜配线例如通过溅射来形成。这时，有这样的缺点，即，在广泛使用的圆板状或方板状的平面型溅射靶材中，由于发生局部侵蚀，靶材的利用率非常低，为30% 40%的程度。因此，最近，使用了在旋转靶材的同时进行溅射的圆筒型溅射靶材。由此，由于靶材的整个面发生侵蚀，因此靶材的利用率为60%以上，与平面型相比可以得到显著高的值。作为圆筒型溅射靶材的制造方法，提出了例如将钥(Mo)合金原料通过旋转(卞^二 '")加工来形成圆筒形状的方法(例如，参照专利文献I)、在圆筒形基材的外周面接合由圆筒形状的陶瓷烧结体构成的靶材的方法(例如，参照专利文献2)等。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007-302981号公报专利文献2 日本特开200...
【技术保护点】
一种圆筒型溅射靶材，其特征在于，由纯度3N以上的无氧铜形成，并具有圆筒形状，从外周面侧向着内周面侧，硬度逐渐增加，并且，从所述外周面侧向着所述内周面侧，(111)面的取向率逐渐增加。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：上田孝史郎，辰巳宪之，小林隆一，
申请(专利权)人：日立电线株式会社，
类型：发明
国别省市：
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