低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明专利技术。本发明专利技术低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、单晶发射区、发射区-基区隔离介质区、多晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括多晶硅层、多晶硅侧墙和Si/SiGe/Si多晶层。本发明专利技术低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持了现有技术所具有的较低CBC这一优点的同时进一步减小了RB，从而能够进一步优化器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
双极晶体管的基极电阻Rb和集电极-基极电容CB。一直是制约器件高频性能进一步提高的主要寄生参数，其对器件高频性能指标的影响可用如下简化的表达式描述。fmax =J~~其中，fT和fmax分别表示器件的截止频率和最高振荡频率。 此外，Rb还是双极晶体管热噪声的主要来源。因此，为了提高器件的高频性能和改善器件的噪声性能，减小Rb和CB。一直是双极晶体管器件与工艺优化的重要任务。采用单晶发射区-外基区自对准结构，即保证器件重掺杂外基区与单晶发射区的间距不取决于而且一般来说远小于光刻允许的最小线宽或最小套刻间距，是减小Rb的有效途径之一。另外，采用统一的掩模实现本征集电区窗口、选择注入集电区(SIC)掩模窗口和单晶发射区的自对准，且将多晶抬升外基区置于本征集电区窗口外部的隔离介质层上，可以最大限度地减小Cb。。现有技术所制备器件中利用图形外延方法生长本征基区外延的同时会在多晶硅籽晶层上面以及其下面的隔离介质层侧面上淀积Si/SiGe/Si多晶层，其中在隔离介质层侧面上淀积的那部分Si/SiGe/Si多晶层可以定义为多晶连接基区。该多晶连接基区是采用原位掺杂的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管，其特征在于：所述晶体管包括第一导电类型的衬底、第二导电类型的硅埋层集电区、生长在所述衬底和硅埋层集电区上的第二导电类型的轻掺杂硅外延层、在所述轻掺杂硅外延层内形成连接所述硅埋层集电区的第二导电类型重掺杂硅集电极引出区、在轻掺杂硅外延层中形成的场区介质层、位于轻掺杂硅外延层内的选择注入集电区、对应于所述选择注入集电区的本征基区外延层、位于本征基区外延层内且对应发射区?基区隔离介质区所围成窗口的第二导电类型重掺杂单晶发射区、位于所述本征基区外延层上的发射区?基区隔离介质区和第二导电类型重掺杂多晶发射区、位于所述发射区?基区隔离介质区外围的抬升外基区、以及位...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：付军，王玉东，崔杰，赵悦，张伟，刘志弘，许平，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：